NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS SILICIUM NPN, BASE EPITAXIEE Compl. of BD 234, BD 236, BD 238 BD 233 BD 235 BD 237 PRELIMINARY DATA These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry amplifiers : audio driver, audio output stages up to 10 W, convergence and vertical deflexion circuits in TV receivers. Ces transistors sont destins aux amplificateurs 4 sym- trie complmentaire ou quasi complmentaire : tages driver, tages de sortie BF jusqua 10 W, circuits de convergence et de dviation verticale en tlvision. NOTICE PRELIMINAIRE v 45V = BD 233 60V BD 235 CEO 80V BD 237 ic 2A Prot 25 W Rth (j-c) 5C/w haqe (1 a) 25 fy 3 MHz max min min Dissipation and ig/g derating Plastic case Variation de dissipation et de Ig7g Boitier plastique 100%| \ 5 ANAL ENN 50 |-+ 3 ii Xx 25 + 4 Weight : 0,7 g. Q 50 100 180 t,,,,(C) Masse TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Voir dessin cot CB-16 dernires pages Be Collector is connected to metal part of case Le collecteur est relia & la partie Ntallique du boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION t = 25C (Unless otherwise stated) case (Sauf indications contraires} BD 233 BD 235 BD 237 Collector-base voltage Tension collecteur-base Veso 45 60 100 v Collector-emitter voltage Tension cofiecteur-metteur Voceo 45 60 80 Vv Collector-emitter voltage = Tension collecteur-metteur Rp E 1 ko VoER 45 60 100 v Emitter-base voltage Tension metteur-base Vego 5 5 5 v Collector current Courant collecteur le 2 2 2 A Peak collector current = Courant de crte de collecteur tp = 20ms lom 6 6 6 A Base current Courant base 'p 0,3 0,3 0,3 A Power dissipation = 950 Dissipation de puissance tease 25C Prot 25 25 25 W Junction temperature Temprature de janction max 4 150 150 150 c Storage temperature min tet 55 55 55 C Temprature de stockage max 9 +150 +150 +150 G 74-10 V4 THOMSON - CSF melon sewconoueveuRs 475 Ses@sanBD 233, BD 235, BD 237 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Ven =45V oe BD233 100 BA Eo Ver = 60V L _ BD 235 100 HA Veep = 100 V ie _ BD 237 100 BA Collector-b ff Vos = 45V ollector-base cut-off current = Courant rsiduel collecteur-base | E ceo BD 233 3 mA tease = 150C Vog =60V I = BD 235 3 mA tease = 180C Vop = 100V le = BD 237 3 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Ves =5V Courant rsiduel metteur-base \ c = 0 'EBo 1 mA BD 233 45 Vv : | = 100 mA Cotlector-emitter breakdown voltage Cc Vv * Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 CEO(sus) BD oa 0 y Vee =2V 25 Io =A Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert _ hoy E BD 233 40 250 direct du courant Vee =2v BD 235 40 250 =0,15A Ic = BD 237 | 40 160 . : I =1A Collector-emitter saturation voltage c Vv * Tension de saturation collecteur-metteur Ip =0,1A CEsat 0,6 v Base-emitter voltage Voce = 2 Ver* 13 Vv Tension base-metteur \ c = 1A 8 , DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Voce = 10V Transition frequency ig =0,25A fy 3 MHz Frquence de transition f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance : Rsistance thermique (jonction-boi tier} Renti-e) 5 c * Pulsed impufsions =300us 6 < 2% > 214 476BD 233, BD 235, BD 237 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit =75 toase =25C Continuous Continu Pulsed impulsions 1 2 5 10 20 50 Vg lV) 34 477BD 233, BD 235, BD 237 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions 10? 2 5 2 5 2 5 2 5 tt ) we 04 10 1072 pee 4/4 478