Transistor PNP silicitum Homobase PNP silicon transistor Homobase Complmentaire du 2N 3442 Complementary of 2N 3442 *BDX 20 - Amplification BF grands signaux de puissance LF large signal power amplification - Commutation fort courant High current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (w W7 90 60 30 0 50, 100) 150) 200 teage (PC) * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Vceo 140 V Ic -10 A Prot 117 W Rh (ic) 1,5C/W max. hoqe (3 A) 20 - 70 fr 0,8 MHz min. Boitier TO-3 Case Le collecteur est reli au boitier Colfector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tpase = 25C Absolute ratings (limiting values) Ses sem Parambtre Parameter Tension collecteur-base Collector-base voltage VeBo 160 v Tension collecteur-metteur = Collector-emitter voltage Vee =+15V Vcex 160 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Vceo 140 Vv Tension metteur-base V 7 V Emitter-base voltage EBO ~ Courant collecteur Collector current Io 10 A Courant base Base current 'p 7 A Dissipation de puissance Power dissipation Prot 117 w Temprature de jonction Junction temperature max. y 200 c Temprature de stockage min. t 6 Storage temperature max. stg +200 c 1970-10 1/2 BDX 20* Caractristiques gnrales @ tease = 25C General characteristics { Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified} Caractristiques statiques Static characteristics Courant rsiduel collecteur-base l ~1 mA Collector-base cut-off current Vop=t40 Vv CBO Ver =15V BE _ 4 Veg*40V Courant rsiduel collecteur-metteur Collector-emitter cut-off current Vee 715 V IcEx mA Veg =-140 V 10 Tease 7 150C Courant rsiduel metteur-base Ig =0 1. 5 | mA Emitter-base cut-off current Veg =7V EBO Ver =15V BE": * io =-0,1A Vipricex| ~ 160 Tension de claquage collecteur-metteur Vv Collector-emitter breakdown voltage a ip 0 Vv at 140 Io =-0,2A {BR)CEO| Valeur statique du rapport du transfert lo =-3A direct du courant Ver =-4V hoe 20 70 Static forward current transfer ratio CE < . \ =-3 A Tension base-metteur c ~ Base-emitter voltage Vee =4A Vee 1,7 v Tension de saturation collecteur-metteur Ig =-3A Vv 1 Vv Collector-emitter saturation voltage Ig =-O034 CEsat * Impulsions t,=300us 8 < 2% Cc Arist} d i i i Pulsed p aracteristiques dynamiques {pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smalt signals} Frquence de transition IG actA Transition frequency Voce =-10V fy 0,8 MHz Caractristiques thermiques Thermal characteristics Rsistance thermique, jonction-boitier Thermal resistance, junction to case Ren tic) 15 )C/w 2/2