SFH 205 FA feof6647 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter New: Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications of 880 nm Short switching time (typ. 20 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geratefernsteuerungen Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications IR-remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote control of various equipment Photointerrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 205 FA Q62702-P1677 Semiconductor Group 1 1998-03-17 SFH 205 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 150 mW Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 60 ( 45) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 740 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.65 x 2.65 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip surface to case surface H 2.3 ... 2.5 mm Halbwinkel Half angle 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 ( 30) nA Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 C, = 870 nm) Characteristics LxW 1998-03-17 SFH 205 FA Kennwerte (TA = 25 C, = 870 nm) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity S 0.63 A/W Quantenausbeute Quantum yield 0.9 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 1 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 350 ( 280) mV Kurzschlustrom, Ee = 1 mW/cm2 Short-circuit current ISC 56 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 20 ns Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.03 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 4.0 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.6 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 1998-03-17 SFH 205 FA Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) OHF01430 100 OHF01097 A 10 4 mV 10 2 10 3 10 3 P Srel % Total power dissipation Ptot = f (TA) VO OHF00394 160 mW Ptot 140 80 70 VO 100 60 10 1 50 10 2 P 40 120 80 60 30 10 0 10 1 40 20 20 10 0 400 600 800 10 -1 0 10 1000 nm 1200 10 1 10 2 W/cm 2 10 0 10 4 0 0 20 40 60 Ee Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00081 100 C 80 C 100 TA OHF00082 10 3 R nA pF 80 10 2 70 60 10 1 50 40 30 10 0 20 10 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 C 100 TA Directional characteristics Srel = f () 40 30 20 10 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-03-17