LVE673-Q2 - Infineon Technologies

LB E673, LV E673, LT E67 3

Power TOPLED®

Hyper-Bright LED

2000-06-06 1 OPTO SEMICONDUCTORS

Besondere Merkmale

•Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse

•Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

einen geringen thermischen Widerstand

•Wellenlänge: 469 nm (blau), 503 nm (verde),

524 nm (true green)

•Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)

•Technologie: InGaN

•optischer Wirkungsgrad: 2 lm/W (blau),

6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)

•Gruppierungsparameter: Lichtstärke,

Wellenlänge

•Verarbeitungsmethode: für alle

SMT-Bestücktechniken geeignet

•Lötmethode: IR Reflow Löten und

Wellenlöten (TTW)

•Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2

•Gurtung: 8 mm Gurt mit 2000/Rolle, ø180 mm

oder 8000/Rolle, ø330 mm

•ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach

MIL STD 883 D, Method 3015.7

Anwendungen

•Ampelanwendung

•Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,

Displays, Werbebeleu chtung ,

Allgemeinbeleuchtung)

•Innenbeleuchtung im Automobilbereich

(z.B. Instrumentenbeleuchtung, u. ä.)

•Ersatz von Kleinst-Glühlampen

•Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,

Fluchtwege, u.ä.)

•Signal- und Symbolleuchten

•Scanner

Features

•package: white P-LCC-4 package

•feature of the device: more brightness due to

a lower thermal resistance

•wavelength: 469 nm (blue), 503 nm (verde),

524 nm (true green)

•viewing angle: Lambertian Emitter (120°)

•technology: InGaN

•optical efficiency: 2 lm/W (blue),

6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)

•grouping parameter: luminous intensity,

wavelength

•assembly methods: suitable for all

SMT assembly methods

•soldering methods: IR reflow soldering and

TTW soldering

•preconditioning: acc. to JEDEC Level 2

•taping: 8 mm tape with 2000/reel, ø180 mm or

8000/reel, ø330 mm

•ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to

MIL STD 883 D, Method 3015.7

Applications

•traffic lights

•backlighting (LCD, switches, keys, displays,

illuminated advertising, general lighting)

•interior automotive lighting (e.g. dashboard

backlighting, etc.)

•substitution of micro incandescent lamps

•marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)

•signal and symbol luminaire

•scanners

2000-06-06 2 OPTO SEMICONDUCTORS

LB E673, LV E673, LT E673

Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 %

ermittelt.

Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %.

-1 Farbselektiert nach Wellenlängengruppen (siehe Seite 4).

-1 Color selection acc. to Wavelength groups (see page 4)

Typ

Type

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

Light Emitting

Area

Lichtstärke

Luminous

Intensity

IF = 30 mA

IV (mcd)

Lichtstrom

Luminous

Flux

IF = 30 mA

ΦV (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LB E673-N1P1-1

LB E673-P1Q2-1

LB E673-N1

LB E673-N2

LB E673-P1

LB E673-P2

LB E673-Q1

LB E673-Q2

blue colorless clear 28.0 ... 56.0

45.0 ...112.0

28.0 ... 35.5

35.5 ... 45.0

45.0 ... 56.0

56.0 ... 71.0

71.0 ... 90.0

90.0 ...112.0

120 (typ.)

220 (typ.)

95 (typ.)

120 (typ.)

150 (typ.)

190 (typ.)

240 (typ.)

300 (typ.)

Q62703-Q4844

Q62703-Q4890

LV E673-Q2R2-1

LV E673-R2T1-1

LV E673-Q2

LV E673-R1

LV E673-R2

LV E673-S1

LV E673-S2

LV E673-T1

verde colorless clear 90 ...180

140 ...355

90 ...112

112 ...140

140 ...180

180 ...224

224 ...280

280 ...355

390 (typ.)

700 (typ.)

300 (typ.)

380 (typ.)

480 (typ.)

600 (typ.)

760 (typ.)

950 (typ.)

Q62703-Q4848

Q62703-Q4894

LT E673-R1S1-1

LT E673-S1T2-1

LT E673-R1

LT E673-R2

LT E673-S1

LT E673-S2

LT E673-T1

LT E673-T2

true green colorless clear 112 ...224

180 ...450

112 ...140

140 ...180

180 ...224

224 ...280

280 ...355

355 ...450

490 (typ.)

