NP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR RANSISTORS PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX ompl. of BC 337 and BC 338 *BC 327 BC 328 ok Preferred device he BC 327 and BC 328 transistors are intended for a ide variety of medium power AF amplifier and swit- ring application ; they are particulary useful as eflexion stage driver, AF output amplifier up to 2 W, river in Hi Fi amplifier. hey are available as matched pair togheter with their 1 PN complementary types BC 337 and BC 338. cM Dispositit recommand V 45 V BC 327 CEO -25V BC 328 -1,2A 9s transistors BC 327 et BC 328 sont destins aux usages Inraux & niveau moyen dans le domaine de lamplification isse frquence et de ia commutation, notamment : driver 6tage de balayage, driver dampli Hi Fi, tage de sortie BF f. squ 2W. T surs complmentairas NPN sont les 8C 337 et BC 338 avec squels ils peuvent tre apperis. hgq_(-100 mA) 100 .... 630 200 MHz laximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages issipation de puissance maximale Boitier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages "rot 0' (w} Bottom view Vue de dessous 0,6 F c E be \ (2) (1)Without heat sink 0,4 | \ Sans radi B ' I (2)See note page 3 | (1) Voir note page 3 0,2 + N Li Weight : 0,3 g. 50 100150 TIC) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25 C (Unless otherwise stated) (ALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISA TION amb (Sauf indications contraires} BC 327 BC 328 2ollector-emitter voltage "ension collecteur-metteur VcEo 45 25 v sollector-emitter voltage Vv - _ "ension collecteur-6metteur cES 50 30 Vv imitter-base volta "ension metteurben Vespo 5 5 Vv Zollector current Zourant collecteur lo 800 800 mA ?eak collector current Tourant de crte de collecteur om 1,2 1,2 A 3ase current lourant base Ig 100 ~100 mA ower dissipation See note page 3 P. 500 500 dissipation de puissance Voir note page 3 tot 625* g25* mw Junction temperature 7 Temprature de jonction max qj 150 150 c Storage temperature min T 65 65 C Temprature de stockage max stg +150 +150 C 76-01 1/5 THOMSON-CSF OMSION SEMICONDUCTEURS 379 Ses@esemn BC 327, BC 328 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated (Sauf indications contraires Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee= 45 V oF _ oo BC 327 2 100 n Collector-emitter cut-off current E ! Courant rsiduel collecteur-6metteur CES Vee= -25V I 0 BC 328 2 100 n E = BC 327 | -50 \ In = 100 uA c Xu Vv ig =0 (BR)CES BC 328 | -30 V Collector-emitter breakdown voltage Tension de claquage collecteur-metteur BC 327 | 45 V ia =-10mA c Vv Ip =0 (BR)CEO BC 328 | -25 Vv Collector-emitter saturation voltage Io = 500 mA ; Tension de saturation collectour-6metteur Ip = 50mA Voesat -0,7 Vv Base-emitter voltage Vog= -1V Vv _ . Tension base-metteur | c= +300 mA BE 1,2 v cl. 16 100 250 Vers 1V cer 100 mA cl.25 | 160 400 Static forward current transfer ratio le =- m hore Valeur statique du rapport de transfert direct du courant cl. 40 250 630 Vee= -1V CE Ig = -300 mA 40 ho 4 ratio for a matched pair Vce=1V ho1e1 Rapport de h>, pour une paire Iq = 100mA ho1E9 0,7 1,25 1,4 2/8 380 BC 327, BC 328 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) Tamb = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} ami (Sauf indications contraires) Test conditions | . Conditions da mesure Min. Typ. Max. Transition Voe= -8V ransition frequency - f. Frquence de transition Ic = 10mA T 200 MHz f = 100 MHz Ver= -10V Output capacitance cE Capacit de sortie le =0 2p 10 pF f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-bottier) Renij-a) 250 Cc/w Junction-ambient thermal resistance ; * Rsistance thermique (jonction-ambiante} Reh(j-a) 200 c/jw * When the transistor is mounted on a printed board with 3 mm connection and collector wire connected to a 1 em2 copper area. Lorsque /e transistor est mont sur un circuit imprim avec une fongueur de connexion de 3 mm et une Surface cuivre de 1 em? runie & la connexion collecteur. 3/5 381 BC 327, BC 328 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES hoe Veet (Vv) | A p= 10 VeEset ce ) (v} 1 / 320 A 0,8 | 240 rae ~~" BEsat 06 160 /| 0,4 f; 80 0,2 LS ~Vcesat Le 9 o 2 a 2 8 2 468 2 468 2 468 10 10" 10? =Ip (ma) 10! 102 =lg (ma) Vee {v) Vog2V 1 08 va am 0,6 0,4 0,2 0 1 2 4 68 2 2 68 10 10 =Ig (ma) 4/6 382 BC 327, BC 328 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Crt 22p (pF) | | | (PF) g 8 # =1MHz 6 leg =O 4 . N\ NA ; 4 N 10! N 8 N 2 4 2 0 10! = 10 ; 2 4 68 2 4 4 . 0 to" 10 Veg VI 10 (MHz) 300 250 200 150 100 3 101 Ig (ma) 5/5 383