Targetdatasheet P500 fast PACK 0 H Version 05/02 Maximum Ratings / Hochstzulassige Werte at Tj=25C, unless otherwise specified Parameter Transistor Inverter Transistor Wechselrichter Collector-emitter break down voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung DC collector current* Kollektor-Dauergleichstrom Repetitive peak collector current* Periodischer Kollektorspitzenstrom Power dissipation per IGBT Verlustleistung pro IGBT* Gate-emitter peak voltage Gate-Emitter-Spitzenspannung Diode Inverter Diode Wechselrichter DC forward current* Dauergleichstrom Repetitive peak forward current* Periodischer Spitzenstrom Power dissipation per Diode* Verlustleistung pro Diode Thermal properties Thermische Eigenschaften max. Chip temperature max. Chiptemperatur Storage temperature Lagertemperatur Operation temperature Betriebstemperatur Thermal resistance, chip to case Warmewiderstand Chip-Bodenplatte per chip Insulation properties Modulisolation Insulation test voltage Isolationsspannung Creepage distance Kriechstrecke Clearance Luftstrecke P501 P502 P503 600V 35A 600V 15A 600V 20A 600V 30A Al2O3 DCB Al2O3 DCB Al2O3 DCB Al2O3 DCB H-bridge H-bridge H-bridge H-bridge Condition Symbol Value Value Value Value Unit VCE 600 600 600 600 V Tj=150C TC=80C IC 49 19 26 36 A Tj=150C tp=1ms Tj=150C TC=80C Icpuls 98 37 51 72 A TC=80C Ptot 100 44 58 78 W VGE 20 20 20 20 V Tj=150C TC=80C IF 33 15 21 33 A Tj=150C tp=1ms Tj=150C TC=80C IFRM 66 30 43 66 A TC=80C Ptot 41 23 32 41 W Tjmax 150 150 150 150 C Tstg -40...+125 -40...+125 -40...+125 -40...+125 C Top -40...+125 -40...+125 -40...+125 -40...+125 C RthJC RthJC RthJC 0,7 1,7 1,6 3 1,2 2,2 0,9 1,7 K/W K/W K/W Vis 4000 4000 4000 4000 Vdc TBD TBD TBD TBD mm TBD TBD TBD TBD mm Diode Rectifier Transistor Inverter Diode Inverter t=1min NOTE: * - These values are calculated from the Rth of the component in this module. The real values are limited by the number of the wirebonding and pinning. Tc - Indicates the case temperature of the module, and it may differ from the heatsink temperature. Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str.44, D-81359 Munchen power.switches@tycoelectronics.com Targetdatasheet fast PACK 0H, 15A/600V V23990-P501-F Version 05/02 Characteristic values / Charakteristische Werte at Tj=25C, unless otherwise specified Parameter Symbol Condition T (C) Transistor Inverter, inductive load Transistor Wechselrichter Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Collector-emitter cut-off current incl. FRED Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzogerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzogerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls SC withstand time Kurzschluverhalten Input capacitance Eingangskapazitat Output capacitance Ausgangskapazitat Diode Inverter Diode Wechselrichter Diode forward voltage Durchlaspannung Peak reverse recovery current Ruckstromspitze Reverse recovery time Sperreverzogerungszeit Reverse recovered charge Sperrverzogerungsladung NTC-Thermistor NTC-Widerstand Rated resistance Nennwiderstand Deviation of R100 Abweichung von R100 Power dissipation given Epcos-Typ Verlustleistung Epcos-Typ angeben B-value B-Wert Tyco Electronics VGE(th) Vge=Vce VCE(sat) RG VGE VCE IF IC () (A) (A) (V) (V) Tj=25C 600 15 ICES Tj=25C Tj=125C TC=25C 0 600 IGES Tj=25C 20 0 10 15 10 10 td(on) Rg(on)=Rg(off) tr Rg(on)=Rg(off) td(off) Rg(on)=Rg(off) Value min. typ. 250 Unit max. 5,6 V 12,0 2 