NPN-Transistoren fur NF-Vorstufen und BCW 60 Schalteranwendung BCX 70 BCW 60 und BCX 70 sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren mit Plastikum- hillung 23 A3 DIN 41869 (SOT-23) fir NF-Vorstufen und Schalteranwendungen. Sie eignen sich besonders fir Dick- und Dinnfilmschaltungen. Beide Typen BCW 60 und BCX 70 werden durch den Buchstaben ,,A gekennzeichnet, der danebenstehende Buch- stabe (A, B, C oder D fiir den Typ BCW 60 und G, H, J oder K fir den Typ BCX 70) gibt die jeweilige Stromverstarkung des Transistors an. Die Komplementartransitoren dazu sind BCW 61 und BCX 71. Typ Stempel] Bestellnummer BCW 60 A| AA 062702-C331 12006 106 BCW 60 B/ AB Q62702--C332 gE! BEI + BCW 60 C/ AC Q62702-C333 rT & is BCW 60 D| AD Q62702-C334 z | al a BCX 70 G | AG 062702-C423 ot a BCX 70 H | AH 062702-C424 O*008 re 3.995 12-035 BCX 70J | AJ Q62702C425 , " BCX 70 K | AK Q62702--C426 Gewicht etwa 0,02 g Ma&e in mm Grenzdaten BCW 60 | BCX 70 Kollektor-Emitter-Spannung Uces 32 45 Vv Kollektor-Emitter-Spannung Uceo 32 45 V Emitter- Basis-Spannung Veso 5 5 Vv Kollektorstrom Ic 200 200 mA Basisstrom Ip 50 50 mA Sperrschichttemperatur 7; 150 150 C Lagertemperatur Ts -55 bis +125| -55 bis +125 | C Gesamtverlustleistung (Ty = 45C) auf Glassubstrat (7*7x1 mm) Prot 1501) 1507) mW Warmewiderstand Glassubstrat (7x71 mm) Renay = 700 <= 700 K/W Keramik (30x12*1 mm) Rengu <= 450 = 450 K/W Glasfaser (30x 12*1,5 mm) Renau = 450 = 450 K/W 1) Die zulassige Gesamtverlustleistung ist durch den jeweiligen, einbaubedingten Warmewiderstand gegeben, mit P,,. = imax Tu ul Rinsu 142BCW 60 BCX 70 Statische Kenndaten (7, = 25C) Die Transistoren BCW 60 und BCX 70 werden nach der statischen Stromverstarkung B gruppiert und mit Buchstaben gekennzeichnet. B-Gruppe fir BCW60 | A B c D BCW 60 fir BCX 70 G H J K BCX 70 Uce Ic B B B B Use V mA | Ic/Ip Ic/Ip Ic/Ip Ic/Ig Vv 5 0,01 78 145 (> 20) 220 (> 40) 300 (> 100) | 0,52 5 2 170 250 350 500 0,65 (120 bis 220) * | (180 bis 310) * | (250 bis 460) * | (380 bis 630) *| (0,55 bis 0,75) * 1 50 > 50 > 70 > 90 > 100 0,78 Sattigungsspannungen Ucesat (V) Upesat (V) Ie =10mA; Ip = 0,25 mA Ie =50mA; Ig = 1,25 mA Kollektor-Emitter-Reststrom Kollektor-Emitter-Reststrom (Uces = 32 V) (Uces = 45 V) (Uces = 32 V; (Uces = 45 V; Ty = 150C) Ty = 150C) Emitter-Basis-Reststrom (Veao = 4 V) 0,7 (0,6 bis 0,85) 0,12 (0,05 bis 0,35) 0,2 (0,1 bis 0,55) 0,83 (0,7 bis 1,05) Kollektor- Emitter- Durchbruchspannung (Iceo = 2 mA) Emitter-Basis- Durchbruchspannung (leao = 1 BA) *) AQL = 0,65% BCW 60 BCX 70 Ices < 20 _ nA* Ices _ < 20 nA* Tees < 20 _ pA Ices _ < 20 BA leso < 20 < 20 nA* Uieryceo > 32 > 45 v* Uveryeso >5 >5 v* 143BCW 60 BCX 70 Dynamische Kenndaten (7y = 25C) BCW 60 | BCX 70 | Transitfrequenz (Ig = 10 mA; Uce = 5 V; fF = 100 MHz fr 250 (> 125) MHz Kollektor-Basis-Kapazitat (Ucso =10V;f=1 MHz) Cepo < 4,5 < 4,5 pF Emitter-Basis-Kapazitat (Uego =0,5V;f=1 MHz) Ceso 8 8 pF Rauschmak (Ic = 0,2 mA; Uce = 5 V3 Rg = 2kQ; f= 1 kHz; Af = 200 Hz) F 2 (< 6) 2 (< 6) dB Vierpoldaten: (/ = 2 mA; Uce = 5 V; f = 1 kHz) B-Gruppe | A;G | B; H | C; J | D; K | Mite 2,7 3,6 4,5 7,5 KQ (1,6 bis 4,5) (2,5 bis 6) (3,2 bis 8,5) (4,5 bis 12) Ai26 1,5 2 2 3 10-4 hare 200 260 330 520 (125 bis 250) (175 bis 350) (250 bis 500) (350 bis 700) ho206 18 (< 30) 24 (< 50) 30 (< 60) 50 (< 100) us Schaltzeiten: