Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
eTZ1100N16P70
Date of Publication 2019-04-23
Revision: 3.2
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Key Parameters
VDRM / VRRM
1600V
ITAVM
1051A (TC=85°C)
ITSM
33600A
VT0
0,8V
rT
0,15
RthJC
0,0388K/W
Base plate
70mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Soft starters
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for drives applications
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar applications
Leistungssteller
Power controllers
Gleichrichter für UPS
Rectifiers for UPS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
Statische Umschalter
Static switches
Bypass-Schalter
Bypass switches
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..5
5
SAP material number
6..12
7
Internal production order number
13..20
8
datecode (production year)
21..22
2
datecode (production week)
23..24
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
2 1
TZ
4 5
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Technische Information /
technical information
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
1600
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1600
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1700
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
1000
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
1051
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
33600
28200
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
5644800
3976200
A²s
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
200
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 3000 A
vT
max.
1,52
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,8
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,15
m
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
max.
250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12V
VGT
max.
2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1
IH
max.
500
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
IL
max.
2500
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
140
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
4
µs
prepared by:
AG
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approved by:
MS
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
typ.
260
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
RthJC
max.
max.
0,04
0,0388
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
RthCH
typ.
.
0,02
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
135
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+135
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+135
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
18
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
800
g
Kriechstrecke
creepage distance
30
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
file-No.
E 83335
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d
2 1
TZ
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [K/W]
0,0032
0,02313
0,00866
0,00267
0,0011
n [s]
19
4,994
0,30347
0,0188
0,01
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n

- e
1
R
Z
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Z / Z
= 180°
= 120°
= 90°
= 60°
= 30°
Zth rec
[K/W]
0,00137
0,00196
0,00229
0,00265
0,00304
Zth sin
[K/W]
0,00170
0,00203
0,00237
0,00276
0,00326
Zth rec = Zth DC + Zth rec
Zth sin = Zth DC + Zth sin
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Diagramme
Durchgangsverluste
0,000
0,010
0,020
0,030
0,040
0,01 0,1 1 10 100
Z(th)JC [K/W]
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
0,1
1
10
100
10 100 1000 10000
vG[V]
iG[mA]
Tvj max =+135C
Tvj = -40 C
Tvj = +25C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms
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Gehäusetemperatur bei Rechteck
0
200
400
600
800
1000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
PTAV [W]
ITAV [A]
DC
180rec
120rec
60rec
Q= 30rec
180sin
90rec
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
20
40
60
80
100
120
140
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
TC C]
ITAVM [A]
DC
Q= 30rec
60rec
90rec
180rec
180sin
120rec
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)

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0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
1,00
1,00
2,00
1,00 2,00
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
20 40 60 80 100 120
Ptot [W]
T AC]
RthCA [K/W]
+
-
B2 ID
~
0200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I D [A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
2,00
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
20 40 60 80 100 120
Ptot [W]
T AC]
+
-
B6 ID
3~
RthCA [K/W]
,
0500 1000 1500 2000
ID[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
2,00
2,00
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
20 40 60 80 100 120
Ptot [W]
TAC]
R thCA K/W]
~
~
IRMS
W 1C
R thCA K/W]
~
~
IRMS
W 1C
0200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
2,002,00
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
20 40 60 80 100 120
Ptot [W]
T AC]
~
~
W 3C ~
~
IRMS
~
~
~
~
W 3C ~
~
IRMS
~
~
RthCA [K/W]
0200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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100
1000
10000
110 100
Qr[µAs]
-di/dt [A/µs]
iTM =
2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR RRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
0
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
0,01 0,1 1
IT(OV)M [A]
t [s]
b
TA= 45C
a
TA= 35 C
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
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