NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX Compl. of 2N 2904, A - 2905, A R2N 2218,A IN 2219,A - LF or HF small or large signat amplification Amplification BF ou HF petits ou grands signaux - Medium current switching Commutation 4 moyen courant Maximum power dissipation K Preferred device Dispositif recommand 30V 2N 2218 - 2219 VcEO 40 V 2N 2218A-2219A lo 0,8A hore { 40-120 2N 2218, A (150 mA) 1 100-300 2N 2219, A f { 250 MHz min T 300 MHz min 2N 2219 A Veesat { 1V max 2N 2218A-2219A {500 mA) 1 1,6Vs max 2N 2218 - 2219 Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages tot (Ww) Top view Vue de dessus 3 bk ~ > \ NK c . 7 \ B 1 08 P| aN ! t Top (Ch (1) ae, . 1 0g) 2) Weight: 1,19 Collector is connected to case 2550 100150 178 case Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} 2N 2218 2N 2218 A 2N 2219 2N 2219 A Collector-base voltage Tension collecteur-base Vcso 60 78 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEo 30 40 Vv Emitter-base voltage Tension emettour base VeBo 5 6 v Collector current ' Courant collecteur c 0,8 0,8 A Power dissipation Tamb = 25C (1) p 08 0,8 Dissipation de puissance T = 25C (2) tot 3 3 Ww case Junction temperature Temprature de jonction Tj 175 175 C 65 Storage temperature T 65 c Temprature de stockage stg +200 +200 C BE ovence (DMSION SEMICONOUCTEURS Seseosem 75-50 1/6 1712N 2218, 2N 2218 A, 2N 2219, 2N 2219 A STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Untess otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Ves =50V 2N 2218 10 nA \g =0 2N 2219 Vep = 60 V 2N 2218 Al cB Ip =0 2N 2219 Al 10 nA Vep =50V Collector-base cut-off current ' cB =0 logo 2N 2218 40 yA Courant rsidual collecteur-iase E 2N 2219 Tamb= 150C Veg =60V lp =0 RN 2218 Al 10 uA Tamb = 150C 2N 2219 Al Collector-emitter cut-off current Vee =-3V leex RN 2218 Al 10 nA Courant rsiduel collecteur-dmetteur Vv, cE = 60 V RN 2219 A Base cut-off current Veg =3V lp EX 2N 2218 Al 20 nA Courant rsiduel de la base Vee =60V 2N 2219 A Emitter-base cut-off current Vep =3V Courant rsiduel dmetteur-base { c =0 eso 10 nA 2N 2218 2N 2219 80 v Collector-base breakdown voltage I E = ViBR)cBO Tension de claquage collecteur-base I c = 10 nA 2N2218 A 75 Vv j2N2219 A 2N 2218 30 Vv 2N 2219 Collector-emitter breakdown voltage Ip o= ViBRicee Tension de clequage collecteur-metteur Io =10mA . 2N2218 A 40 Vv 2N 2219 A 2N 2218 2N 2219 5 v Emitter-base breakdown voltage I = Vv Tension de claquage metteur-base le =10mA {BRIEBO ON 2218 A 2N2219a} 6 Vv * Pulsed ty =200us 8 < 1% impulsions 2/6 1722N 2218, 2N 2218 A, 2N 2219, 2N 2219 A (Unless otherwise stated) STATIC CHARACTERISTICS T. =25C CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Saut indications contraires) Test conditions i: Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voce =10V 2N 2218,A) 20 \o =0,imA 2N 2219,A) 35 Voge = 10V h 2N 2218,A) 25 Ig =1mA 21E 2N 2219,4) 50 Voge = 10 2N 2218,A) 35 Io =10mA 2N 2219,A) 75 Vee =1V 2N 2218,A| 20 le = 150 mA 2N 2219,A) 50 Static forward current transfer ratio = Valeur statique du rapport de transfert Voce 10V 2N 2218,A| 40 120 direct du courant lo = 150 mA * 2N 2219,A! 100 300 hore 2N 2218 20 = 2N 2219 30 Vog =10V le = 500mA DN 