Arbeitspunkt: Igtlgyi-Igg ~ 10:1:1 MA:A, =5kQ; Ro = 5kQ; ty 35 ns t, 50 ns tein 85 (< 150) ns Me&&schaltung fiir Schaltzeiten: ts t faus Usp =3,6V; RAL = 990 0 400 ns 80 ns 480 (< 800) ns 144BCW 60 BCX 70 Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustleistung Prone = F (Ty) mW MOTT TTT TTT TT 1~Glassubstrat 7*7*1 mm TT =Keramiksubsfraf 30~12xtmm 77 () 3=6lasfasersubstrat 20x 72x1,5mm~T_| 160 Prot \ \ \ Ne 100 : 1_[\2,3 nama UNA | 50 Nh AWN KY NX Md % 50 100 160C ~)y Abhdngigkeit der Warmewider- standes von der Substratfiache K Rens = FCF) WwW 103 | N thgu NY B KN NETH 23 | | 1=Glassubstrat Tmm 2=Keramiksubstrat 1mm 3=Glasfasersubstrat 1,5mm 2 patti 44 L4 10 10! 5 10 5 1? mm? Zulassige Impulsbelastbarkeit fiir Glassubstrat 7x71 mm K rinaeg = f(t): = Parameter 5 0,5 70 10" of 05 we 03 we 10% 10% +/} Zuladssige Impulsbelastbarkeit fiir Keramiksubstrat 30x12x*1,5 mm wits = f(t); = Parameter 10BCW 60 BCX 70 By Stromverstarkung 8 = f (I,) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW 60 BCX 70 103 5 10 A G 10 5 Nittelwerte Streuwert bei 725C 10 we 67 61 6510! = 5 10%ma * tr Stromverstarkung 8 = f (I,) Uce = 1V; Ty = Parameter BcWs6O0 C BCX 70 J 103 5 10! 5 . Nittetwerte Streuwert bei 7y=25C 198 we sit 512 510! * Ir 146 5 10mA Stromverstarkung 8 = f (J,) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW 60. B BCX 70 H 103 5 0 10" Mitielwerte Streuwert bei 7y=25C 700 | | we opt 6 we opt 5 em + Ir Stromverstarkung B& = f (J,) Uce = 1V; Ty = Parameter 103 5 bal 8 0 10! 5 egg Mittlwerte Streuwert bei 7) 25C 10 we 5107 51 51 5 10% ma > I,BCW 60 BCX 70 mA 100 80 60 40 20 Ausgangskennlinien J, = f (Uc) I, = Parameter (Emitterschaltung) w Uce Ausgangskennlinien I, = f (Uce) Tg = Parameter (Emitterschaltung) mA 10 30 UA Ugg Ausgangskenniinien J, = f (Uce) Tg = Parameter (Emitterschaltung) mA 100 f A g0 60 40 20 0 10 20V > Ue Ausgangskennlinien J, = f (Uce) vee = Parameter (Emitterschaltung) m V I A 0 10 20V ~ Uoe 147BCW 60 BCX 70 Auagangskennlinien Io =f (Uce) I, = Parameter (Emitterschaltung) sono 00 800 400 200 0 1 2 3 4 Sv oT. Use Eingangskennlinie Ig = f (Use) (Emitterschaltung) 10 5 10 Ope 148 Ausgangskennlinien J, = f (U.) Uy = Parameter (Emitterschaltung) UA tooo fy 4 800 600 400 200 0 1 2 8 & 5V ~ Ugg Temperaturabhangigkeit des Reststromes Ices =f (Ty) A fir maximal zulassige Sperrspannung n 40 /cES ' 103 5 10? 5 0! 5 NMittelwert Strevwert Q 50 100 150 C TyBCW 60 BCX 70 Sattigungsspannung Ucegsarf (Ic) & = 40; Ty = Parameter (Emitterschaltung) mA 0 6 i! 6 Nittelwerte 190 Streuwerte bei 7y-25C \ 0; 02 03 O4 G5 06 V > Use sat 107 0 Kollektorstrom I, = f (Ug_) Uce = 1V (Emitterschaltung) LB om hittelwerte ~ Streuwerte bel 7y=25C t 190C 0 10 qo?! s URE Sattigungsspannung Usesar=f Uc} = 40; Ty = Parameter (Emitterschaltune) mA 0 = Mittelwerte 5 [7 Streuwerte bei yt 25C I 10' 5 10 5 107 0 02 04 O06 O8 140 41,2v > Yee sat Transitfrequenz f, = f (Ic) Uce = Parameter MHZ 0 fr 1 10 5 10 5 10 5 10mA |, 149BCW 60 BCX 70 Stromabhangigkeit der h-Parameter = A, (Ue) He he Ic = 2mA) = F (Ic) 107 107 5 10 5 10'mA > |p Kollektor-Basis-Kapazitat Cogo = f (Ucgo) of Emitter-Basis-Kapazitat Cego =f (U V4 Cogo (ego) 10 Bo) 1" 5 10 5 0'V * Yeon ego) 150 Spannungsabhangigkeit der h-Parameter yy = re Uce) "Fe Wee= bv) "(eH 2,0 /g=2mA He 45 a Mije 40 oe A226 05 9 10 20 30V > Uog