880 (typ.)

380 (typ.)

480 (typ.)

600 (typ.)

760 (typ.)

950 (typ.

1200 (typ.)

Q62703-Q4854

Q62703-Q4898

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 3 OPTO SEMICONDUCTORS

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

LB LV, LT

Betriebstemperatur

Operating temperature range Top – 40 … + 100 °C

Lagertemperatur

Storage temperature range Tstg – 40 … + 100 °C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature Tj+ 110 + 125 °C

Durchlaßstrom

Forward current IF30 mA

Stoßstrom

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.1

IFM t.b.d. A

Sperrspannung

Reverse voltage VR5V

Leistungsaufnahme

Power dissipation Ptot 130 mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht/Umgebung

Junction/ambient

Sperrschicht/Lötpad

Junction/solder point

Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße ≥ 16 mm 2)

mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm 2)

Rth JA

Rth JS

300

130

K/W

2000-06-06 4 OPTO SEMICONDUCTORS

LB E673, LV E673, LT E673

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Werte

Values Einheit

Unit

LB LV LT

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)

Wavelength at peak emission

IF = 30 mA

λpeak 464 501 520 nm

Dominantwellenlänge1) (typ.)

Dominant wavelength1)

IF = 30 mA

λdom 469

± 7 503

± 8 525

± 10 nm

Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)

Spectral bandwidth at 50 % Irel max

IF = 30 mA

∆λ 25 30 33 nm

Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) (typ.)

Viewing angle at 50 % IV

2ϕ120 120 120 Grad

deg.

Durchlaßspannung (typ.)

Forward voltage (max.)

IF = 30 mA

3.7

4.3 3.5

4.3 V

Sperrstrom (typ . )

Reverse current (max.)

VR = 5 V

0.01

10 0.01

10 µA

µA

Temperaturkoeffizient von λpeak (typ.)

Temperature coefficient of λpeak

IF = 30 mA

TCλpeak 0.04 0.03 0.04 nm/K

Temperaturkoeffizient von λdom (typ.)

Temperature coefficient of λdom

IF = 30 mA

TCλdom 0.02 0.02 0.03 nm/K

Temperaturkoeffizient von VF(typ.)

Temperature coefficient of VF

IF = 30 mA

TCV– 2. 9 – 3.2 – 3.6 mV/K

Optischer Wirkungsgrad (typ.)

Optical efficiency

IF = 30 mA

ηopt 268lm/W

1) Wellenlängengruppen / Wavelength groups

Gruppe

Group blue verde true green Wellenlängengruppen werden mit einer

Stromeinprägedauer von 25 ms und einer

Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.

min. max. min. max. min. max.

3 463 467 497 501 516 522 Wavelength groups are tested at a current

pulse duration of 25 ms and an accuracy

of ±1 nm.

4 467 471 501 505 522 528

5 471 475 505 509 528 534

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 5 OPTO SEMICONDUCTORS

Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA

Relative Spectral Emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)

Radiation Characteristic

400

true green

550450 500 600 650 nm

700

OHL00492

100

rel

verde

blue

0.2

0.4

1.0

0.8

0.6

1.0 0.8 0.6 0.4

0˚10˚20˚40˚ 30˚

OHL01660

50˚

60˚

70˚

80˚

90˚

100˚ 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 6 OPTO SEMICONDUCTORS

Durchlaßstrom IF = f (VF)

Forward Current

TA = 25 °C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T)

Max. Permissible Forward Current

Relative Lichtstärke IV/IV(30 mA) = f (IF)

Relative Luminous Intensity

TA = 25 °C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T)

Max. Permissible Forward Current

OHL00495

10-1 2.5 3 3.5 4 4.5 V 5

102

true green

verde,

blue

OHL00862

˚C

20 40 60 80 100

verde,

true green

blue

temp. ambient

OHL00686

-2

-1

10 10

10mA

V (30 mA)

true green

verde

blue

OHL01088

0020 40 60 80 ˚C 100

temp. solder point

true green

verde,

blue

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 7 OPTO SEMICONDUCTORS

Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)

