Doubles transistors NPN silicium 2N 2480 Planar pitaxiaux Dual NPN silicon transistars Epitaxial planar 2N 2480 A - Amplification diffrentielle Differential amplification - Modle double des transistors lmentaires 2N 1613 et 2N 1711 Dual model of elementary transistors 2N 1613 and 2N 1711 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation p Prot *E Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Vee 40 V Ic 500 mA hope (1 mA) | 30-350 2N 2480 AVp_(1 mA) 50-200 2N 2480 A 10 mV max. 2N 2480 5 mV max. 2N 2480 A (w) \ (4) . 15 -}-+ po Boitier F 100 , Case 1 N (3) L-4 loN epg Ls | (1 PS tambl2C) (2) 0 50 10 150-200 tease (C) (3)(4) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp=25C ; Absolute ratings (limiting values) (Sauf indications Gontraires Paramatre Parameter 2N 2480 2N 2480 A Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 7 80 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage YcEo 40 40 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VEBO 5 5 Vv Courant colfecteur Collector current lo 500 500 mA _opoe | lment (1) 0,3 0,3 tam 70 CF ements (2) 0,6 06 Dissipation de puissance P. n Ww Power dissipation 1lment (3) tot 1 1 t =25C __-___~_- case 2 lments (4) 2 2 Temprature de jonction max. t Junction temperature J 200 200 c Temprature de stockage min t 65 65 oc Storage temperature max stg +200 +200 1970-05 1/3 Sescasen 2N 2480 2N 2480 A Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics (Sauf indications contraires} (Unless otherwise specified) Caractristiques dappariement Matching characteristics Condition dappariement du rapport de Vee = Pan Al transfert direct du courant h Static forward current transfer ratio balance I c =tmA 21E2 {note 1} 08 1 Voce = 5V lo = 100 nA 2N 2480 Al 5 Vee = 5 V Tension diffrentielle base-metteur CE 2N 2480 Mees - 10 mV Base-emitter voltage differential ic =1mA LN 2480 Al BE1 "BE2 5 Voge = 5 V 2N 2480 10 Coefficient de temprature de la tension Ie = 100 nA Aly diffrentielle base-metteur Vee =5V Aber peal 15 |uv/c Base-emitter valtage differential temperature At b gradient 55 C<tombs 125C am Note 1 hoqe4 est le plus petit des deux Hote mesurs The lowest ore reading is taken as Noy Er Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor le = 0 2N 2480 50 A n Vep = 80V PN 24804 20 Courant rsiduel collecteur-base 1 | =0 CBO Collector-base cut-off current E Vos =30V 15 BA tamb = 150C Courant rsiduel metteur-base 'c = 2N 2480 | 50 nA Emitter-base cut-off current Veg =5V LN 2480 Al EBO 20 Tension de claquage collecteur-base 'e =o 2N 2480 Vv 78 Vv Collector-base breakdown voltage le = 100 vA 2N 2480 Al (BR)CBO 80 Tension de claquage collecteur-metteur ig = * Collector-emittor Sreakdawn voltage. le = 20 mA V(BRICEO 40 v Tension de claquage metteur-base le - Emitter-base breakiown voltage te =50 nA V(BRIEBO 5 v * imputsi t= pmpul sions ty 300us 5 < 2% 2/3 2N 2480 2N 2480 A Caractristiques gnrales 4 tamh = 25C General characteristics Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor Ig = 100 nA 2N 2480 Valeur statique du rapport du transfert Voce =5V 2480 direct du courant hore Static forward current transfer ratio Ie =1mA 2N 2480 Tension de saturation collecteur-metteur Collector-emitter saturation voltage Tension de saturation base-metteur Base-emitter saturation voltage Voge =5V Iq =50mA Ip =5mA Iq = 50mA Ip =5 mA Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) 2480 2N 2480 2480 2N 2480 2480 CEsat VeEsat Af =1Hz f = 1 kHz Rapport de transfert direct du courant | =1mA Foneard current transfer ratio v =BV ZN 2480 AJ hote 50 300 CE f = IkHz h 20 3 1 2 Impdance dentre le =1mA PN 2480 A 1b input impedance _ _ h Veg =Vce =5 Vi ile 1 5 kQ f = 1 kHz Admittance de sortie ! z1mA Output admittance < _ 5V h22e 4 16 us CE Ig =50mA Frquence de transition _ Traneition frequency Vee =10V fy 50 MHz f = 20 MHz Capacit de sortie Vee =10v 2N 2480 20 Output capacitance le =0 Coop pF f =1MHz i2N 2480 Al 18 Ven =05V . EB B Capacit dentre Input capacitance lo =0 2N 2480 A Cy 1b 85 pF f = 1 MHz Io = 0,3mA Facteur de bruit Vee =10v acteur de brui Noise figure R G 7 5102 I2N 2480 Aj F 8 dB f =1kHz 3/3