Power TOPLED(R) Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Besondere Merkmale * Gehausetyp: weies P-LCC-4 Gehause * Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand * Wellenlange: 469 nm (blau), 503 nm (verde), 524 nm (true green) * Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120) * Technologie: InGaN * optischer Wirkungsgrad: 2 lm/W (blau), 6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green) * Gruppierungsparameter: Lichtstarke, Wellenlange * Verarbeitungsmethode: fur alle SMT-Bestucktechniken geeignet * Lotmethode: IR Reflow Loten und Wellenloten (TTW) * Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 * Gurtung: 8 mm Gurt mit 2000/Rolle, o180 mm oder 8000/Rolle, o330 mm * ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883 D, Method 3015.7 Features * package: white P-LCC-4 package * feature of the device: more brightness due to a lower thermal resistance * wavelength: 469 nm (blue), 503 nm (verde), 524 nm (true green) * viewing angle: Lambertian Emitter (120) * technology: InGaN * optical efficiency: 2 lm/W (blue), 6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green) * grouping parameter: luminous intensity, wavelength * assembly methods: suitable for all SMT assembly methods * soldering methods: IR reflow soldering and TTW soldering * preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 * taping: 8 mm tape with 2000/reel, o180 mm or 8000/reel, o330 mm * ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to MIL STD 883 D, Method 3015.7 Anwendungen * Ampelanwendung * Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten, Displays, Werbebeleuchtung, Allgemeinbeleuchtung) * Innenbeleuchtung im Automobilbereich (z.B. Instrumentenbeleuchtung, u. a.) * Ersatz von Kleinst-Gluhlampen * Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen, Fluchtwege, u.a.) * Signal- und Symbolleuchten * Scanner Applications * traffic lights * backlighting (LCD, switches, keys, displays, illuminated advertising, general lighting) * interior automotive lighting (e.g. dashboard backlighting, etc.) * substitution of micro incandescent lamps * marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.) * signal and symbol luminaire * scanners 2000-06-06 1 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Lichtstarke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 30 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 30 mA V (mlm) Ordering Code Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LB E673-N1P1-1 LB E673-P1Q2-1 LB E673-N1 LB E673-N2 LB E673-P1 LB E673-P2 LB E673-Q1 LB E673-Q2 blue colorless clear 28.0 ... 56.0 45.0 ... 112.0 28.0 ... 35.5 35.5 ... 45.0 45.0 ... 56.0 56.0 ... 71.0 71.0 ... 90.0 90.0 ... 112.0 120 (typ.) Q62703-Q4844 220 (typ.) Q62703-Q4890 95 (typ.) 120 (typ.) 150 (typ.) 190 (typ.) 240 (typ.) 300 (typ.) LV E673-Q2R2-1 LV E673-R2T1-1 LV E673-Q2 LV E673-R1 LV E673-R2 LV E673-S1 LV E673-S2 LV E673-T1 verde colorless clear 90 ... 180 140 ... 355 90 ... 112 112 ... 140 140 ... 180 180 ... 224 224 ... 280 280 ... 355 390 (typ.) Q62703-Q4848 700 (typ.) Q62703-Q4894 300 (typ.) 380 (typ.) 480 (typ.) 600 (typ.) 760 (typ.) 950 (typ.) LT E673-R1S1-1 LT E673-S1T2-1 LT E673-R1 LT E673-R2 LT E673-S1 LT E673-S2 LT E673-T1 LT E673-T2 true green colorless clear 112 ... 224 180 ... 450 112 ... 140 140 ... 180 180 ... 224 224 ... 280 280 ... 355 355 ... 450 490 (typ.) Q62703-Q4854 880 (typ.) Q62703-Q4898 380 (typ.) 480 (typ.) 600 (typ.) 760 (typ.) 950 (typ. 1200 (typ.) Farbe der Lichtaustrittsflache Color of the Light Emitting Area Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinpragedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von 11 % ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of 11 %. -1 Farbselektiert nach Wellenlangengruppen (siehe Seite 4). -1 Color selection acc. to Wavelength groups (see page 4) 2000-06-06 2 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value LB Einheit Unit LV, LT Betriebstemperatur Operating temperature range Top - 40 ... + 100 C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg - 40 ... + 100 C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj Durchlastrom Forward current IF 30 Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.1 IFM t.b.d. A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Leistungsaufnahme Power dissipation Ptot 130 mW 300 K/W 130 K/W Warmewiderstand Thermal resistance Rth JA Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Rth JS Sperrschicht/Lotpad Junction/solder point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgroe 16 mm 2) mounted on PC board FR 4 (pad size 16 mm 2) 2000-06-06 3 + 110 + 125 C mA OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LB LV LT Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 30 mA (typ.) peak 464 501 520 nm Dominantwellenlange1) Dominant wavelength1) IF = 30 mA (typ.) dom 469 7 503 8 525 10 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 30 mA (typ.) 25 30 33 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV (typ.) 2 120 120 120 Grad