SH
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Datenblatt / Data sheet
D 931SH
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... Tvj max V
RRM
6500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 1880 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 60°C, f=50Hz
IFAVM 940
1200
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 16000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 1280
10³ A²s
10³ A²s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68Ω, DCL = 34DSH65,
CCL = 3µF
Wmax 4MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ < 100
VR(D) estimate
value
3200 V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
vF
typ.
max.
4,82
5,6
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
1,78
1,99
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
1,21
1,44
m
m
A 0,702
B 0,000412
C -0,0354
typ.
D 0,0673
A 0,739
B 0,00019
C -0,1355
Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 3000A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,1084
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM typ. 430 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM i
R max. 100 mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr max. 3500 µAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM max. 1300 A
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68, CCL = 3µF,
DCL = 34DSH65, -di/dt = 1000A/µs Eoff max. 8 Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt(i=0) = 1000A/µs, trf = 200ns
FRRS typ. 1,6
prepared by: C. Schneider date of publication: 2006-11-22
approved by: J. Przybilla revision: 7
F
FFF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0111
0,01
0,0174
0,0236
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,003
0,006
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op 0...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
65DSX65
Anpresskraft
clamping force
F 27...45 kN
Gewicht
weight
G typ. 850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
17 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00354 0,00373 0,00155 0,00093 0,00025
beidseitig
two-sided τn [s] 0,9 0,118 0,0282 0,00422 0,00134
Rthn [°C/W] 0,0106 0,00039 0,00462 0,00116 0,00063
anodenseitig
anode-sided τn [s] 4,89 0,253 0,0883 0,00932 0,00185
Rthn [°C/W] 0,01687 0,00024 0,00426 0,0013 0,00093
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 4,52 0,745 0,113 0,0214 0,00359
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
bl
al
cl
0
0,0025
0,005
0,0075
0,01
0,0125
0,015
0,0175
0,02
0,0225
0,025
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
typ. max.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
01234567
vF [V]
iF [A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Tc beidseitig
IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
Qr [µAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25µH,RCL = 68
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25µH,RCL = 68
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
Eoff [Ws]
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25µH,RCL = 68
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Ta bei Sinus
typ.
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
diF/dt [A/µs]
VFRM [V]
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage VFRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
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