N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 1/2
Seite/page
5555Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
TT61N TD61N DT61N
TT61N...-K TD61N...-A DT61N...-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1200
1600
1400 V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200
1600
1400 V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300
1700
1500 V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM 120 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
TC = 76°c
ITAVM 60
76
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 1550
1400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 12000
9800
A²s
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
(diT/dt)cr 150 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 300 A vTmax. 1,9 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V(TO) 0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max rT3,4 mΩ
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max. 120 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max. 1,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 200 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
ILmax. 620 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iRmax. 20 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tgd max. 3 µs
prepared by: C.Drilling date of publication: 09.07.02
approved by: J. Novotny revision: 3
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 2/2
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
typ. 120 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL 2,5
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC max.
max.
max.
max.
0,26
0,52
0,25
0,50
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH max.
max.
0,08
0,16
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg -40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 4 Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 4 Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G typ. 160 g
Kriechstrecke
creepage distance
12,5 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
UL-gelistet
UL listed
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 3/2
Seite/page
Maßbild
Maßbild
Maßbild
12 3
TT
45 76
12 3
TD
45
12 3
DT
76
12 3
TT-K
45
76
12 3
TD-A
45
12 3
DT-K
76
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 4/2
Seite/page
R,T – Werte
Di
R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n1234567
Rthn [°C/W] 0,0218 0,0426 0,1886 0,2470
τn [s] 0,000945 0,01 0,31 1,762
Analytische Funktion / Analytical function: S
=t
max
n
n=1 thnthJC n
– t
- e1RZ
Natürliche Kühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (50W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n1234567
Rthn [°C/W] 0,007 0,191 0,142 2,12
τn [s] 0,858 6,07 47,7 917
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n1234567
Rthn [°C/W] 0,007 0,191 0,142 0,570
τn [s] 0,858 6,07 47,7 247
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1 thnthCA n
– t
- e1RZ
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 5/2
Seite/page
Diagramme
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
0,000
0,200
0,400
0,600
0,800
0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Z(th)JC [°C/W]
60°
90°
120
180°
Θ =
30°
0°
0
180°
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,000
0,200
0,400
0,600
0,800
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Z(th)JC [°C/W]
Θ =
30°
60°
90°
120°
180°
DC
0°
0
180°
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 6/2
Seite/page
Diagramme
Durchgangsverluste bei Sinus
Durchgangsverluste bei Rechteck
0
20
40
60
80
100
120
0 20406080
ITAV [A]
PTAV [W]
Q = 30°
60°
90°
120°
180°
0°
0
180°
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 20 40 60 80 100 120
ITAV [A]
PTAV [W]
DC
180°
120°
90°
60°
Q = 30°
0°
0
180°
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 7/2
Seite/page
Gehäusetemperatur bei Sinus
Gehäusetemperatur bei Rechteck
20
40
60
80
100
120
140
0 20406080
ITAVM [A]
TC [°C]
Q = 30° 60° 90° 120° 180°
0°
0
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
20
40
60
80
100
120
140
0 20406080100120
ITAVM [A]
TC [°C]
Q = 30° 60° 90° 120° 180° DC
0°
0
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 8/2
Seite/page
Maximaler Strom bei B2 und B6
0
100
200
300
400
500
0 20406080100120
T A [°C]
P tot [W]
RthCA [°C/W]
0,040,060,08
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,60
0,40
1,20
0,12
+
-
B2
I
D
~
0,80
050100150200
I D [A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
0
200
400
600
800
0 20406080100120
T A [°C]
P tot [W]
0,020,04
0,06
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
0,08
+
-
B6
I
D
3~
R thCA [°C/W]
0 100 200
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 9/2
Seite/page
Maximaler Strom bei W1C und W3C
0
50
100
150
200
250
0 20406080100120
TA [°C]
P tot [W]
R thCA [°C/W]
2,00
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,70
0,35
1,00
1,50
3,00
~
~
I
RMS
W
1C
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 20406080100120
T A [°C]
P tot [W]
R thCA [°C/W]
0,04
0,10
0,06
0,08
1,50
0,14
0,30
0,20
0,25
0,40
0,60
1,00
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
0 20406080100120140160180
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 10/2
Seite/page
Steuercharakteristik
Zündverzug
0,1
1
10
100
1 10 100 1000 10000 100000
iG [mA]
vG [V]
Tvj max = +125°C
Tvj = -40 °C
Tvj = +25°C
a
b
c
d
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1ms
0,1
1
10
100
1000
10 100 1000 10000
iGM [mA]
tgd [µs]
a
b
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 11/2
Seite/page
Sperrverzögerungsladung
Grenzstrom
100
1000
10000
1 10 100
-di/dt [A/µs]
iTM = 200A
20A
50A
100A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
0
200
400
600
800
1.000
1.200
1.400
1.600
0,01 0,1 1
t [s]
IT(OV)M [A]
a
TA = 35 °C
b
TA = 45 °C
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
Leerlauf / No-load conditions
a: TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
b: TA = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT61N
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 12/2
Seite/page
Überstrom
0
200
400
600
800
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]
I
T(OV)
[A]
I TAV (vor) =
0 A
5 A
10 A
15 A
20 A
25 A
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM14 (50W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)
0
200
400
600
800
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]
I
T(OV)
[A]
I TAV (vor) =
0 A
20 A
30 A
35 A
40 A
45 A
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM14 (Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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