deg. Durchlaspannung Forward voltage IF = 30 mA (typ.) (max.) VF VF 3.7 4.3 3.5 4.3 3.5 4.3 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 A A Temperaturkoeffizient von peak Temperature coefficient of peak IF = 30 mA (typ.) TCpeak 0.04 0.03 0.04 nm/K Temperaturkoeffizient von dom Temperature coefficient of dom IF = 30 mA (typ.) TCdom 0.02 0.02 0.03 nm/K Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 30 mA (typ.) TCV - 2.9 - 3.2 - 3.6 mV/K Optischer Wirkungsgrad Optical efficiency IF = 30 mA (typ.) opt 2 6 8 lm/W 1) Wellenlangengruppen / Wavelength groups Gruppe Group min. max. min. max. min. max. 3 463 467 497 501 516 522 4 467 471 501 505 522 528 5 471 475 505 509 528 534 2000-06-06 blue verde Wellenlangengruppen werden mit einer Stromeinpragedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von 1 nm ermittelt. true green Wavelength groups are tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of 1 nm. 4 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative Spectral Emission V() = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00492 100 I rel % 80 V 60 blue verde true green 40 20 0 400 450 500 550 650 600 nm 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation Characteristic 40 30 20 10 0 OHL01660 1.0 0.8 50 0.6 60 0.4 70 0.2 80 0 90 100 1.0 2000-06-06 0.8 0.6 0.4 0 20 5 40 60 80 100 120 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Durchlastrom IF = f (VF) Forward Current TA = 25 C Relative Lichtstarke IV/IV(30 mA) = f (IF) Relative Luminous Intensity TA = 25 C OHL00495 10 2 mA IF 5 OHL00686 10 1 IV I V (30 mA) 10 1 10 0 5 5 blue verde, true green 10 0 blue verde true green 10 -1 5 5 10 -1 2 2.5 3 3.5 4 10 -2 10 -1 4.5 V 5 10 0 10 1 mA 10 2 IF VF Maximal zulassiger Durchlastrom IF = f (T) Max. Permissible Forward Current Maximal zulassiger Durchlastrom IF = f (T) Max. Permissible Forward Current OHL00862 40 mA IF 35 OHL01088 40 mA 35 IF 30 30 25 25 blue 20 blue verde, true green verde, true green 20 15 15 10 10 5 5 TA temp. ambient 0 0 20 40 TS temp. solder point 60 0 80 C 100 20 40 60 80 C 100 T T 2000-06-06 0 6 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Dominante Wellenlange dom = f (IF) Dominant Wavelength LB, TA = 25 C Relative Lichtstarke IV/IV(25 C) = f (TA) Relative Luminous Intensity IF = 30 mA OHL00870 1.2 OHL00500 472.5 dom nm IV I V (25 C) 471.5 0.8 471.0 0.6 470.5 blue 0.4 470.0 0.2 0 -10 469.5 10 30 50 70 469.0 C 100 0 10 20 30 IF TA Dominante Wellenlange dom = f (IF) Dominant Wavelength LV, TA = 25 C Dominante Wellenlange dom = f (IF) Dominant Wavelength LT, TA = 25 C OHL00503 511 nm dom 510 40 mA 50 OHL00882 541 nm dom 539 537 509 535 508 533 507 verde 531 true green 506 529 505 527 504 525 503 523 502 0 10 20 30 521 40 mA 50 2000-06-06 0 10 20 30 40 mA 50 IF IF 7 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Mazeichnung Package Outlines 3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083) 2.1 (0.083) 0.8 (0.031) 0.7 (0.028) 41 1.1 (0.043) C 0.1 (0.004) typ Package marking 0.5 (0.020) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 3.4 (0.134) 3.0 (0.118) C 0.9 (0.035) 0.6 (0.024) C (2.4 (0.094)) A 1.7 (0.067) 0.6 (0.024) 0.18 (0.007) 0.4 (0.016) 0.12 (0.005) GPLY6991 Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2000-06-06 8 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Lotbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lotprofil (nach IPC 9501) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501) OHLY0597 300 C T 250 240-245 C 10-40 s 200 183 C 120 to 180 s Ramp-down rate up to 6 K/s 150 Defined for Preconditioning: up to 6 K/s 100 Ramp-up rate up to 6 K/s 50 Defined for Preconditioning: 2-3 K/s 0 0 50 100 150 200 s 250 t 2000-06-06 9 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Wellenloten (TTW) TTW Soldering (nach CECC 00802) (acc. to CECC 00802) OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve norm kurve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskuhlung forced cooling 0 0 50 100 150 200 s 250 t 2000-06-06 10 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Empfohlenes Lotpaddesign Recommended Solder Pad IR Reflow Loten IR Reflow Soldering 3.3 3.3 0.4 2.6 1.5 4.5 7.5 0.5 1.1 Padgeometrie fur verbesserte Warmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Kathoden Markierung / Cathode marking Cu Flache / 12 mm 2 per pad Cu-area Lotstoplack Solder resist OHLP0439 2000-06-06 11 OPTO SEMICONDUCTORS LB E673, LV E673, LT E673 Empfohlenes Lotpaddesign Recommended Solder Pad Wellenloten (TTW) TTW Soldering 3.5 6.1 Bewegungsrichtung der Platine PCB-direction 3 2 6 8 1 2 2 3.5 1.5 2.8 0.5 2.8 7.5 Padgeometrie fur verbesserte Warmeableitung Cu Flache / > 12 mm 2 per pad Cu-area Paddesign for improved heat dissipation Lotstoplack Solder resist OHA00583 Gurtung / Polaritat und Lage Verpackungseinheit 2000/Rolle, o180 mm oder 8000/Rolle, o330 mm Method of Taping / Polarity and Orientation Packing unit 2000/reel, o180 mm or 8000/reel, o330 mm 4 1.75 2 C C A 12 C 3.6 5.5 1.5 2.9 8 2000-06-06 12 OHAY0536 OPTO SEMICONDUCTORS