Radiation generating diodes CQ (!) maximum value P: PRELIMINARY DATA (3) with plane window (4) with thicker lens (5) 7 segment display CQX85A: with black surface Dispositifs gnrateurs de radiations - Strahlungserzeugende Elemente RATINGS CHARACTERISTICS (at T,4=25C unless otherwise stated) T at 6 I, at at at L TYPE a? 1 oT, 1. | %50z etnj-a} x NOTES wR I, Prot Tamb| etot | t, med Vp ly Apeak WR=0 oa te F N (R)Red 3 3 3 E (G)Green v | mA | ow Cc uw |uwW/sr[ed/m Vv mA | nm | pF |MHz | ns | ns | mA c/w S| (y)ellow max |max | max typ t typ | max typ |typ typ | typ max CQK10 5 50 100 | 65 2 2 20 660 80 0,5 50 350 NS330 GaAsP (R) cQxit 5 50 100 | 65 2,6 3,2 20 560 100 0,5 50 350 N330 GaP (G) CQXK12 5 50 100 | 65 4,2 3,2 20 590 100 0,5 50 350 NS330 GaAsP (Y) CQK14 3 100 170 | 25 Pumoe4 mW min 1,7 $100 940 300 200 NS331A | GaAs CQX15 3 100 170 | 25 Pond mW min 1,7 4100 940 300 200 NS331B | GaAs CQKI6 3 100 170 | 25 Pool >> mW min 1,7 |100 940 300 200 NS$331A | GaAs CQX17 3 100 170 j 25 Poul o mW min 1,7 4100 940 300 200 NS$331B ] GaAs p }CQK23 3 60 210 3 20 640 50 50 NS366 (R) P }CQK25 5 50 80 | 25 2,6 2 20 660 80 0,5 30 940 NS328 GaAsP (R) P }CQK26 5 50 80 | 25 4 3,2 20 560 100 0,5 30 940 NS328 GaP (G) P 1CQK27 5 50 80 | 25 5 3,2 20 590 100 0,5 30 940 NS328 GaAsP (XY) P }CQX33 3 60 210 3 20 580 50 50 NS366 (y) CQX85 3 30 65 25 0,1 2 20 650 60 1 90! 1000 NS370 GaAsP (b)(R) CQX85A 3 30 65 25 0,1 2 20 650 60 1 90! 1000 NS370 GaAsP (b) (R) CQYIIA 2 30 P/I-= 2mW/A 1,4 30 875 570 110d3 | GaAs CQY1IB 2 30 P/I = 2mW/A 1,4 30 875 100! | 100! /20 570 11043 | GaAs CQY11C 2 30 50] 95 50 1,25 1,6a] 20 880 25 20 100! | 100! |20 600 110d! } GaAs cgyi2p| 2 | 300 P/L = 2mW/A 1,4 |300 | 875 1 270 1122] GaAs cQy13 See Photo~coupler page 204 CQY17A 100 185} 25 4 1,8 | 100 950! 1000 1000 1100 500 110B1} GaAs IV CQYI7B 100 185] 25 6,3 1,8 | 100 950! OOO {1000 |100 500 410B! | GaAs Vv CQY17 100 185] 25 10 1,8 {100 950! HOO 41000 |100 500 110B! | GaAs -VI CQY24A 3 50 100} 37,5 1,5 2 20 650 60 } 625 NS288 GaAsP cqgy255| 3 10} 160] 25 684| 2 5 | 650 } 25 1 NS287, | GaAsP cQy31 4 100 165] 25 1000 | 0,25 1,5 | 100 910 130 0,5 | 100 100 80 450 110c GaAs CQY32 4 100 165) 25 1000 | 4,5 1,5 | 100 910 130 0,5 | 100 100 10 450 110c, GaAs CQY33A 5 100 165] 25 40001] 1,2 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 80 450 } 0c, GaAs CQY33B 5 100 165} 25 6000!) 1,2 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 80 450 1 0c, GaAs CQY33C 5 100 165} 25 5000") 1,2 1,7 {| 100 925 100 0,5 | 500 600 80 450 1 10c) GaAs CQY34A | 5 100 | 165] 25 4000!) 13 1,7 | 100 | 925 100 | 0,5 | 500 | 600 25 450 1 10c, GaAs CQY34B 5 100 165] 25 6000!) 13 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 25 450 1 10c | GaAs CQY34C 5 100 165] 25 5000") 13 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 25 450 1 (0c, GaAs CQY35A 5 100 1654 25 4000!/20 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 10 450 1 10c, GaAs CQY35B 5 100 165{ 25 6000!) 20 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 10 450 I 10c, GaAs CQY35C 5 100 165} 25 5000") 20 1,7 | 100 925 100 0,5 { 500 600 10 450 110c GaAs CQY36 5 50 80] 25 2000 0,4 1,6 50 925 100 0,5 | 500 600 80 940 NS285A | GaAs CQY37 5 50 80} 25 2000 2,2 1,6 50 925 100 0,5 | 500 600 25 940 NS285B | GaAs CQY36/4% 9 Elements GaAs Infrared Emitting diodes arrays NS311A CQY37/H% 9 Elements GaAs Infrared Emitting diodes arrays NS311B CQY38HA 5 100 165] 25 8! 1,6 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 160 450 NS326 GaAs CQY38HB 5S 100 165} 25 12! 1,6 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 160 450 NS326 GaAs cQy38Hq 5 100 165] 25 10" 1,6 1,7 | 100 925 100 0,5 | 500 600 160 450 NS326 GaAs cQy39 3 50 750 500 1,6 50 910 100 0,5 | 100 100 50 940 NS248 GaAs CQY40L 5 50 100; 65 1,6 2 20 660 80 0,5 76 350 NS327 GaAsP (R)} CQY4i 5 50 100] 25 1,6 2 20 660 80 0,5 40 NS285B | GaAsP (R} (") typical value (1) with lens (a) at I, = 30 mA 205 (") minimum value (2) with reduced height and lens (b) CQX85 : with red surface