Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Features: * Speziell entwickelt fur beschaltungslosen Betrieb * Specially designed for snubberless operation * Niedrige Verluste, weiches Ausschalten * Low losses, soft recovery * Volle Sperrfahigkeit bei 140C mit 50Hz * Full blocking capability at 140C with 50Hz * Hohes di/dt und niedriger Warmewiderstand * High di/dt and low thermal resistance by durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und using low temperature-connection NTV Mo-Tragerscheibe between silicon wafer and molybdenum * Elektroaktive Passivierung durch a-C:H * Electroactive passivation by a-C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj = 0C ... Tvj max f = 50Hz VRRM 6500 V Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Tc = 60C. f = 50Hz IFRMSM 2230 A Dauergrenzstrom mean forward current TC = 85C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz IFAVM 1130 A 1420 A Stostrom-Grenzwert surge forward current Tvj = Tvj max, Tp = 10ms IFSM Grenzlastintegral 2 I t-value Tvj = Tvj max, Tp = 10ms It Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses IFM = 2500A, VCL = 2800V, Wmax BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 clamp circuit L 0,25 H, RCL = 68 CCL = 3F, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max 2 22 kA 2.4 10 6 2 As 5 MW Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage failure rate < 100 estimate value VR(D) typ. 3200 V Durchlaspannung forward voltage Tvj = Tvj max, iF = 2500A VF max 5.6 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 2,19 V Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 1,37 m Durchlarechenkennlinie 250 A iF 3200 A On-state characteristics for calculation Tvj = Tvj max Spitzenwert der Durchlaverzogerungsspannung peak value of forward recovery voltage Tvj = Tvj max, diF/dt = 5000A/s IFM = 4000A VFRM Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR A B C D VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F Ruckstromspitze peak reverse recovery current max. 0,698487 0,0002843 -0,042507 0,0908 typ. 360 V 150 mA IRM max 1300 A Qr max 3500 As IFM = 2500A, VCL = 2800V, Sperrverzogerungsladung recovered charge clamp circuit L 0,25 H, RCL = 68 CCL = 3F, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max Ausschaltverlust Energie turn-off energy Abklingsanftheit reverse recovery softness factor FRRS = Eoff IFM = 2500A, VR = 2800V -dirr /dt(i=0) = 1000A/s, dt = 200ns Tvj = Tvj max , FRRS 8 Ws typ. 1,6 (dirr / dt ) i =0 (dirf / dt ) max BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC RthJC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided RthCK Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op Lagertemperatur storage temperature Tstg max max max 0.0075 C/W 0.014 C/W 0.016 C/W max max 0.0025 C/W 0.005 C/W 140 C 0...+140 C -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact 76DSH65 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G 36...52 kN typ 1200 g Kriechstrecke creepage distance 33 mm Luftstrecke air distance 17 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Mabild / Outline drawing BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Durchlakennlinie / On-state characteristics iF = f ( VF ) upper limit of scatter range 3500 3000 Tvj = 25C Tvj = 140C 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 5 6 7 VF / [V] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal Impedance Z(th)JC = f (t) ( Z th JC (t ) = Rth n 1 - e - t / n ) n Double side cooled r [K/W] Anode side Cooled [s] r [K/W] Cathode side cooled [s] r [K/W] [s] 1 0,0011 2,35 0,007 13,4 0,009 10,6 2 0,0022 0,39 0,0028 0,5 0,0028 0,5 3 0,0028 0,12 0,0028 0,12 0,0028 0,12 4 0,0008 0,16 0,0008 0,16 0,0008 0,16 5 0,0006 0,005 0,0006 0,005 0,0006 0,005 0,0075 - 0,014 - 0,016 - 0,02 k 0,015 0,01 d 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 6 Z (th) JC / [K/W] a Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Stostrom / Grenzlastintegral Charakteristik Surge current / It value characteristics I FSM = f ( tp ) / i2 dt = f ( tp ) 1,E+05 1,E+07 1,E+04 1,E+06 1,E+03 1,E+05 0,1 1 10 ----- Sine half-wave, T vj =140 C , v R = 0 100 Time / [ms] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Sperrverzogerungsladung / recovered charge Qr = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140C Tvj = 140 C Parameter: IFM clamping circuit CCL = 3 F VCL = 2800 V Conditions: RCL = 68 34DSH65 4000 3500 3000 IFM = 2500A 2500 1000A 2000 500A 1500 250A 1000 500 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 -di/dt / [A/s] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Ruckstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140C Tvj = 140 C Parameter: IFM clamping circuit CCL = 3 F VCL = 2800 V Conditions: RCL = 68 34DSH65 1500 1250 1000 750 IFM = 2500A 1000A 500A 500 250A 250 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 -di/dt / [A/s] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 9 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140C Tvj = 140 C Parameter: IFM clamping circuit CCL = 3 F VCL = 2800 V Conditions: RCL = 68 34DSH65 9 8 7 6 IFM = 2500A 5 1000A 4 500A 3 250A 2 1 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 -di/dt / [A/s] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 10 Technische Information / Technical Information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 1131 SH 65T SH Spitzen-Durchlassverzogerungsspannung peak forward recovery voltage VFRM = f ( diF/dt ) typische Abhangigkeit / typical dependence Tvj = 140C, IFM = 4000A 400 VFRM[V] 300 200 100 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 diF/dt [A/s] BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page 11