Semiconductor Group 1 1998-03-17
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
New: Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen bei
880 nm
●Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●Especially suitable for applications of
880 nm
●Short switching time (typ. 20 ns)
●5 mm LED plastic package
●Also available on tape
Applications
●IR-remote cont rol of hi-fi and TV sets, vid eo
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
●Photointerrupters
SFH 205 FA
Maße i n mm, w enn nicht anders an gegeben/Dim ens ions in mm, unless ot herwise spec ifi ed.
feof6647
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 205 FA Q62702-P1677
SFH 205 FA
Semiconductor Group 2 1998-03-17
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR32 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
S60 (≥ 45) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ740 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.00 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.65 ×2.65 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
H2.3 ... 2.5 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
SFH 205 FA
Semiconductor Group 3 1998-03-17
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.63 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.9 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 1 mW/cm2
Open-circuit voltage VO350 (≥ 280) mV
Kurzschlußstrom, Ee = 1 mW/cm2
Short-circuit current ISC 56 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C072 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.03 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 4.0 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit D* 6.6 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 205 FA
Semiconductor Group 4 1998-03-17
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V, E = 0
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
E
OHF01097
e
0
10
P
Ι
10
1
10
2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
2
4
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
3
10
µ
W/cm
2
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00394
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
