Transistors NPN silicium Mesa diffuss NPN silicon transistors Diffused mesa *2N 2819 *2N 2820 *2N 2821 *2N 2822 - Amplification BF grands signaux Large signal LF amplification - Commutation fort courant High current switching 2 Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot 80 V 2N 2819 v 100 V 2N 2820 CEO 150 V 2N 2821 200 V 2N 2822 Io 25 A Prot 200 W hoe (15 A) 10 - 50 (w) \ | 150 N 100 50 t | | t I | | I 1 100 150.200 tease (C) Boitier TO-63 C Case Le collecteur est reli au boitier Collactor is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ teagg= 25C Absolute ratings (limiting values} Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 80 100 150 200 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEO 80 100 10 200 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 10 10 10 10 Vv Courant collecteur l Collector current c 25 25 25 25 A Courant base Base current 'p 10 10 10 10 A Dissipation de puissance P. Power dissipation tot 200 200 200 200 W Temprature de jonction t Junavion temparsture max. J 200 200 200 200 ec Temprature de stockage min, t - 65 65 65 65 c Storage temperature max. stg +200 +200 +200 +200 Sescysenyr 1970-08 1/3 2N 2819 * 2N 2820 * 2N 2821 * 2N 2822 * Caractristiques gnrales @ tease = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics ( Sauf indications contraires ) (Unless otherwise specified) Paramtra Conditions de mesure Min. |). Typ. | Max. Parameter Test conditions Mia, Typ. | Max. Ver=-15V BE ' Veg =80 V 2N 2819 2 Ver=-15V BE : Veg =100V 2N 2820 2 Vee=-15V BE ' Vog=150V 2N 2821 2 1... Voer=-15bV BE ' Veg =200 V 2N 2822 2 Veg=-15V Courant rsiduel colfecteur-metteur Voe=80 v 2N 2819 I 0 mA Collector-emitter cut-off current toase | 50C CEX Vee=-15 v Veg = 100 V 2N 2820 20 toase= 180C Vee=15 Vv Veg=150V 2N 2821 20 toase 150C VBE =-1,5V Veg = 200 V 2N 2822 20 tease 190C at . I =0 Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-aff current Vep= 10V 'EBO 0,25 | mA | ON 2819 80 Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 2N 2820 Vv * 100 Vv Collector-emitter breakdown vaitage ic =100 mA 2N 2821 {BR}CEO} 150 2N 2822 200 Valeur statique du rapport du transfert I =15 direct du courant. c A hore 10 50 Static forward current transfer ratio Vop=3 Vv * (mpulsions t,=300us 5 < 2% Pulsed id 2/3 * 2N 2819 * 2N 2820 * 2N 2821 * 2N 2822 Caractristiques gnrales General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics a tease = 25C Paramtre Conditions de mesure Mia. | Typ: |: Max. Parameter Test conditions Min: Typ, |) Max. Tension de saturation co!llecteur-metteur Io =15A Var 15 Vv Collector-emitter saturation voltage lp =2,2A CEsat . - , | =15A Tension de saturation base-metteur c Vv * 25 Vv Base-emitter saturation voltage lp =2,2A BEsat ' ae : . * I tsi t= Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Imputsions t)=300us 8 < 2% Dynamic characteristics {for small signals} : d lo =15A rquence de transition Transition frequency Voe=3 Vv fT 0,6 MHz f =1MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics Temps de croissance le ~15A t 3,5 us ise time py 222A r Temps total dtablissement Ig SISA treet 35 us Turn-on time ay 222A a'r , lo ISA Retard a la dcroissance ~ Storage time 'B4 2,2 A ty 6 us pg -2.2A lo =15A Temps de dcroissance ~ Fall time By 228 4 6 HS Igo z2,2A Ic x15A Temps total de coupure I 222A Turn-off time BI Ti+ ts 12 Bs Igo ~-2,2A Caracteristiques thermiques Thermal characteristics | Rsistance thermique, jonction-boitier Ro | 1 lecav | Thermal resistance, junction to case th (j-c) l 3/3