NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICIUM, EPITAXIAL 2N 2369 A - HF small signal amplification Amplification HF petits signaux - Low current fast switching Commutation rapide faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (Ww) 1,2 ' (2) 08 l N : T I Ww 0,4 ! d PL) \ ~~ Teagel2C) (1) 50 100 = 180 TamplC) (2) Ic 200 mA hoqg (10 mA) 40 - 120 fr 500 MHz~=s min Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Voir dessin cot CB-6 dernires pages Boitier Weight : 0,329 Masse oO Bottom view Vue de dessous Collector is connected to case Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb = +25 C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am (Sauf indications contraires} Coliector-base voltage V, Tension collecteur-base CBO 40 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension coliecteur-metteur CES 40 Vv Collector-emitter voltage VcEeo 15 Vv Tension collecteur-metteur Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 45 Vv Collector current 'c 200 mA Courant collecteur ty = 10 ps lom 500 = 95 Power dissipation Tamb 26C (1) Prot 0,36 w Dissipation de puissance Tease =25C (2) 1,2 Junction temperature . Temprature de jonction max qj 200 c Storage temperature min T 65 Temprature de stockage max stg +200 c 75-43 1/6 THOMSON-CSF OMEN SEACONDUCTEURS 195 SesQesem2N 2369 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 20V Collector-base cut-off current te =O lego 5 30 BA Courant rsiduel collecteur-base = 150C Tamb Collector-emitter cut-off current Vee =0 loes 0.03 04 A Courant rsiduel collecteur-metteur Voce =20V ' , ui l =0 Collector-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage collecteur-base Io =10uA (BRICBO 40 Vv Voe =O BE V(BRICES 40 v , Io =10uA Collector-emitter breakdown voltage Tension de claquage collecteur-metteur | 0 B= Vv 3K le =10mA (BR)CEO 15 Vv Emitter-base breakdown voltage Ic = 0 ViBR)EBO 45 Vv Tension de claquage metteur-bese le =10pA Vee = 0.35 V 40 120 Ic =10mA Vee =tVv cE 40 120 ' =10mA Static forward current transfer ratio Veg = 0,4 V Valeur statique du rapport de transfert | =30mA h. * 30 650 direct du courant c =eNm 21E Veep =1V CE l c = 100 mA 20 35 Veg = 0,35 V Ico =10mA 20 Tamb = ~55C I = c = 10mA 0,16 0,2 Ig =1TmA Collector-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation collecteur-metteur le =10mA CEsat v Ip =1mA 0,18 0,3 Tamb= 128C * Pulsed tp =300us 5 < 2% impulisions 2/6 1962N 2369 A STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Canditions de mesure Min. Typ. Max. ic * sae 0,2 0,25 Collector-emitter saturation voltage B VcE sat Vv Tension de saturation collecteur-metteur I = 100 mA c Ip. =10mA 04 06 Ic = 10mA 0,70 0,85 Ip =1mA , , le =10mA ip =! mA 0,59 1,02 Base-emitter saturation voltage L55C