NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
470 Amp, TO200AB
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM
NTE5590 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5591 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5592 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5597 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5590 300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5591 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5592 1300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5597 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On−State Current (Half Sine Wave), IT(AV)
Ths = +55°C (Double Side Cooled) 470A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ths = +85°C (Single Side Cooled) 160A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On−State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT(RMS) 780A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous On−State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT668A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One−Cycle Surge (10ms duration, 60% VRRM re−applied), ITSM (1) 4650A. . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive On−State Current (10ms duration, VR ≤ 10V), ITSM (2) 5120A. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t
10ms duration 131000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3ms duration 97350A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), IFGM 19A. . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), VFGM 18V. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM 5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, PG2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100μs pulse width), PGM 100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM gate open−circuit), dv/dt 200V/μs. . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of On−State Current, di/dt
(Gate drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1μs, anode voltage ≤ 80% VDRM)
Repetitive 500A/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive 1000A/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, Ths −40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg −40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction−to−Heatsink, Rth(j−hs)
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)
Double Side Cooled 0.095°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Side Cooled 0.190°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Absolute Maximum Ratings (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Peak On−State Voltage (ITM = 840A), VTM 1.75V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Threshold Voltage, VO0.92V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Slope Resistance, r 0.99mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Off−State Current (At VDRM), IDRM 20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM 20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Current (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), IGT 150mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), VGT 3V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), IH600mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, VGD 0.25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.650
(41.91)
Max
.145 (3.7) Dia Max
8.500 (21.59)
Max
For No. 6
Screws
.755
(19.18)
Max
.030 (.762) Min
.560
(14.22)
Cathode
Cathode Potential (Red)
Gate (White)
Marking
Anode
1.650
(41.91)
Max
.030 (.762) Min
