1N5400 ... 1N5408
1N5400 ... 1N5408
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-02
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
0.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N5400 50 50
1N5401 100 100
1N5402 200 200
1N5404 400 400
1N5406 600 600
1N5407 800 800
1N5408 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 30 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 180/200 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 166 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0. 5
7.5
±0.1
-
1N5400 ... 1N5408
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 10 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
180a-(3a-1.2v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
10
1
3
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
