DAN 601 / DAP 601 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Dioden Satze mit Allzweckdioden Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 7 Pin-Plastic case 7 Pin-Kunststoffgehause 80 V 18 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. - Gewicht ca. Dimensions / Mae in mm 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Type Typ DAN 601 DAP 601 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] 80 80 80 80 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation TA = 25LC Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, fur eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb TU = 25LC Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25LC 1 IFAV IFAV 100 mA 1) 33 mA 1) IFAV IFAV 100 mA 1) 33 mA 1) IFSM 500 mA ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gultig, wenn die Anschludrahte in 3 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden 388 221101 (c) by SEMIKRON DAN 601 / DAP 601 (200 mW) Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics - 50...+150LC - 50...+150LC Kennwerte Forward voltage Durchlaspannung Tj = 25LC IF = 10 mA VF Leakage current Sperrstrom Tj = 25LC VR = 20 V IR < 25 nA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/uber IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 1.0 V 1) < 85 K/W 2) 1 ) Valid per diode - Gultig pro Diode ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschludrahte in 3 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten (c) by SEMIKRON 221101 2 389