20,25
41,25
79,4
57
171
190
61,561,5
13
28
31,5
CCC
EE
CEG
7 (für M6-Schraube)
21 3 4
78 6 5
M8
M4
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
20.03.1998
Marketing Information
FZ 2400 R 12 KF4
external connections
to be done
external connections
to be done
C
E
G
E
C
E
C
E
C
http://store.iiic.cc/
FZ 2400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage t
vj
= 25°C V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
C
2400 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t
p
=1 ms I
CRM
4800 A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation t
C
=25°C, Transistor / Transistor P
tot
15 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
GE
± 20 V
Dauergleichstrom DC forward current I
F
2400 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t
p
=1ms I
FRM
4800 A
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage i
C
=2,4kA, v
GE
=15V, T
vj
=25°C v
CE sat
-2,7 3,2 V
i
C
=2,4kA, v
GE
=15V, T
vj
=125°C -3,4 4V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage i
C
=96mA, v
CE
=v
GE
, T
vj
=25°C v
GE(th)
4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität input capacity f
O
=1MHz,T
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V C
ies
-170 -nF
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current v
CE
=1200V, v
GE
=0V, T
vj
=25°C i
CES
-48 -mA
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C -240 -mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current v
CE
=0V, v
GE
=20V, T
vj
=25°C i
GES
- - 600 nA
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current v
CE
=0V, v
GE
=20V, T
vj
=25°C i
EGS
- - 600 nA
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=±15V t
on
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=25°C -0,7 -µs
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=125°C -0,8 -µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=±15V t
s
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=25°C -0,9 -µs
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=125°C -1,0 -µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=±15V t
f
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=25°C -0,1 -µs
V
LR
=15V,R
G
=0,47Ω, T
vj
=125°C -0,15 -µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor turn-on energy loss per pulse i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=±15V E
on
Einschaltverlustenergie pro Puls L
S
=40nH,R
G
=0,47
Ω
, T
vj
=125°C -310 -mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=±15V E
off
L
S
=40nH,R
G
=0,47
Ω
, T
vj
=125°C -410 -mWs
Inversdiode / Inverse diode forward voltage i
F
=2400A, v
GE
=0V, T
vj
=25°C v
F
-2,2 2,7 V
Durchlaßspannung i
F
=2400A, v
GE
=0V, T
vj
=125°C -22,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current i
F
=2,4kA, -di
F
/dt=12kA/µs I
RM
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=25°C -750 -A
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=125°C -1200 -A
Sperrverzögerungsladung recovered charge i
F
=2,4kA, -di
F
/dt=12kA/µs Q
r
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=25°C -80 -µAs
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=125°C -270 -µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R
thJC
0,0084 °C/W
Diode /diode, DC 0,014 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R
thCK
typ. 0,006 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature T
vj max
150 °C
Betriebstemperatur operating temperature T
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature T
stg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation internal insulation Al
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque terminals M6 / tolerance ±15% M1 5Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5 / -10% M2 2Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight Gca. 2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 750 V
vL = ±15V vCEM = 850 V
RGF = RGR = 0,47 ΩiCMK1 ≈ 15000 A
tvj = 125°C iCMK2 ≈ 13000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 12nH x |dic/dt|
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FZ 2400 R 12 KF4
FZ 2400 R 12 KF4 / 1FZ 2400 R 12 KF4 / 2
FZ 2400 R 12 KF4 / 3FZ 2400 R 12 KF4 / 4
FZ 2400 R 12 KF 4 / 5FZ 2400 R 12 KF4 / 6
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
1234512345
iC
[A]
iC
[A]
iC
[A]
iC
[A]
vCE [V]vCE [V]
vCE [V]
5 6 7 8 9 10 11 12
vGE [V]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
10-1
10-2
10-3
10-4
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10-310-210-1100101
2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6 0,511,522,5 3
iF
[A]
vF [V]
ZthJC
[°C/W]
t [s]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125°C
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 0,47 Ω
Bild / Fig. 5
Transienter Wärmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
20 V
8 V
VGE =
tvj =
Diode
IGBT
25°C125°C
10 V
9 V
12 V
15 V
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