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General Purpose Transistors
General Purpose Transistors ᄰྯ FHS3904
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DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-23
Low Leakage Current：
ICEX=50nA(Max.)；VCE=30V，VEB=3V
Low Saturation Voltage：
VCE(sat)=0.3V(Max.)；IC=50mA，IB=5mA
Complementary to the 3906。
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-23 FUNCTION
功能
B 1 BASE
E 2 EMITTER
C 3 COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓 VCEO 40 Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓 VCBO 60 Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓 VEBO 5 Vdc
Collector Current—Continuous
集電極電流-連續 IC 200 mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1) (TA=25℃ 環境溫度=25℃) 225 mW
Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD 1.8 mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 R J A 556 ℃/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA=25℃
總耗散功率 氧化鋁襯底 300 mW
Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD 2.4 mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 R J A 417 ℃/W
Junction and St orage Temperature結溫和儲存溫度 Tj,
Tstg 150，
-55 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
FHS3904=1AM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICEX VCE=30Vdc,
VEB=3.0 Vdc — — 50 nAdc
Base Cutoff Current
基極截止電流 IBEX VCE=30Vdc,
VEB=3.0Vdc — — 50 nAdc
Collector-Emitter Breakdown
Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=1.0mAdc, IB=0 40
— — Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=10µAdc, IE=0 60
— — Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO I
E=10µAdc, IC=0 5
— — Vdc
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General Purpose Transistors
General Purpose Transistors ᄰྯ FHS3904
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IC=0.1mAdc,
VCE=1.0Vdc 40 — —
IC=1.0mAdc,
VCE=1.0Vdc 70 — —
IC=10mAdc,
VCE=1.0Vdc 100 — 300
IC=50mAdc,
VCE=1.0Vdc 60 — —
DC Current Gain
直流電流增益 hFE
IC=100mAdc,
VCE=1.0Vdc 30 — —
—
IC=10mAdc,
IB=1.0 mAdc — — 0.2
Collector-Emitter Saturation
Voltage(3)集電極發射極飽和壓降 VCE（sat）IC=50mAdc,
IB=5.0mAdc — — 0.3 Vdc
IC=10mAdc,
IB=1.0mAdc 0.65 — 0.85
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極極飽和壓降 VBE（sat）IC=50mAdc,
IB=5.0mAdc — 0.95 Vdc
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積 fT Ic=10mAdc,
VCE=20Vdc,
f=100MHz 300 — — MHz
Output Capacitance
輸出電容 Cobo VCB=5.0Vdc,IE=0,
f=1.0MHz — — 4.0 pF
Input Capacitance
輸入電容 Cibo VEB=0.5Vdc,IC=0,
f=1.0MHz — — 8.0 pF
Input Impedance
輸入阻抗 hie VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz 1.0 — 10 kΩ
Voltage Feedback Ratio
電壓回饋係數 hre VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz 0.5 — 8.0 ×10-4
Small-Signal Current Gain
小信號電流增益 hfe VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz 100 — 400
Output Admittance
輸出導納 *hoe VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz 1.0 — 40 μmhos
Noise Figure 雜訊係數 NF VCE=5.0Vdc,
I
C=100μAdc,
f=1.0KHz — — 5.0 dB
SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性
Delay T ime 延遲時間 td — — 35
Rise T ime 上升時間 tr VCC=3.0Vdc,VBE=-0.5Vdc,
IC=10mAdc,IB1=1.0mAdc — — 35 nS
Storage T ime 儲存時間 ts — — 200
Fall T i me 下降時間 tf VCC=3.0Vdc,IC=10mAdc,
IB1=IB2=1.0mAdc — — 50 nS
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in, 99.5%alumina.
3. Pulse Width≤300µS;Duty Cycle≤2.0％.