1,6 2,7 V 2 250 A 2 250 nA 390 12,0 ns 15 390 12,0 15 390 12,0 17 17 8 16 96 110 18 70 0,05 0,05 0,05 0,175 TBD tSC @ 10*Ic(max) Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C TJ=125C Cies f=1MHz TJ=25C TBD nF Coss f=1MHz TJ=25C TBD nF tf Rg(on)=Rg(off) Eon Rg(on)=Rg(off) Eoff Rg(on)=Rg(off) VF 10 15 390 15 390 12,0 15 390 12,0 TJ=25C IRM dIF/dt=-200A/ms trr dIF/dt=-200A/ms Qrr 12,0 5 ns ns 170 ns 95 mWs mWs 0,28 s 1,89 V TJ=25C TJ=125C TJ=125C 400 5 400 55 ns TJ=125C 400 0,17 mC 10 10,5 k dif/dt=200 A/msec R25 DR/R Tol. 5% Tc=25C R100=1503W Tc=100C P 9,5 2,6 Tc=25C B(25/100) Tol. 3% Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 Munchen %/K 210 mW 3730 K power.switches@tycoelectronics.com Targetdatasheet fast PACK 0H, 20A/600V V23990-P502-F Version 05/02 Characteristic values / Charakteristische Werte at Tj=25C, unless otherwise specified Parameter Symbol Condition T (C) Transistor Inverter, inductive load Transistor Wechselrichter Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Collector-emitter cut-off current incl. FRED Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzogerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzogerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls SC withstand time Kurzschluverhalten Input capacitance Eingangskapazitat Output capacitance Ausgangskapazitat Diode Inverter Diode Wechselrichter Diode forward voltage Durchlaspannung Peak reverse recovery current Ruckstromspitze Reverse recovery time Sperreverzogerungszeit Reverse recovered charge Sperrverzogerungsladung NTC-Thermistor NTC-Widerstand Rated resistance Nennwiderstand Deviation of R100 Abweichung von R100 Power dissipation given Epcos-Typ Verlustleistung Epcos-Typ angeben B-value B-Wert Tyco Electronics VGE(th) Vge=Vce VCE(sat) RG VGE VCE IF IC () (A) (A) (V) (V) Tj=25C 600 15 ICES Tj=25C Tj=125C TC=25C 0 600 IGES Tj=25C 20 0 15 390 td(on) 4,5 Unit max. 5,5 7V 20,0 1,8 1,6 2,7 V 2 250 A 2 250 nA 20,0 15 15 12 13 73 105 32 55 0,105 0,12 0,15 0,33 TBD Eon Rg(on)=Rg(off) Eoff Rg(on)=Rg(off) tSC @ 10*Ic(max) Cies f=1MHz TJ=25C TBD nF Coss f=1MHz TJ=25C TBD nF IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=25C TJ=150C TJ=100C 100 25 trr dIF/dt=-100A/ms TJ=25C 30 1 TJ=125C 400 td(off) tf Rg(on)=Rg(off) Rg(on)=Rg(off) Rg(on)=Rg(off) VF Qrr 3 typ. Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C TJ=125C tr Rg(on)=Rg(off) 250 Value min. 3 3 3 15 15 15 390 20,0 390 20,0 390 20,0 15 390 20,0 15 390 20,0 15 ns 21 ns 18 ns 135 ns 73 mWs 0,6 0,2 mWs 0,5 s 2,04 V 1,35 4,9 35 TBD ns mC dif/dt=200 A/msec R25 DR/R Tol. 5% Tc=25C R100=1503W Tc=100C P 9,5 10 2,6 Tc=25C B(25/100) Tol. 3% Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 Munchen 10,5 k %/K 210 mW 3730 K power.switches@tycoelectronics.com Targetdatasheet fast PACK 0H, 30A/600V V23990-P503-F Version 05/02 Characteristic values / Charakteristische Werte at Tj=25C, unless otherwise specified Parameter Symbol Condition T (C) Transistor Inverter, inductive load Transistor Wechselrichter Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Collector-emitter cut-off current incl. FRED Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzogerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzogerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls SC withstand time Kurzschluverhalten Input capacitance Eingangskapazitat Output capacitance Ausgangskapazitat Diode Inverter Diode Wechselrichter Diode forward voltage