Complementary Silicon
High-Power Transistors
...for general–purpose power amplifier and switching
applications.
•25 A Collector Current
•Low Leakage Current —
ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
•Excellent DC Gain —
hFE = 40 Typ @ 15 A
•High Current Gain Bandwidth Product —
hfe = 3.0 min @ IC
= 1.0 A, f = 1.0 MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TIP35A
TIP36A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TIP35B
TIP36B
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TIP35C
TIP36C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60 V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
80 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100 V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60 V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
80 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100 V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak (1)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
25
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
125
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Unclamped Inductive Load
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ESB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
90
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
35.7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle 10%.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
January, 2002 – Rev. 4 1Publication Order Number:
TIP35A/D
TIP35A
TIP35B
TIP35C
TIP36A
TIP36B
TIP36C
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–100 VOLTS
125 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
*
NPN
PNP *
*
*
CASE 340D–02
TO–218AC
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
2
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0 125
0
25
175
75
100
75 100
50
125
25 150
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
50
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mA, IB = 0) TIP35A, TIP36A
TIP35B, TIP36B
TIP35C, TIP36C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 30 V, IB = 0) TIP35A, TIP36A
(VCE = 60 V, IB = 0) TIP35B, TIP35C, TIP36B, TIP36C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current
(VEB = 5.0 V, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 1.5 A, VCE = 4.0 V)
(IC = 15 A, VCE = 4.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
15
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
75
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 A, IB = 1.5 A)
(IC = 25 A, IB = 5.0 A)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.8
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 15 A, VCE = 4.0 V)
(IC = 25 A, VCE = 4.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 A, VCE = 10 V, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 A, VCE = 10 V, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits
0.3
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
0.02
1.0 30
0.07
1.0
10
TJ = 25°C
IC/IB = 10
VCC = 30 V
VBE(off) = 2 V
t, TIME (s)µ
0.5
0.3
0.1
0.05
0.5 3.0 5.0
0.03
0.7
2.0
0.7 7.0
tr
0.2
2.0 20
td
(PNP)
(NPN)
TURN–ON TIME
TURN–OFF TIME
+2.0 V
0
tr ≤
20 ns
-11.0 V
10 TO 100 µS
3.0RL
-30 VVCC
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
10
RB
TO SCOPE
tr ≤ 20 ns
VBB +4.0 V
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 4, RB & RL ARE VARIED.
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.
0
+9.0 V
-11.0 V
10 to 100 µs
tr ≤ 20 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
3.0RL
-30 VVCC
10
RB
TO SCOPE
tr ≤ 20 ns
0.5 1.0 2.0 7.00.3 3.0 5.00.7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 4. Turn–Off Time
10
t, TIME (s)µ
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10 20 30
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
ts
tf
(PNP)
(NPN)
ts
tf
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
Figure 5. DC Current Gain
200
500
0.2 0.5 2.0 1000.1
100
50
20
10
1.0
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
5.0
10 205.0 50
PNP
NPN
1000
2.0
1.0
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
4
FORWARD BIAS
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 6 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated when TC 25C. Second breakdown limitations do
not derate the same as thermal limitations.
REVERSE BIAS
For inductive loads, high voltage and high current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases,
with the base to emitter junction reverse biased. Under these
conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
accomplished b y several means such as active clamping, RC
snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
and represents the voltage–current conditions during
reverse biased turn–off. This rating is verified under
clamped conditions so that the device is never subjected to
an avalanche mode. Figure 7 gives RBSOA characteristics.
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7.0 201.0 50 100
0.2
0
0.5
SECONDARY BREAKDOWN
THERMAL LIMIT
BONDING WIRE LIMIT
1.0ms
dc
300µs
2.0
1.0
100
30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10ms
Figure 6. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area
50
20
10
5.0
0.3
2.0 3.0 5.0 10 30 70
TC = 25°C
TIP35A, 36A
TIP35B, 36B
TIP35C, 36C
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40 600 80 100
5.0
0
15
20
40
30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area
25
10
10 20 30 50 70 90
TJ ≤ 100°C
TIP35A
TIP36A
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
5
Figure 8. Inductive Load Switching
TEST CIRCUIT
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS
NOTES:
A. L1 and L2 are 10 mH, 0.11 Ω, Chicago Standard Transformer Corporation C–2688, or equivalent.
B. Input pulse width is increased until ICM = –3.0 A.
C. For NPN, reverse all polarities.
INPUT
50
MJE180 RBB1
20
RBB2 = 100
VBB2 = 0
VBB1 = 10 V
VCE MONITOR
L1
(SEE NOTE A)
L2
(SEE NOTE A)
TUT
VCC = 10 V
IC MONITOR
+
-
RS = 0.1 Ω
50
+
-
5.0 V
0
-3.0 A
-10 V
tw = 6.0 ms
(SEE NOTE B)
INPUT
VOLTAGE
COLLECTOR
CURRENT
COLLECTOR
VOLTAGE
V(BR)CER
0
0
100 ms
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340D–02
ISSUE E
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
A
D
VG
K
SL
U
BQ
123
4
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
EC
J
H
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A--- 20.35 --- 0.801
B14.70 15.20 0.579 0.598
C4.70 4.90 0.185 0.193
D1.10 1.30 0.043 0.051
E1.17 1.37 0.046 0.054
G5.40 5.55 0.213 0.219
H2.00 3.00 0.079 0.118
J0.50 0.78 0.020 0.031
K31.00 REF 1.220 REF
L--- 16.20 --- 0.638
Q4.00 4.10 0.158 0.161
S17.80 18.20 0.701 0.717
U4.00 REF 0.157 REF
V1.75 REF 0.069
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
7
Notes
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP35A/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