2218.4) 25 I2N 2219 Al 40 Veg = 10V lo =10mA hore 2N 2218 A) 15 = 35 Tamb= ~B5C 2N 2219 Al 1 2N 2218 04 Vv Ig = 150mA 2N 2219 Ip =15MA p =item DN 218A 03 V Coilector-emitter saturation voltage Vee * 2N 2219A Tension dk . sat ensian de saturation collecteur-metteur 2N 2218 16 V \ = 500 mA 2N 2219 t = A B =80m 2N 2218A , V 2N 2219A\ 2N 2218 1,3 Vv lg =150mA 2N 2219 lg = toma 2N 22184 an 22iga) 12 v Base-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation base-metteur BEsat 2N 2218 2N 2219 2.6 V le = 500 mA Ig =80mA 2N 2218A BN 22198 2 Vv * Pulsed t, = 200 us impuisions Pp K 6 <1% 3/6 1732N 2218, 2N 2218 A, 2N 2219, 2N 2219 A STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 25C (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES STATIQUES am (Saut indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vog = 10V t =1 2N 2218A| 30 150 c sims 2N 2219A| 50 300 f = 1 kHz Forward current transfer ratio bote Rapport de transfert direct du courant Voge = 10V Ig =10mA 2N 2218A| 50 300 f = 1 kHz 2N 2219A| 75 375 Veg = 10V CE Seat man) 1 38) f =TkHz 2N 2 Input impedance h Impdance dentre Tle Nee A 2N 2218 Al 0,2 1 Ko c 2219 A| 0,2 1,25 f =1kHz 2N 5 Voge = 10V 2N 218A 5 104 Ic =1mA 2N 22198 8 f = 1 kHz Reverse voltage transfer ratio h Rapport de transfert inverse de la tension 12b Vee =10V oe oma 2N 2218A\ 2,5 104 c 4 & =tkhe 2N 2219A Vee = 10V cE lg =1mA 2N 2218 3 is us f =1kHe 2N 2219 Output admittance h Admittance de sortie 22b Voe = 6 va 2N 2218A| 10 100 5 Ic = 10m DN 22194) 25 200 X f = 1 kHz Transition freque Vee =20V 2N 2218,A} 250 Tansition frequency _ t Frquence de transition Ic =20mA T 2N 2219 MHz f = 100 MHz 2N 2219 A! 300 4/6 1742N 2218, 2N 2218 A, 2N 2219, 2N 2219 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Untess otherwise stated} (Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Output capacitance Vop = 10 c. 2N 2218,A) 8 F Capacit de sortie le =0 22b ION 2219,A Pp f =1 MHz Vep= 0,5V (nput capacitance le = 0 Crib 2N 2218 Al 25 pF Capacit dentre pact f =1MHz 2N 2219 A Real part of input impedance Voe =20V Partie retle de l'impdance dentre Io = 20mA Re(hy 16) 60 2 f = 300 MHz Vce= 20 V Feedback time constant in =20mA [hyap] 150 ps Constante de temps de raction c pte! f = 31,8 MHz w Voce = 10V lo = 100 uA Noise figure = Facteur de bruit Rg 1 ka F 2N 2219 A 4 dB f = 1 kHz Af =1Hz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Figure 1 Gate controlled delay time ty 2N 2218A 10 ns Retard @ la croissance commande par la wo gachecte Veg ~-0,5V 2N 2219A Vec * 30V 'B1 =15mA woe . wy N 2218A Rise time F a1 'c 150 mA t 2 Temps de croissance gure . 2N 22194 26 ns . : . A Carrier storage time Figure 2 t 2N 2218 Retard & la dcroissance 5 Voc = 30 V s 2N 2219A 225 ns lo = 150 mA Ip, 15mA Failtime Figure 2| 'go ~15mA ty 2N 2218A 60 ns Temps de dcroissance 2N 2219A S/6 1752N 2218, 2N 2218 A, 2N 2219, 2N 2219 A SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 0,1 uF 619 2 Osciltoscope Oscilloscope Generator Gnrateur Z > 100k2 C < 12 pF Z= 500 . * t 5 ns t. & 2ns . ty 200 ns tO 0 " Figure 2 1kQ Generator Gnrateur Z = 502 100 us <5 ns +16,2Vp- Oscilloscope Oscilloscope ? Z > 100 kQ C < 12 pF o t. S 5ns x 500 us 6/6 176