NPN-Transistoren fur NF-Treiberstufen und BCW 65 Schalteranwendungen BCW 66 BCW 65 und BCW 66 sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren mit Plastikum- hillung 23A 3 DIN 41869 (SOT-23) fur NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen sowie universellem Einsatz. Sie eignen sich besonders fir Dick- und Dunnfilmschaltungen. Beide Typen BCW 65 und BCW 66 werden durch den Buchstaben ,,E gekerinzeichnet, der danebenstehende Buchstabe (A, B. oder C fir den Typ BCW 65 und F, G, H, fur den Typ BCW 66) gibt die jeweilige Stromverstarkung des Transistors an. Die Komple- mentartransistoren dazu sind BCW 67 und BCW 68. Typ Stempel | Bestelinummer 12095 006 BCW 65 A| EA Q62702-C457 aE oo BCW 65 B| EB 062702-C458 ak BCW 65 C/ EC Q62702-C459 C rs" BCW 66 F | EF Q62702--C460 . a BCW 66 G| EG Q62702-C461 ee BCW 66 H| EH Q62702--C462 , Gewicht etwa 0,02 g Ma&e in mm Grenzdaten BCW 65 BCW 66 Kollektor-Emitter-Spannung Uces 60 75 Vv Kollektor-Emitter-Spannung Uceo 32 45 Vv Emitter-Basis-Spannung Uspo 5 5 Vv Kollektorstrom Ie 800 800 mA Kollektor-Spitzenstrom (<< 10ms) Jem 1 1 A Basisstrom Ip 100 100 mA Sperrschichttemperatur T; 150 150 C Lagertemperatur Ts 55 bis +150 ~55 bis +150 | C Gesamtverlustleistung (Ty = 25C) auf Glasfasersubstrat (30*121,5 mm) Prot 350!) 350") mw oder Keramiksubstrat (30x12*1) Warmewiderstand Keramik (30121 mm) Rensu Glasfaser (30x12*1,5 mm) Rensu 8 S 358 K/W 8 = 358 K/W IAA ww ag 1) Die zulassige Gesamtverlustleistung ist durch den jeweiligen einbaubedingten Warmewiderstand gegeben, . Ty mit Py = 232 " a Rinsu 160BCW 65 BCW 66 Statische Kenndaten (7y = 25C) Die Transistoren BCW 65 und BCW 66 werden nach der statischen Stromverstarkung B gruppiert und mit Buchstaben gekennzeichnet. B-Gruppe fir BCW 65 A B Cc fir BOW 66 F G H Uce Ic B B B V mA Ie/lIp Ic/Ip Ic/lIp 10 0,1 > 35 > 50 > 80 1 10 > 75 > 110 > 180 1 100 > 160 250 350 (100 bis 250)* (160 bis 400)* (250 bis 630)* 2 500 > 35 > 60 > 100 Sattigungsspannungen Ic = 100 mA; Ig =10mA Ig = 500 mA; Jp = 50 mA Kollektor-Emitter-Reststrom (Uce = 32 V) (Uce = 45 V) Koilektor-Emitter-Reststrom (Uces = 32 V: Ty = 150C) (Uces = 45 V; Ty = 150C) Emitter-Basis-Reststrom (Uspo = 4 V) Kollektor-Emitter-Durchbruch- spannung (Iceo = 10 mA) Emitter-Basis- Durchbruch- spannung (Jego = 10 pA) Kollektor-Emitter- Durchbruch- spannung (Ic = 10 pA) *) AQL = 0,65% Ucesat (Vv) | Usesat (V) 0,3 _ 0,7 <2 BCW 65 | BCW 66 Ices < 20 _ nA* Tees _ < 20 nA* Toes < 20 pA Ices _ < 20 pA leBo < 20 < 20 nA* Uveryceo > 32 > 45 Vv" Uveryeso >5 >5 ve Uvpryces > 60 > 75 Vv 161BCW 65 BCW 66 Dynamische Kenndaten (7, = 25 C) BCW 65 BCW 66 | Transitfrequenz (I = 20 mA; Uce = 10 V; f = 100 MHz) fr > 100 > 100 MHz Kollektor-Basis-Kapazitat (Ucgo = 10 V; f= 1 MHz) Ccso 8(<12)| 8(<12) | pF Emitter-Basis-Kapazitat (Uego = 0,5 V; f= 1 MHz) CeBo < 80 < 80 pF RauschmaR (J = 0,2 mA; Uce = 5 V; Rg =1kQ; f = 1 kHz) F 2(<10)| 2(<10) | dB Schaltzeiten: (Ig = 150 mA; Ig, = fg2 = 15 mA; tein < 100 < 100 ns R, = 150Q) tous < 400 < 400 ns 162BCW 65 BCW 66 Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustleistung Prot =f (Tu) 0 50 100 150C Abhangigkeit des Warmewider- standes von der Substratflache Anau = F(F) 103 \ Ainwu t \ 5 NY i, Ly 102 10 5 10? 5 103mm? F Zulassige Impulsbelastbarkeit Trnug = F(t); = Parameter fur Glasfasersubstrat 30x 12*1,5 mm W + Keramiksubstrat 30x12*1 mm 10? 18 905 wh wo to? 107 1985 f 163BCW 65 BCW 66 103 102 103 164 Stromverstarkung 8 = f (Jc) Uce =1V; Ty = Parameter BCW 65 BCW 66 = Streubereich bei 25 10! 10? | Stromverstarkung & = f (Ic) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW 65 BCW 66 werte =Streubereich bei A F 10? mA c H 103 mA Stromverstarkung 8 = f (Ic) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW65 8B BCW66 G 103 10? Mittel werte Streubereich 25C 10! 1071 108 10 102 103 mA e |, Ausgangskennlinien I, = f (Uce) Ty = Parameter (Emitterschaltung) mA 600 500 400 300 200 100BCW 65 BCW 66 mA 120 I 100 80 60 40 20 Ausgangskenniinien J, = f (Uce) 7, = Parameter (Emitterschaltung) 0,1 -005mA oe Ue Temperaturabhangigkeit des Reststromes /cs =f (Ty) flr max. zul. Sperrspannung nA 108 CES | 103 10? 1 10 Mittelwert =-= Streuwert 10 0 40 80 120 -/) 40V 160C Ausgangskennlinien Jc = f (Uce Use = Parameter (Emitterschaltung) mA 600 / , 500 03V 0,85V | _ bh 400 Lo 300 / OBV 200 fA 100 0,75V Ugg =0,7 0 0 gs 1 15 2V ree Kollektorstrom /, = f (Ug) mA Uce = 1V; Ty = Parameter 10 Ie A Mittelwerte Streubereich ber 25C 10 te Uae 165BCW 65 BCW 66 Sattigungsspannung Ucesat = Ff (Ic) = 10; 7y = Parameter mA 10 Mitt = Streubereich bet 25C 0 200 400 600 800 mV Ucesat Transitfrequenz f; = f (J) MH Uce = Parameter z 103 10 10" 102 10mA e Ip 166 gattigungsspannung Usesat = f (Ic) 4 ; Ty = Parameter m 103 150C 3C 102 0 Mittel werte 10 ~=Streubereich bei 107 > Upesat