Durchlaspannung Peak reverse recovery current Ruckstromspitze Reverse recovery time Sperreverzogerungszeit Reverse recovered charge Sperrverzogerungsladung NTC-Thermistor NTC-Widerstand Rated resistance Nennwiderstand Deviation of R100 Abweichung von R100 Power dissipation given Epcos-Typ Verlustleistung Epcos-Typ angeben B-value B-Wert Tyco Electronics VGE(th) Vge=Vce VCE(sat) RG VGE VCE IF IC () (A) (A) (V) (V) Tj=25C 600 250 Value min. typ. 5,2 7V 30,0 1,8 1,6 2,6 V 2 250 A 4 250 nA 25 24 12 11 150 180 38 58 0,28 0,28 0,24 0,45 TBD ns 15 ICES Tj=25C Tj=125C TC=25C 0 600 IGES Tj=25C 20 0 3 15 390 30,0 3 15 390 30,0 3 15 390 30,0 3 15 390 30,0 3 15 390 30,0 3 15 390 30,0 4,5 Unit max. td(on) Rg(on)=Rg(off) tr Rg(on)=Rg(off) td(off) Rg(on)=Rg(off) tf Rg(on)=Rg(off) Eon Rg(on)=Rg(off) Eoff Rg(on)=Rg(off) tSC @ 10*Ic(max) TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C Tj=25C Tj=125C TJ=125C Cies f=1MHz TJ=25C TBD nF Coss f=1MHz TJ=25C TBD nF VF TJ=25C 30 IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=100C 100 50 6 trr dIF/dt=-200A/ms TJ=25C 30 1 35 TJ=125C 400 Qrr TBD ns ns ns mWs 0,35 mWs 0,75 s 1,26 V 1,61 ns mC dif/dt=200 A/msec R25 DR/R Tol. 5% Tc=25C R100=1503W Tc=100C P 9,5 10 2,6 Tc=25C B(25/100) Tol. 3% Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 Munchen 10,5 k %/K 210 mW 3730 K power.switches@tycoelectronics.com Targetdatasheet fast PACK 0H, 35A/600V V23990-P500-F Version 05/02 Characteristic values / Charakteristische Werte at Tj=25C, unless otherwise specified Parameter Symbol Condition T (C) Transistor Inverter, inductive load Transistor Wechselrichter Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Collector-emitter cut-off current incl. FRED Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzogerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzogerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls SC withstand time Kurzschluverhalten Input capacitance Eingangskapazitat Output capacitance Ausgangskapazitat Diode Inverter Diode Wechselrichter Diode forward voltage Durchlaspannung Peak reverse recovery current Ruckstromspitze Reverse recovery time Sperreverzogerungszeit Reverse recovered charge Sperrverzogerungsladung NTC-Thermistor NTC-Widerstand Rated resistance Nennwiderstand Deviation of R100 Abweichung von R100 Power dissipation given Epcos-Typ Verlustleistung Epcos-Typ angeben B-value B-Wert Tyco Electronics VGE(th) Vge=Vce VCE(sat) RG VGE VCE IF IC () (A) (A) (V) (V) Tj=25C 600 250 40,0 1,7 1,5 2,7 V 2 250 A 3 250 nA 25 27 18 20 145 185 35 55 0,4 0,4 0,37 0,7 TBD ns ICES 0 600 IGES Tj=25C 20 0 2,2 15 390 40,0 2,2 15 390 40,0 2,2 15 390 40,0 tr Rg(on)=Rg(off) td(off) Rg(on)=Rg(off) 4,5 Unit max. 7V 15 Rg(on)=Rg(off) typ. 5,5 Tj=25C Tj=125C TC=25C td(on) Value min. tSC @ 10*Ic(max) TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C TJ=25C Tj=125C TJ=125C Tj=125C TJ=125C Tj=125C TJ=125C Cies f=1MHz TJ=25C TBD nF Coss f=1MHz TJ=25C TBD nF tf Rg(on)=Rg(off) Eon Rg(on)=Rg(off) Eoff Rg(on)=Rg(off) VF 2,2 15 390 40,0 15 390 40,0 15 390 40,0 TJ=25C 30 IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=100C 100 50 6 trr dIF/dt=-200A/ms TJ=25C 30 1 35 TJ=125C 400 Qrr TBD ns ns 225 ns 95 mWs mWs 0,8 s 1,26 V 1,61 ns mC dif/dt=200 A/msec R25 DR/R Tol. 5% Tc=25C R100=1503W Tc=100C P 9,5 10 2,6 Tc=25C B(25/100) Tol. 3% Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 Munchen 10,5 k %/K 210 mW 3730 K power.switches@tycoelectronics.com