VPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL * BC 307 BC 308 BC 309 ok Preferred device Dispositif recommand 3C 309 and BC 308 transistors are intended or use in audio frequency preamplifier and friver stages. BC 309 is intended for low 45V BC 307 loise input stage. VcEo 25V BC 308 -0s transistors BC 307 et BC 308 sont destins sux 20V BC 309 tages pramplificateur et driver basse frquence, e BC 309 est prvu pour les teges dentre & I Cc 100 mA aible bruit. F 4dB max. BC 309 Vaximum power dissipation Plastic case F 139 B- See outline drawing CB-76 on last Pages dissipation de puissance maximale Boltier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages "rot iw) Bottom view 0,2 Vue de dessous Ge _ B 0,1 Weight : 0,3 g. 25 80 75 100 125 Tamp! C) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} BC 307 BC 308 BC 309 Collector-emitter voltage Vv _ _ _ Tension collecteur-metteur cEO 45 25 20 Vv Collector-emitter voltage Vces -50 -30 25 Vv Tension collecteur-metteur Emitter-base voltage Vv ~ - - Tension metteur-base EBO 5 5 5 v Collector current ! - - - Courant collecteur Cc 00 100 100 mA Peak collector current | 2 _ _ Courant de erdte de collecteur CM 200 200 200 mA Base current I - - Courant base B 50 50 50 mA Power dissipation P Dissipation de puissance tot 300 300 300 mw Junction temperature T. Temprature de jonction J 150 180 150 c Storage temperature min. T 55 ~55 55 c Temprature de stockage max. stg +150 +150 +150 c 76-03 1/6 THOMSON-CSF DMIRION SEMICONDUCTEVRS 367BC 307, BC 308, BC 309 STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 25C (Unless otherwise state: CARACTERISTIQUES STATIQUES {Sauf indications contraire Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voce = ~20V BC 307 -2 100 Vee =0 Collector-emitter cut-off current Voge = ~-20V logs BC 308 -2 -100 Courant rsiduel collecteur-metteur Vee =0 BC 309 -2 -100 Veg =20V Vee =0 4 o Tamb= 125 Coll itter breakel Io =72ma ae | aoe ollector-emitter breakclown voltage = Vv _ Tension de claquage collecteur-metteur Ip =O (BR)CEO aC oe * { =10uA BC 307 | -50 Collector-emitter breakdown voltage Cc FTL ViBRICES Bc 308 | 30 Tension de claquage collectour-metteur Vee =:0 BC 309 25 . | =10 pA Emitter-base breakdown voltage E iv _ Tension de claquage metteur-base lo =0 ({BR)EBO 5 vi 20 | =0,01 mA Veg =-5V A 40 cE B 66 Static forward current transfer ratio Io =-2mA h * vi 65 150 Valeur statique du rapport ce transfert Vac =-5V 21E A 110 240 direct du courant CE =~ B 200 480 { =~100 mA vl 70 Vue =-5V A 120 CET B 200 Iq =-10mA 0,1 -02 - Ip =-0,5 mA ' Collector-amitter saturation voltage Voce t Tension de saturation collectaur-metteur I =100 mA sa c -0,3 ~0,95 Ig =- mA Iq =-10mA 0 . . Ip =~0,5 mA -0,7 -0,8 Base-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation bese-metteur in =-100mA BEsat c 0,85 1,2 Ip =-SmA " ' Base-emitter voltage Ig =-2mA VBE 0,55 0,62 -0,7 Tension base-dmectteur Vog =-5 V *The transistor BC 307 is grouped in two classes of DC gain VI-A Le transistar BC 307 est subdivisd en deux classes de gain statique Vi -A The transistor BC 308 is grouped in three classes of DC gain Vi-A-B Le transistor 8C 308 est subdivis en trois classes de gain statique Vi-A-B The transistor BC 309 is grouped in two classes of DC gain A - B Le transistor 8C 309 est subdivis en deux classes de gain statique A- 8 2/6 368BC 307, BC 308, BC 309 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Tamb = 25C (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition f Vce= -5V transition frequency =- Frquence de transition Io =-10mA fy 150 300 MHz f = 100MHz . Output capacitance Vopo =~ 10 V C. Capacit de sortie f =-1MHz 22b 4 6 pF Vcg=5V Iq =-0,2mA BC 307 2 10 dB Rg =2kQ BC 308 2 10 dB Noise figure f =t1kHz F BC 309 2 4 dB Facteur de bruit Aft =200Hz f =120Hz BC 309 10 dB F d f Veg=-5V vi 75 150 orward current transfer ratio Rapport de transfert direct du courant Ic =-2mA hoy er A 125 260 f =1kHz B 240 500 ' Vog=5V vi 0,4 2,2 kQ nput impedance Io =-2mA h A 1,2 4,5 kQ impdance dentre Cc te ' + nce Mentr f =1 kHz B 3 8 kQ Reve oltage transfi ti Vce~ 5 vl 280 t08 rse voitage transfer ratio _ h " Rapport de transfert inverse de ia tension Ig =-2mA 12e A 300 107 f =1kHz B 350 10 Output admittance Voe7 6V h. vl aes us utpu itta a Admittance de sartie Io =2mA 22e A 25 50 HS f =1kHz B 35 70 us THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rana. Rsistance thermique (jonction-ambiante)} th(j-a} 420 c/w The transistor BC 307 is grouped in two classes of small signal current gain VI -A Le transistor BC 307 est subdivis en deux classes de gain dynamique VI -A The transistor BC 308 is grouped in three classes of small signal current gain VI-A-B Le transistor BC 308 est subdivis en trois classes de gein dynamique Vi-A-B The transistor BC 309 is grouped in two classes of small signal current gain A - B Le transistor BC 309 est subdivis en deux classes de gain dynamique A - 8 3/6 369BC 307, BC 308, BC 309 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 0 02 04 O06 08 VYee lV) 0 02 O4 06 08 Yee') -v CEsat (v) | Ig/lg =10 0,3 0,2 y 0,1 ee a 0 68 2 468 2 468 2 4 107 10 10! =I (ma) 4/6 370BE 307, BC 308, BC 309 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES ~VeEsat Vv) 0,6 0,4 0,2 0 2 468 10! 2 468 2 4268 10 10! =I ima) DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Copo C11 (oF) (pF) 16 16 12 12 8 8 4 4 0 0 0 4 B12, 16 Viggo (V) 0 1 2 3 4 ~VegolV! 5/6 371BC 307, BC 308, BC 309 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES F (dB) (dB) 2 2 2 2 6 2 5 2 66 2 65 13107 10108 tg tmay 10 1071 109 mtg tmay {d8) Veea=bV CE 2 f 310 kHz on & @ OO 2 8 2 5 2 6 2 #5 ws 107" OT 100" = 1gtma) 8 372