NTE5551 & NTE5553
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
750 Amp, TO200AB
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM
NTE5551 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5553 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5551 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5553 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On−State Current (Half Sine Wave), IT(AV)
Ths = +55°C (Double Side Cooled) 390A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ths = +85°C (Single Side Cooled) 160A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On−State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT(RMS) 780A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous On−State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT668A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One−Cycle Surge (10ms duration, 60% VRRM re−applied), ITSM (1) 4650A. . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive On−State Current (10ms duration, VR ≤ 10V), ITSM (2) 5120A. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t
10ms duration 131000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3ms duration 97350A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), IFGM 19A. . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), VFGM 18V. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM 5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, PG2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100μs pulse width), PGM 100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM gate open−circuit), dv/dt 200V/μs. . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of On−State Current, di/dt
(Gate drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1μs, anode voltage ≤ 80% VDRM)
Repetitive 500A/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non−Repetitive 1000A/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, Ths −40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg −40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction−to−Heatsink, Rth(j−hs)
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)
Double Side Cooled 0.095°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Side Cooled 0.190°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .