M2F60-5063 - Shindengen - Datasheet.Directory

■外観図 OUTLINE

194 （J534）

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS

4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH

5FSNJOBM$POOFDUJPOu

面実装デバイス単体型

Surface Mounting Device Single Diode

Rectiﬁer Diode

M2F60

600V 1.2A

Package：M2F Unit:mm

Weight:0.072g（typ.）

3.75

5.1

①

②

①②

196

ロット記号（例）

Datecode

管理番号（例）

ControlNo.

品名略号

TypeNo.

カソードマーク

Cathodemark

■定格表 RATINGS

℃

V

A

A2s

V

μA



℃/W

項目

Item

記号

Symbol

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

VRM

IO

IFSM

VF

IR



50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

50Hz正弦波，抵抗負荷，

50Hz sine wave, Resistance load

Ta = 55℃

Ta = 51℃

パルス測定

Pulse measurement

接合部・周囲間

Junction to Ambient

アルミナ基板実装

On alumina substrate

プリント基板実装

On glass-epoxy substrate

パルス測定

Pulse measurement

プリント基板実装

On glass-epoxy substrate

アルミナ基板実装

On alumina substrate

IF=1.2A,

VR=600V,

 MAX0.97

 MAX10

 MAX33

 MAX90

 MAX120

−55〜150

150

600

0.9

1.2

50

7.4

電流二乗時間積

Current Squared Time 1ms≦t＜10ms, Tj = 25℃



I2t

条件

Conditions

品名

TypeNo. 単位

Unit

M2F60

θjl

θja

接合部・リード間

Junction to Lead

特長

•小型SMD

• 耐湿性に優れ高信頼性

•SmallSMD

•High-Reliability

Feature

195

（J534）

■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS

＊ Sinewave は 50Hz で測定しています。

＊)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT

＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。

Typical は統計的な実力を表しています。

＊4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO

5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ

Small SMD M2F60