Relative Luminous Intensity

IF = 30 mA

Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)

Dominant Wavelength

LV, TA = 25 °C

Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)

Dominant Wavelength

LB, TA = 25 °C

Dominante Wellenlänge λdom = f (IF)

Dominant Wavelength

LT, TA = 25 °C

OHL00870

-10

V (25 ˚C)

˚C

10 30 50 70 100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

OHL00503

502

dom

10 20 30 40 mA 50

503

504

505

506

507

508

509

510

511

verde

OHL00500

469.0

dom

10 20 30 40 mA 50

469.5

470.0

470.5

471.0

471.5

472.5

blue

OHL00882

521

dom

10 20 30 40 mA 50

523

525

527

529

531

533

535

537

541

true green

539

2000-06-06 8 OPTO SEMICONDUCTORS

LB E673, LV E673, LT E673

Maßzeichnung

Package Outlines

Maße werden wi e fo lgt angegeben: mm (inch) / Dimensio ns are s pecified as follow s: m m (inc h).

marking

Package

4˚±1

GPLY6991

0.8 (0.031)

0.6 (0.024)

2.6 (0.102)

2.1 (0.083)

2.3 (0.091)

3.0 (0.118)

3.4 (0.134)

3.0 (0.118)

(2.4 (0.094))

0.5 (0.020)

1.1 (0.043)

3.7 (0.146)

3.3 (0.130)

0.12 (0.005)

0.18 (0.007)

0.1 (0.004) typ

0.4 (0.016)

0.6 (0.024)

0.9 (0.035)

0.7 (0.028)

2.1 (0.083)

1.7 (0.067)

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 9 OPTO SEMICONDUCTORS

Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2

Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2

IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 9501)

IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501)

OHLY0597

050 100 150 200 250

100

150

200

250

300

˚C

240-245 ˚C

10-40 s

183 ˚C

120 to 180 s

Defined for Preconditioning: up to 6 K/s

Ramp-down rate up to 6 K/s

Ramp-up rate up to 6 K/s

Defined for Preconditioning: 2-3 K/s

2000-06-06 10 OPTO SEMICONDUCTORS

LB E673, LV E673, LT E673

Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)

TTW Soldering (acc. to CECC 00802)

OHLY0598

050 100 150 200 250

100

150

200

250

300

235 C

10 s

C... 260

1. Welle

1. wave

2. Welle

2. wave

5 K/s 2 K/s

ca 200 K/s

CC... 130100

2 K/s Zwangskühlung

forced cooling

Normalkurve

norm kurve

Grenzkurven

limit curves

LB E673, LV E673, LT E673

2000-06-06 11 OPTO SEMICONDUCTORS

Empfohlenes Lötpaddesign IR Reflow Löten

Recommended Solder Pad IR Reflow Soldering

OHLP0439

Padgeometrie für

v erbesserte Wärmeableitung

improved heat dissipation

Paddesign for

Lötstoplack

Solder resist

1.1

4.5

1.5

2.6

3.3

0.5

7.5

3.3

0.4

Cathode marking

Kathoden Markierung / Cu Fläche / 12 mm per pad

Cu-area ≥

2000-06-06 12 OPTO SEMICONDUCTORS

LB E673, LV E673, LT E673

Empfohlenes Lötpaddesign Wellenlöten (TTW)

Recommended Solder Pad TTW Soldering

Gurtung / Polarität und Lage Verpackungseinheit 2000/Rolle, ø180 mm

oder 8000/Rolle, ø330 mm

Method of Taping / Polarity and Orientation Packing unit 2000/reel, ø180 mm

or 8000/reel, ø330 mm

OHA00583

6.1 2.8

3.5

1.52

3.51

2.8 0.5

7.5

Solder resist

Lötstoplack

PCB-direction

Bewegungsrichtung

der Platine

Padgeometrie für

improved heat dissipation

verbesserte Wärmeableitung

Paddesign for

Cu Fläche / > 12 mm per pad

Cu-area

OHAY0536

1.5 2 4

5.5

3.6

12 1.75

2.9