PNP SILICON TRANSISTOR TRANSISTOR PNP SILICIUM Compl. of BC 546 at BC 550 ** BC 556, BC 557 *f BC 558 BC 559, BC 560 - General purpose BC 556/BC 557/BC 558 Usage gnral BC 556/BC 557/8C 558 Low noise BC 559/BC 560 Faible bruit BC 559/8C 560 The BC 556/BC 557/BC 560 are available in A and B groups ; the BC 558/BC 559 in A, B and C groups. Les BC 556/BC 557/BC 560 sont livrables dans les groupes A et B ; les BC 558/BC 559 dans les grou- pes A, Bet C. Maximum power dissipation , Dissipation de puissance maximaie Pp tot (w) \ 378 1 X 1 1 250 \ { | \ | \ 1 125 + \ 1 I Qo 50 100150 TC) Plastic case oK Preferred device Dispasitif recommand VcEo om -~65V BC 556 ~45V BC 557/BC 560 ~30V BC 558 ~-25V BC 559 ~200 mA Boftier plastique Weight : 0,3 g. Masse c(,9)E B Bottom view Vue de dessous F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Voir dessin cot C8-76 dernires pages Collector is connected to case Le collecteur est reli su boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION Tamb= +25 C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} BC 556 BC 557 BC 558 BC 559 BC 560 Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEO 65 45 30 ~25 45 Vv Collector-base voltage Tension collecteur-base VeBo ~80 50 30 ~30 50 v Emitter-base voltage Vv 5 5 5 5 5 Vv Tansion matteur-bese EBO Peak collector current Courant de ertte de collecteur lem 200 200 ~200 200 ~200 mA Power dissipation Dissipation de pulssence Prot 500 500 500 500 500 mW Junction temperature Temprature de jonction max. yj +150 +150 +150 +150 + 150 C Storage temperature min. T ~ 65 65 ~- 65 65 65 C Temprature de stockege max. stg +150 +150 +150 +150 +150} C 76-08 1/9 THOMSON-CSF VISION. SEMICONDUCTEVRS 409 Sesasam