N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 731N
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller 1/9 Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctric al properti es
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated values
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-state an d re vers e volt ag es
Tvj = -40°C... Tvj max V
DRM,VRRM 380 0
4200
4000
4400
V
V
V
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-state an d re vers e volt ag es
Tvj = 0°C... Tvj max V
DRM,VRRM 390 0
4300
4100
4500
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
ma xi mu m RMS o n- stat e cur r e nt
I
TRMSM 201 0 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 930
1280
A
A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 18000
16000
A
A
Grenzlastin teg ral
I²t-value
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 1620
1280
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr 300 A/µs
Kritische S pa nnu ng ssteilh eit
critical rate of rise o f of f-stat e volt ag e
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kenn buc hstabe / 5th letter H
(dv
D/dt)cr
2000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspa nn ung
on-stat e voltag e
Tvj = Tvj max , iT = 120 0A
vT
typ.
ma x.
1,6
1,7 5
V
V
Schleus ens pann ung
thresh old voltag e
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
ma x.
1
1,1
V
V
Ersatzwi dersta nd
slope resist anc e
Tvj = Tvj max r
T typ.
ma x.
0,5
0,5 42
mΩ
mΩ
A -0,09 55
B 0,0003 5
C 0,1592
typ.
D 0,0042 19
A -0,09 26
B 0,0003 91
C 0,1754
Durchlaßkennlinie
on-stat e c haract eristic
Tvj = Tvj max
ma x.
D 0,0037 59
Zündstr om
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT ma x. 350 mA
Zünds pa nnung
gate trigger volt age
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD ma x.
ma x.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trig g er volt ag e
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,4 V
Haltestrom
holding curre nt
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 3 A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward o ff-stat e and reverse c urrent
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 200 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd max. 2 µs
prepar ed by: C. Schneid er dat e of publicatio n: 2005-04-1 5
appro ved b y: J. Przybilla revision: 5
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 731N
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller 2/9 Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al propert i es
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 1 00 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kenn buc hstabe / 4th letter O
tq
typ. 500 µs
Sperr verzög erung sladu ng
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
Qr
max. 5,5 mAs
Rückstr omspitze
peak re verse r eco ver y c urrent
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
IRM
max. 175 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-side d, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-side d, DC
Ano de / a no de, DC
Kathod e / c at hod e, DC
Rth J C
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 185
0,0 17
0,0 305
0,0 385
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, case to heatsi nk
Kühlfläc he / cooling surfac
e
beids eitig / two-side d
einseitig / sing le-side d
Rth C H
ma x.
ma x.
0,0 05
0,0 1
°C/W
°C/W
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mu m ju nction te mperat ure
T
vj max 125 °C
Betriebs te mperatur
opera ting te mperat ure
T
c op -40...+125 °C
Lagerte mperatur
storage t emperat ure
T
stg -40...+150 °C
Mechanis che Eigen schaf ten / Mech anic al prope rties
Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee annex
Seite 3
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Si-Element mit Druc kkont akt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
F 15.. .24 kN
Steueransc hlüss e
control t erminals
DIN 46244 G ate
Kathode /Cathode
A 2, 8x0, 8
A 4, 8 x0, 8
Gewic ht
weig ht
G typ. 550 g
Kriechstrec ke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz 50 m/s²
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Phase Control Thyristor
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Maßbild
12
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
N
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Phase Control Thyristor
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,0 0848 0,00243 0,0030 4 0,0 027 2 0,0 003 3
beidseitig
two-sided τn [s] 0,676 0,1 32 0,0 62 0,0 134 0,0 019
Rthn [°C/W] 0,0 192 0,0 023 0,0028 0,0036 6 0,0 025 4
anodenseitg
anode-sided τn [s] 4,13 0,4 0,1 54 0,0 607 0,0 101
Rthn [°C/W] 0,0 2810 0,00106 0,0048 7 0,0 023 7 0,0 021
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 4,13 0,4 5 0,1 26 0,0 374 0,0 091
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−= τ
ma x
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
0,05
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth J C [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th J C = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Phase Control Thyristor
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
500
1000
1500
2000
2500
00,511,522,5
vT [V ]
iT [V]
typ max.
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Durchlassverluste
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A]
vG [V]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD
= 6 V
Gate characteristic vG = f (i G) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerv erlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
N
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Phase Control Thyristor
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Tc beidseitig
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs ]
Qr
[mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
N
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Ta bei Sinus
0
50
10 0
15 0
20 0
25 0
30 0
35 0
40 0
45 0
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs ]
I
RM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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