Transistors NPN silicium *2N 3252 Planar pitaxiaux 2N 3253 NPN silicon transistors 2N 3444 Epitaxial planar * Dispositif recommand Prefered device - Commutation rapide fort courant Donnes principales Fast switching at high current Principal features ( 30 V 2N 3252 VcEO =, 40 V 2N 3253 50 V 2N 3444 le 1A h 30 - 90 2N 3252 Dissipation de pui mat (coo ay 22 75 2N 3253 issipation de puissance maximale Manigum power viasination m 20 - 60 2N 3444 Plo wif 4 Boitier TO-39 Case 3 Ly j My B fam (c) 0 50 100 150 200 ne eci{2) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamb= 25C Absolute ratings (limiting values} (Sauf indications contraires) (Unless otherwise ified) Paramitre Parameter 2N:3252 | 2N 3253 |. 2N 3444 Tension collecteur-base Collectar-base voltage VeBo 60 75 80 Vv Tension collecteur-metteur 4 Collector-emitter voltage Vceo 30 40 50 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 5 5 5 Vv Courant collecteur 1 Collector current Cc 1 1 1 A t =25C (1) Dissipation de puissance amb Prot t= 1 1 \ Ww Power dissipation toase =25C (2} 5 5 5 Temprature de jonction max, t 200 200 200 c Junction temperature J Temprature de stockage min. ter 65 ~ 65 65 C Storage temperature max. stg +200 +200 +200 1970-05 1/4 af Sesoe sen 2N 3252 * 2N 3253 2N 3444 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics { Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified) Paramtre Conditions de mesure Min: | Typ. | Max. Parameter dest conditions Min. |. Typ. |. Max. ' = 2N 3252 05 N 32 Veg = 40V E CB le =0 2N 3253 05 Vog = 60V 2N 3444 , Courant rsiduel collecteur-base Ip =0 lego uA Collector-base cut-off current Veg =40V 2N 3252 76 tamb = 100C fe =0 2N 3253 Veg = 60V 75 tamb = 100C 2N 3444 pe Vee =-4V | Van =40V 2N 3252 05 Courant rsiduel collecteur-metteur CEO a A Collector-emitter cut-off current VBE =4V 2N 3253 CEX B = 0,5 Veg = 60V 2N 3444 ena 5 _ fn Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-off current Veg =4V EBO 0,05 | uA 2N 3252 60 Tension de claquage collecteur-base le = 0 Vv Collector-base break down voltage lo = 10 RA 2N 3253 [(BRICBO| 75 Vv 2N 3444 80 Ie 2N 3252 30 Tension de claquage collecteur-metteur B * Collector-emitter breakdown voltage le =10mA 2N 3253 [V(BR)CEO} 40 v 2N 3444 50 J ho = | Tension de claquage metteur-base c Emitter-base breakdown voltage te = 10nA ViprjeBso} 5 Vv ee eee Sapa] le = 150 mA 2N 325, 30 2N 3253 25 Vee =1V Valeur statique du rapport du transfert 2N 3444 x | 20 direct du courant ee hoe b+-4 Static forward current transfer ratio 2N 3252 30 90 le = 500 mA 2N 3253 25 75 Voce =1Vv 2N 3444 20 60 *impulsions tp = 300s < 2% Pulsed 2a * 2N 2N 2N 3252 3253 3444 Caractristiques gnrales 4 tambh = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Min. | Typ. )..Max. Mia. -| Typ: Mex. G { \ 1A 2N 3252 25 Valeur statique du rapport du transfert direct du courant. Vv. =5V 2N 3253] hoye* | 20 Static forward current transfer ratio CE ~ 2N 3444 15 2N 3252 0,3 'c = 150 mA i _ 2N 3253 0,35 B =15mA 2N 3444 0,35 ' 500 mA 2N 3252 0,5 Tension de saturation collecteur-metteur c * m * Collector-emitter saturation voltage hp = 50mA 2N 3253 | Vcesat 0,6 v 2N 3444 0,6 2N 3252 1 lo =A Ig = 100mA 2N 3253 1,2 2N 3444 1,2 lo = 150mA lp = 15mA 1 . . i = 500 mA Tension de saturation base-metteur c Vv, * Base-emitter saturation voltage Ip = 50mA BEsat 07 1,3 v | =tA Cc | Ig = 100mA 1.8 | Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) *Impulsions ty =300us 5 < 2% Dynamic characteristics (for small signals) , le = 5OmA 2N 3252 200 Frquence de transition = Transition frequency Voce = 10V 2N 3253 tT 175 MHz f = 100 MHz | 2N 3444 150 Vep = 10V 2N 3252 le =0 12 2N 3444 Capacit de sortie f = 100 kHz Coy pF Output capacitance Veg =20V ? le =0 2N 3253 12 f = 100 kHz Vep =QO5V Capacit dentre _ taut capacitance le =0 C, Ib 80 pF f = 100 kHz 3/4 2N 3252 * 2N 3253 2N 3444 Caractristiques gnrales & tamh = 25C General characteristics Caractristiques de commutation Switching characteristics | Parambtre Parameter . Retard a la croissance {Fig.2) = Delay time 9 Ip 50 mA ty 15 ns Var * -2V le = 500mA | 2N 3252 30 Temps de croissance (Fig.2) = Rise time 9 Ip = 50mA | 2an3253{ ty 35 | ns Vee * -2V 2N 3444 35 le = 500 mA Retard a la dcroissance (Fig.3) 1 = 50mA t 40 ns Storage time B1 . s Ipp = 50mA Iq = 500mA i Fig.3. Fer boae eerolssance Fig) | tgy = 50 mA % 30 | ns Iga = 50mA = Charge stocke (Fig.1) Ie 500 mA o 5 c Stored charge 31 = BOmA s n Cc <500 pF My te . Oscilloscope 180 2 a ' Oscilloscope 10V 4 AW, 59 2 10 us . v = Figure 1 1 + re 7 30V oO o 52% 200 2 5) Oscilloscope Vv 4 Oscilloscope 592 Figure 2 + T 30V 10 et us p < 500 us aa < Ss Oscilloscope Oscilloscope