Semiconductor Group 1 11.96
Hyper ARGUS®LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1) LED, Non Diffused LS K376, LA K376, LO K376
LY K376
VEX06712
Besondere Merkmale
●eingefärbtes, klares Gehäuse
●Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
●bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
●zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
●gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
●Lötspieße mit Aufsetzebene
●gegurtet lieferbar
●Störimpulsfest nach DIN 40839
●Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
Features
●colored, clear package
●plasic package with a special design
●in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
●for optical coupling into light pipes
●uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
●solder leads with stand-off
●available taped on reel
●load dump resistant acc. to DIN 40839
●Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength
emitted by the LED.
Semiconductor Group 2
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Typ
Type Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K376-QT
LS K376-R
LS K376-S
LS K376-T
LS K376-RU
super-red colorless clear 63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
Q62703-Q3467
Q62703-Q3468
Q62703-Q3469
Q62703-Q3470
Q62703-Q3471
LA K376-RU
LA K376-S
LA K376-T
LA K376-U
LA K376-SV
amber colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3735
Q62703-Q3737
Q62703-Q3738
Q62703-Q3739
Q62703-Q3736
LO K376-RU
LO K376-S
LO K376-T
LO K376-U
LO K376-SV
orange colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3472
Q62703-Q3473
Q62703-Q3474
Q62703-Q3475
Q62703-Q3476
LY K376-RU
LY K376-S
LY K376-T
LY K376-U
LY K376-SV
yellow colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3477
Q62703-Q3478
Q62703-Q3479
Q62703-Q3480
Q62703-Q3481
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj+ 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF30 20 mA
Stoßstrom
Surge current
t≤ 10 µs, D = 0.005
IFM to be defined A
Sperrspannung
Reverse voltage VR3V
Verlustleistung
Power dissipation
TA≤ 25 ˚C
Ptot 80 55 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA 500 K/W
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LA LO LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF= 20 mA
λpeak 645 622 610 591 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF= 20 mA
λdom 632 615 605 587 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50% Irel max (typ.)
IF= 20 mA
∆λ16 16 16 15 nm
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF= 20 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR= 3 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
TCλ0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) TCV– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group 5
Relative spektrale Emission Φrel =f(λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φrel =f(ϕ)
Radiation characteristic
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group 6
Durchlaßstrom IF=f(VF)
Forward current
TA= 25 ˚C
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV (20 mA) = f (IF)
Relative luminous flux
TA= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous flux
IF = 20 mA
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Semiconductor Group 7
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06712
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
