Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 Key Parameters VDRM / VRRM 1600V ITAVM 1051A (TC=85C) ITSM 33600A VT0 0,8V rT 0,15m RthJC 0,0388K/W Base plate 70mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features Druckkontakt-Technologie fur hohe Zuverlassigkeit Pressure contact technology for high reliability Advanced Medium Power Technology (AMPT) Advanced Medium Power Technology (AMPT) Industrie-Standard-Gehause Elektrisch isolierte Bodenplatte Industrial standard package Electrically insulated base plate Typische Anwendungen Typical Applications Sanftanlasser Gleichrichter fur Antriebsapplikationen Kurzschlieer-Applikationen Leistungssteller Gleichrichter fur UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter Bypass-Schalter Soft starters Rectifier for drives applications Crowbar applications Power controllers Rectifiers for UPS Battery chargers Static switches Bypass switches 2 1 4 5 content of customer DMX code serial number SAP material number Internal production order number datecode (production year) datecode (production week) Date of Publication 2019-04-23 DMX code digit 1..5 6..12 13..20 21..22 23..24 DMX code digit quantity 5 7 8 2 2 Revision: 3.2 TZ www.ifbip.com support@infineon-bip.com Seite/page 1/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM 1600 V Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40C... Tvj max VDSM 1600 V Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25C... Tvj max VRSM 1700 V ITRMSM 1000 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85C ITAVM 1051 A Stostrom-Grenzwert surge current Tvj = 25C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms ITSM 33600 A 28200 A Grenzlastintegral It-value Tvj = 25C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms It Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s (diT/dt)cr 200 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/s Tvj = Tvj max , iT = 3000 A vT max. 1,52 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT max. 0,15 m Zundstrom gate trigger current Tvj = 25C, vD = 12V IGT max. 250 mA Zundspannung gate trigger voltage Tvj = 25C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25C, vD = 12V, RA = 1 IH max. 500 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tg = 20s IL max. 2500 mA Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 140 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s tgd max. Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage prepared by: AG approved by: MS Date of Publication 2019-04-23 5644800 As 3976200 As 4 s date of publication: 2019-04-23 revision: Revision: 3.2 3.2 Seite/page 2/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s 5.Kennbuchstabe / 5th letter O tq Isolations-Prufspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec VISOL Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, = 180 sin RthJC max. 0,04 K/W pro Modul / per Module, DC max. 0,0388 K/W typ. . 0,02 K/W Thermische Eigenschaften Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module typ. RthCH 260 s 3,0 kV 3,6 kV 135 C Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+135 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+135 C Mechanische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) Anzugsdrehmoment fur mechanische Anschlusse mounting torque Toleranz / Tolerance 15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment fur elektrische Anschlusse terminal connection torque Toleranz / Tolerance 10% M2 18 Nm Steueranschlusse control terminals DIN 46 244 Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance typ. 800 g 30 mm f = 50 Hz file-No. Date of Publication 2019-04-23 A 2,8 x 0,8 G Kriechstrecke creepage distance AlN Revision: 3.2 50 m/s E 83335 Seite/page 3/11 Technische Information / technical information d Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 2 1 4 5 TZ Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 4/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [K/W] 0,0032 0,02313 0,00866 0,00267 0,0011 n [s] 19 4,994 0,30347 0,0188 0,01 Z thJC Analytische Funktion / Analytical function: 6 7 n max -t R thn 1 - e n n=1 Erhohung des Zth DC bei Sinus und Rechteckstromen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Zth rec / Zth sin = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 Zth rec [K/W] 0,00137 0,00196 0,00229 0,00265 0,00304 Zth sin [K/W] 0,00170 0,00203 0,00237 0,00276 0,00326 Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 5/11 Technische Information / technical information Diagramme Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 0,040 Z(th)JC [K/W] 0,030 0,020 0,010 0,000 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Warmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle vG [V] 100 10 c b Tvj = -40 C 1 Tvj = +25 C Tvj max = +135 C a 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zundbereichen fur VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W/10ms Date of Publication 2019-04-23 b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms Revision: 3.2 Seite/page 6/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 1000 PTAV [W] DC 800 180 sin 180 rec 120 rec 90 rec 600 60 rec Q = 30 rec 400 Gehausetemperatur bei Rechteck 200 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berucksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle 140 120 TC [C] 100 80 60 180 sin 40 Q = 30 rec 60 rec 90 rec 120 rec DC 180 rec 20 0 100 200 300 400 500 600 ITAVM [A] 700 800 900 1000 1100 Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berucksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 7/11 Technische Information / technical information P tot [W] Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 3000 0,10 eTZ1100N16P70 B2 RthCA [K/W] ID R-Last R-load + 0,12 2500 L-Last L-load ~ 0,15 2000 0,20 1500 0,25 0,30 1000 0,40 500 0,60 0,80 1,00 2,00 0 20 40 60 80 100 0 120 200 400 600 1,00 2,00 800 1000 1200 1400 1600 I D [A] T A [C] Hochstzulassiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Bruckenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA P tot [W] 4500 4000 B6 R thCA [K/W] 0,10 ID + 0,12 3~ 3500 0,15 - 3000 2500 0,20 0,25 2000 1500 1000 500 0,30 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 1,50 2,00 , 0 20 40 60 80 100 120 0 500 T A [C] 1000 1500 2000 ID [A] Hochstzulassiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Bruckenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 8/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module P tot [W] 1800 0,08 eTZ1100N16P70 W 1C ~ R thCA K/W] 1600 IRMS 0,10 1400 0,12 ~ 1200 0,15 1000 0,20 800 0,25 0,30 600 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 2,00 400 200 0 20 40 60 80 100 0 120 200 400 600 TA [C] 800 1000 I RMS [A] 1200 1400 1600 1200 1400 1600 Hochstzulassiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA P tot [W] 5500 0,08 R thCA [K/W] 5000 4500 0,10 4000 0,12 3500 ~ W 3C ~ ~ IRMS ~ ~ ~ 0,15 3000 2500 2000 1500 1000 500 0,20 0,25 0,30 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 2,00 0 20 40 60 80 100 120 0 200 T A [C] 400 600 800 I RMS [A] 1000 Hochstzulassiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Warmewiderstand pro Element zwischen den Gehausen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 9/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 10000 Qr [As] iTM = 2000A 1000A 500A 200A 100A 1000 50A 100 1 -di/dt [A/s] 10 100 Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM 25.000 a IT(OV)M [A] 20.000 TA = 35 C 15.000 10.000 5.000 TA = 45 C b 0 0,01 0,1 1 t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35C, verstarkte Luftkuhlung / Forced air cooling TA = 45C, Luftselbstkuhlung / Natural air cooling Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 10/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTZ1100N16P70 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes fur Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 Seite/page 11/11