BZT52C2V4 ... BZT52C75
BZT52C2V4 ... BZT52C75
SMD Planar Zener Diodes
SMD Planar Zener-Dioden
Ptot = 500 mW
VZ= 2.4 V ... 75 V
Tjmax = 150°C
Version 2017-01-12
SOD-123F
Dimensions - Maße [mm]
Type Code:
See table – siehe Tabelle
Typical Applications
Voltage stabilization and regulators
(For overvoltage protection
see TVS diodes SMF series)
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung und -regler
(Für Überspannungsschutz
siehe TVS-Diodenreihe SMF)
Standardausführung 1)
Features
Sharp Zener voltage breakdown
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Scharfer Zenerspannungsabbruch
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Zener voltages see table on next
page. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%).
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite. Andere Toleranzen oder höhere Z-Spannungen auf Anfrage.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 500 mW 3)
Junction/Storage temperature – Lagerungs-/Sperrschichttemperatur Tj/S -50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthA
RthT
< 300 K/W 3)
< 240 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0 2 3 45678 10
[V]
V
Z
[mA]
5
15
0
10
I
Z
Zener Voltage vs. Zener current Abbruchspannung über Zenerstrom–
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1 5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
I = 5 mA
Z
2,4
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
3
3
1.6
±0.1
0.6
±0.1
1.1
±0.1
3.8
±0.2
Type
Code
2.7
±0.1
0.12
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BZT52C2V4 ... BZT52C75
Characteristics
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Kennwerte
(Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben)
Type
Typ
Code Z-voltage range 1)
Z-Spannungs-Bereich 1)
IZ = 5 mA
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
rzj [Ω] at f = 1 kHz
Temp. Coefficient
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse voltage
Sperrspannung
VR at/bei IR
Z-current 2)
Z-Strom 2)
TA = 25°C
BZT52C... VZ min [V] VZ max [V] IZ = 5 mA αVZ [10-4 /°C] VR [V] IR [µA] IZmax [mA]
2V4
4C
2.2
2.6
< 100
-9...-6
1
120
192
2V7
4D
2.5
2.9
< 110
-9...-6
1
120
172
3V0
4E
2.8
3.2
< 120
-8...-5
1
50
156
3V3
4F
3.1
3.5
< 130
-8...-5
1
20
143
3V6
4H
3.4
3.8
< 130
-8...-5
1
10
132
3V9
4J
3.6
4.2
< 130
-8...-5
1
5
119
4V3
4K
4.0
4.6
< 130
-6...-3
1
5
109
4V7
4M
4.4
5.0
< 130
-5...+2
1
2
100
5V1
4N
4.8
5.4
< 130
-2...+2
1.5
2
93
5V6
4P
5.2
6.0
< 80
-5...+5
2.5
1
83
6V2
4R
5.8
6.6
< 50
-3...+6
3
1
76
6V8
4X
6.4
7.2
< 30
+3...+7
3.5
0.5
69
7V5
4Y
7.0
7.9
< 30
+3...+7
4
0.5
63
8V2
4Z
7.7
8.7
< 30
+8...+7
5
0.5
57
9V1
5A
8.5
9.6
< 30
+3...+9
6
0.5
52
10
5B
9.4
10.6
< 30
+3...+10
7
0.1
47
11
5C
10.4
11.6
< 30
+3...+11
8
0.1
43
12
5D
11.4
12.7
< 35
+3...+11
9
0.1
39
13
5E
12.4
14.1
< 35
+3...+11
10
0.1
35
15
5F
13.8
15.6
< 40
+3...+11
11
0.1
32
16
5H
15.3
17.1
< 40
+3...+11
12
0.1
29
18
5J
16.8
19.1
< 45
+3...+11
13
0.1
26
20
5K
18.8
21.2
< 50
+3...+11
15
0.1
24
22
5M
20.8
23.3
< 55
+4...+12
17
0.1
21
24
5N
22.8
25.6
< 60
+4...+12
19
0.1
20
27
5P
25.1
28.9
< 70
+4...+12
21
0.1
17
30
5R
28
32
< 80
+4...+12
23
0.1
16
33
5X
31
35
< 80
+4...+12
25
0.1
14
36
5Y
34
38
< 90
+4...+12
27
0.1
13
IZ =
2.5 mA
2 mA
39
5Z
37
41
< 100
+4...+12
30
2
12
43
6A
40
46
< 130
+4...+12
33
2
11
47
6B
44
50
< 150
+4...+12
36
2
10
51
6C
48
54
< 180
+4...+12
39
1
9
56
6D
52
60
< 180
+4...+12
43
1
8
62
6E
58
66
< 200
+4...+12
47
0.2
8
68
6F
64
72
< 250
+4...+12
52
0.2
7
75
6H
70
79
< 300
+4...+12
57
0.2
6
Disclaimer: See data book page 2 or website – Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses (20 ms) – Gemessen mit Impulsen (20 ms)
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpad je Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
