NPN SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL COLL TRANSISTORS SILICIUM NPN COLLECTEUR EPITAXIE 2N 5038 2N 5039 ECTOR - High current fast switching transistor Transistor de commutation rapide fort courant - High frequency applications as switching power supply ,convecter. Applications haute frquence tels que alimentations a dcoupage et convertisseurs. Dissipation derating Variation de dissipation V 90 V 2N 5038 CEO 75V 2N 5039 Ic 20 A Prot 140 W Rthij-c) 1,25C/W max. hee 20 min. Case TO-3 - See outline drawing CB-19 on last pages Bojtier Voir dessin cot CB-19 dernires pages E 100 % 75 an o> 50 N \ Bottom view B 28 X Vue de dessous Weight : 14,4 g Collector is connected to case 0 50 1000-180 200 toase icc) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) 4 _ 25C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case {Sauf indications contraires} 2N 5038 2N 5039 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBo 150 120 v Collector-emitter voltage Vv Tension coliecteur-metteur ceo 90 cE) v Collector-emitter voltage Rec = 502 Vv Tension collecteur-metteur BE cER 10 95 v Callector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur cEX 150 120 v Emitter-base voltage Vv - Tension metteur-base EBO 7 v Collector current { Courant collecteur c 20 20 A Peak collector current _ Courant de crte de collecteur to = 10 ms lom 30 30 A Base current . Courant base | B 5 5 A Power dissipation . __ 9K P Dissipation de puissance Tease = 26C tot 140 140 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max, J 200 200 C Storage temperature min t ~65 65 Temprature de stockage max. stg +200 +200 c 74-3 1/4 THOMSON - CSF 383 DIVISION SEMICONOUCTELIRS, 2N 5038, 2N 5039 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C {Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 55 Vv ; 0 2N 5039 20 mA Collector-emitter cut-off current BO lero Courant rsiduel collecteur-6metteur Vv =70V cE ~ 2N 5038 20 mA Ip =0 = Vv VoE ee V 50 mA Vee =) = 2N 5039 Vee = 85 V VBE =-1,5V 10 mA 9, tease = 150C Coltector-emitter cut-off current loex Courant rsiduel collecteur-metteur Vv CE = 140 V 50 A m Vee =! 5V Veg = 100 Vv 2N 5038 Vee =-1 bv 10 mA Tease = 150C Veg =5V 2N 5038 5 mA lo =0 Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsiduel metteur-Lase I c =-0 'EBO 2N 5039 16 mA Vep =7V EB 2N 5038 Ig =0 2N 5039 50 mA 2N 5038 390 Vv Collector-emitter breakclown voltage 'o =200mA Vv Tension de claquage collecteur-metteur tL =15mH (BR}CEO 2N 5039 75 Vv N 503: 110 col ster break ; lg -=200mA 2N 5038 Vv oltector-emitter breakdown voltage _ Vv Tension de claquage collecteur-metieur R BE 50 2 (BRICER tL =15mH 2N 5039 95 Vv Vee = -15V 2N 5038 150 Vv Collector-emitter breakclown voltage Iq = 200maA ViBRICEX Tension de claquage collectaur-6metteur Ree =1002 Lt =2mH 2N 5039 120 Vv Pulsed t, = 350yus 5<2% impulsions Pp 2/4 384 2N 5038, 2N 5039 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case {Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Emitter-base breakdown voltage Ie =50mA V * Tension de claquage metteur-base ' c = 0 {BR)EBO 7 v Vee = 5V 50 200 V Io =2A 2N 5038 Vag =5V cE lg =12A 20 100 Vv Static forward current transfer ratio hoy e* Valeur statique du rapport de transfert Vv direct du courant cE = 5Vv 30 150 Vv Io =2A 2N 5039 Vee =5V cE 20 100 Ig =10A Vv Iq =10 A 1 v tg =tA 2N 5039 | =20A c 5 Ig =5A 2, Vv Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur CEsat c= IZA 1 Vv lg = 1,2A 2N 5038 lo = 20A 25 Vv Ip =5A . . \ =20A * Base-emitter saturation voltage c v Tension de saturation base-metteur 'g =5A BEsat 33 v =5V Voce =5 2N 5039 1.8 v oe =10A Base-emitter voltage Vee Tension base-metteur Vv BV cE * 2N 5038 18 v Io = 12A Voce =28V 5 A Second breakdown collector current t =ts Ig/g Courant coffecteur de second claquage Vv VcE = 45 0,9 A t = Is Vee =-4V Second breakdown energie Ree = 20 a Esp 13 mJ Energie de second claquage lo =1 2A L. = 180puH * Pulsed +, = 350us < 2% impulsions ? 3/4 385 2N 5038, 2N 5639 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux! (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Voce = 10V Forward current transfer ratio ! =2A h 12 Rapport de transfert direct du courant Cc - 2te f = 5 MHz Veg =10V Transition frequency _ Frquence de transition lo =2A fr 60 MHz f =5MHz Output capacitance Veg =10V C. Capacit de sortie f cB = 1MHz 22b 300 PF Io =12A Ip, =12A 2N 5038 05 bs Igo =12A Rise time t Temps de croissance r Io =10A Igy =I1A 2N 5039 0,5 us lpg =1A lc = 12A Ip1 =U2ZA 2N 5038 1,5 us Igo =-1.2A Carrier storage time t Retard a la dcroissance s Iq =10A Igy =1A 2N 5039 1,5 ps Ippo =-1A Iq =12A Ip, =12A 2N 5038 0,5 us lpg =12A Fall time t Temps de dcroissance f Iq =10A tay = 1A 2N 5039 05 Hs Igo = 1A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rehtj-c) 1,25 C/W Rsistance thermique (jonction-bof tier} * Pulsed t,=350us 56 < 2% impuisions P 4/4 386