1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Nominal power dissipation 200 mW
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 80 V
Periodische Spitzensperrspannung
7 Pin-Plastic case 18 x 3.5 x 6.6 [mm]
7 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
DAN 601 80 80
DAP 601 80 80
Max. average forward rectified current, R-load, TA = 25LC
for one diode operation only IFAV 100 mA 1)
per diode for simultaneous operation IFAV 33 mA 1)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, TU = 25LC
für eine einzelne Diode IFAV 100 mA 1)
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb IFAV 33 mA 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave TA = 25LCI
FSM 500 mA
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
1) Valid per diode – Gültig pro Diode
2) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
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DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj– 50…+150LC
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS– 50…+150LC
Characteristics Kennwerte
Forward voltage Tj = 25LCI
F = 10 mA VF< 1.0 V 1)
Durchlaßspannung
Leakage current Tj = 25LCV
R = 20 V IR< 25 nA
Sperrstrom
Reverse recovery time IF = 10 mA through/über trr < 4 ns
Sperrverzug IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air RthA < 85 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
