Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2
www.infineon.com 2016-12-06
DD1000S33HE3
IHM-BModul
IHM-Bmodule
VCES = 3300V
IC nom = 1000A / ICRM = 2000A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• •Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters
• •Motorantriebe Motordrives
• •Traktionsumrichter Tractiondrives
• •USV-Systeme UPSsystems
• •Windgeneratoren Windturbines
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• •GroßeDC-Festigkeit HighDCstability
• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• •AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• •GehäusemitCTI>600 PackagewithCTI>600
• •IHMBGehäuse IHMBhousing
• •IsolierteBodenplatte Isolatedbaseplate
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C VRRM 3300
3300 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF1000 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 2000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 260
245 kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C PRQM 1600 kW
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
VF
3,10
2,75
2,65
3,85
3,25
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 1800 V
VGE = -15 V
IRM
1000
1200
1250
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Qr
450
900
1050
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Erec
450
1100
1300
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 21,6 K/kW
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 16,5 K/kW
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6,0 kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC VISOL 2,6 kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 2100 V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate AlSiC
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 600
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 18 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch RAA'+CC' 0,28 mΩ
Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 150 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 5,75 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
Gewicht
Weight G 800 g
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1000R33HE3 Modul.
Dynamic Data valid in conjunction with FZ1000R33HE3 module.
Datasheet 4 V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Tvj = 150°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=Ω,VCE=1800V
IF [A]
E [mJ]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1000A,VCE=1800V
RG [Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,1
1
10
100
ZthJC : Diode
i:
ri[K/kW]:
τi[s]:
1
3,099
0,002
2
7,74
0,024
3
6,721
0,159
4
4,002
4,627
Datasheet 5 V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=150°C
VR [V]
IR [A]
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
0
500
1000
1500
2000
2500
IR, Modul
Datasheet 6 V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
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µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
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Edition2016-12-06
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