Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1131 SH 65T
BIP AC / 2002-04-16, Schneider / Keller Release 3 Seite/page
SH
1
Features:
• Speziell entwickelt für beschaltungslosen
Betrieb
• Specially designed for snubberless operation
• Niedrige Verluste, weiches Ausschalten • Low losses, soft recovery
• Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz • Full blocking capability at 140°C with 50Hz
• Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand
durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und
Mo-Trägerscheibe
• High di/dt and low thermal resistance by
using low temperature-connection NTV
between silicon wafer and molybdenum
• Elektroaktive Passivierung durch a-C:H • Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C ... Tvj max
f = 50Hz
VRRM 6500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Tc = 60°C. f = 50Hz IFRMSM 2230 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz
IFAVM 1130
1420
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Tvj = Tvj max, Tp = 10ms IFSM 22 kA
Grenzlastintegral
I2t-value
Tvj = Tvj max, Tp = 10ms I2t 2.4⋅ 106A2s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
Tvj = Tvj max
Wmax 5MW
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ < 100
estimate value
VR(D) typ. 3200 V
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = Tvj max, iF = 2500A VF max 5.6 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V(TO) 2,19 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Tvj = Tvj max rT 1,37 mΩ
Durchlaßrechenkennlinie 250 A ≤ iF ≤ 3200 A
On-state characteristics for calculation
()
VABiCi Di
FFF F
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
Tvj = Tvj max
A
B
C
D
max.
0,698487
0,0002843
-0,042507
0,0908
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvj max, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM typ. 360 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR 150 mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM max 1300 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr max 3500 µAs
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
Tvj = Tvj max
Eoff 8Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
max
0
)/(
)/(
dtdi
dtdi
F
rf
irr
RRS
=
=
IFM = 2500A, VR = 2800V
-dirr /dt(i=0) = 1000A/µs, dt = 200ns
Tvj = Tvj max ,
FRRS typ. 1,6
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC
max
max
max
0.0075
0.014
0.016
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK
max
max 0.0025
0.005
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op 0...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
76DSH65
Anpreßkraft
clampig force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
G typ 1200 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Luftstrecke
air distance
17 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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Maßbild / Outline drawing
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Durchlaßkennlinie / On-state characteristics iF = f ( VF )
upper limit of scatter range
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
01234567
VF / [V]
Tvj = 140°CTvj = 25°C
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal Impedance Z(th)JC = f (t)
Double side
cooled
Anode side
Cooled
Cathode side
cooled
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
1 0,0011 2,35 0,007 13,4 0,009 10,6
2 0,0022 0,39 0,0028 0,5 0,0028 0,5
3 0,0028 0,12 0,0028 0,12 0,0028 0,12
4 0,0008 0,16 0,0008 0,16 0,0008 0,16
5 0,0006 0,005 0,0006 0,005 0,0006 0,005
Σ 0,0075 - 0,014 - 0,016 -
(
)
∑
−
−⋅=
n
t
nthJCth
n
eRtZ
τ
/
1)(
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
k
a
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Stoßstrom / Grenzlastintegral Charakteristik
Surge current / I²t value characteristics
I FSM = f ( tp ) / i2 dt = f ( tp )
Sine half-wave, T vj =140 ° C , v R = 0
1,E+03
1,E+04
1,E+05
0,1 1 10 100
Time / [ms]
1,E+05
1,E+06
1,E+07
−−−−− ∫
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Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140°C
Conditions: Tvj = 140 ° C
Parameter: IFM
clamping circuit CCL = 3 µF RCL = 68Ω 34DSH65
VCL = 2800 V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-di/dt / [A/µs]
IFM =
2500A
1000A
500A
250A
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Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140°C
Conditions: Tvj = 140 ° C
Parameter: IFM
clamping circuit CCL = 3 µF RCL = 68Ω 34DSH65
VCL = 2800 V
0
250
500
750
1000
1250
1500
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-di/dt / [A/µs]
IFM =
2500A
1000A
500A
250A
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Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range for VF = 5,1V @2500A, 140°C
Conditions: Tvj = 140 ° C
Parameter: IFM
clamping circuit CCL = 3 µF RCL = 68Ω 34DSH65
VCL = 2800 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-di/dt / [A/µs]
IFM =
2500A
1000A
500A
250A
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Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung
peak forward recovery voltage VFRM = f ( diF/dt )
typische Abhängigkeit / typical dependence
Tvj = 140°C, IFM = 4000A
0
100
200
300
400
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
diF
/
dt [A/µs]
VFRM[V]
