Targetdatasheet
fast PACK 0 H P500 P501 P502 P503
Version 05/02 600V 35A 600V 15A 600V 20A 600V 30A
Al2O3 DCB Al2O3 DCB Al2O3 DCB Al2O3 DCB
Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte H-bridge H-bridge H-bridge H-bridge
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Value Value Value Value Unit
Transistor Inverter
Transistor Wechselrichter
Collector-emitter break down voltage VCE 600 600 600 600 V
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
DC collector current* Tj=150°C TC=80°C IC49 19 26 36 A
Kollektor-Dauergleichstrom
Repetitive peak collector current* Tj=150°C TC=80°C Icpuls 98 37 51 72 A
Periodischer Kollektorspitzenstrom tp=1ms
Power dissipation per IGBT Tj=150°C TC=80°C Ptot 100 44 58 78 W
Verlustleistung pro IGBT*
Gate-emitter peak voltage VGE
±
20
±
20 ±20 ±20 V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
DC forward current* Tj=150°C TC=80°C IF33 15 21 33 A
Dauergleichstrom
Repetitive peak forward current* Tj=150°C TC=80°C IFRM 66 30 43 66 A
Periodischer Spitzenstrom tp=1ms
Power dissipation per Diode* Tj=150°C TC=80°C Ptot 41 23 32 41 W
Verlustleistung pro Diode
Thermal properties
Thermische Eigenschaften
max. Chip temperature Tjmax 150 150 150 150 °C
max. Chiptemperatur
Storage temperature Tstg -40…+125 -40…+125 -40…+125 -40…+125 °C
Lagertemperatur
Operation temperature Top -40…+125 -40…+125 -40…+125 -40…+125 °C
Betriebstemperatur
Thermal resistance, chip to case Diode Rectifier RthJC - - - -K/W
Wärmewiderstand Chip-Bodenplatte Transistor Inverter RthJC 0,7 1,6 1,2 0,9 K/W
per chip Diode Inverter RthJC 1,7 3 2,2 1,7 K/W
Insulation properties
Modulisolation
Insulation test voltage t=1min Vis 4000 4000 4000 4000 Vdc
Isolationsspannung
Creepage distance TBD TBD TBD TBD mm
Kriechstrecke
Clearance TBD TBD TBD TBD mm
Luftstrecke
NOTE:
* - These values are calculated from the Rth of the component in this module.
The real values are limited by the number of the wirebonding and pinning.
Tc - Indicates the case temperature of the module, and it may differ from the heatsink temperature.
Condition
Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str.44, D-81359 München power.switches@tycoelectronics.com
Targetdatasheet
fast PACK 0H, 15A/600V V23990-P501-F
Version 05/02
Characteristic values / Charakteristische Werte
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Condition T RG VGE VCE IF IC Value Unit
(°C) (
Ω
)(V) (V) (A) (A) min. typ. max.
Transistor Inverter, inductive load
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage VGE(th) Vge=Vce Tj=25°C 600 250µ 5,6 V
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Tj=25°C 15 12,0 2 2,7 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tj=125°C 1,6 2
Collector-emitter cut-off current incl. FRED ICES TC=25°C 0 600 250 µA
Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED 2
Gate-emitter leakage current IGES Tj=25°C 20 0 250 nA
Gate-Emitter Reststrom
Turn-on delay time td(on) Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 10 15 390 12,0 17 ns
Einschaltverzögerungszeit Tj=125°C 17
Rise time tr Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 10 15 390 12,0 8 ns
Anstiegszeit Tj=125°C 16
Turn-off delay time td(off) Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 10 15 390 12,0 96 ns
Abschaltverzögerungszeit Tj=125°C 110 170
Fall time tf Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 10 15 390 12,0 18 ns
Fallzeit Tj=125°C 70 95
Turn-on energy loss per pulse Eon Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 15 390 12,0 0,05 mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,05
Turn-off energy loss per pulse Eoff Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 15 390 12,0 0,05 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,175 0,28
SC withstand time tSC @ 10*Ic(max) TJ=125°C TBD µs
Kurzschlußverhalten
Input capacitance Cies f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Eingangskapazität
Output capacitance Coss f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Ausgangskapazität
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage VF TJ=25°C 5 1,89 V
Durchlaßspannung
Peak reverse recovery current IRM dIF/dt=-200A/ms TJ=25°C 400 5
Α
Rückstromspitze TJ=125°C
Reverse recovery time trr dIF/dt=-200A/ms TJ=125°C 400 55 ns
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge Qrr TJ=125°C 400 0,17 mC
Sperrverzögerungsladung dif/dt=200 A/msec
NTC-Thermistor
NTC-Widerstand
Rated resistance R25 Tol. ±5% Tc=25°C 9,5 10 10,5 k
Ω
Nennwiderstand
Deviation of R100 DR/R R100=1503W Tc=100°C 2,6 %/K
Abweichung von R100
Power dissipation given Epcos-Typ P Tc=25°C 210 mW
Verlustleistung Epcos-Typ angeben
B-value B(25/100) Tol. ±3% 3730 K
B-Wert
Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 München power.switches@tycoelectronics.com
Targetdatasheet
fast PACK 0H, 20A/600V V23990-P502-F
Version 05/02
Characteristic values / Charakteristische Werte
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Condition T RG VGE VCE IF IC Value Unit
(°C) (
Ω
)(V) (V) (A) (A) min. typ. max.
Transistor Inverter, inductive load
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage VGE(th) Vge=Vce Tj=25°C 600 250µ 4,5 5,5 7 V
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Tj=25°C 15 20,0 1,8 2,7 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tj=125°C 1,6 2
Collector-emitter cut-off current incl. FRED ICES TC=25°C 0 600 250 µA
Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED 2
Gate-emitter leakage current IGES Tj=25°C 20 0 250 nA
Gate-Emitter Reststrom
Turn-on delay time td(on) Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 20,0 15 ns
Einschaltverzögerungszeit Tj=125°C 15 21
Rise time tr Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 20,0 12 ns
Anstiegszeit Tj=125°C 13 18
Turn-off delay time td(off) Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 20,0 73 ns
Abschaltverzögerungszeit Tj=125°C 105 135
Fall time tf Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 20,0 32 ns
Fallzeit Tj=125°C 55 73
Turn-on energy loss per pulse Eon Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 15 390 20,0 0,105 mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,12 0,6
Turn-off energy loss per pulse Eoff Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 15 390 20,0 0,15 0,2 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,33 0,5
SC withstand time tSC @ 10*Ic(max) TJ=125°C TBD µs
Kurzschlußverhalten
Input capacitance Cies f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Eingangskapazität
Output capacitance Coss f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Ausgangskapazität
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage VF TJ=25°C 15 2,04 V
Durchlaßspannung TJ=150°C 1,35
Peak reverse recovery current IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=100°C 100 25 4,9
Α
Rückstromspitze
Reverse recovery time trr dIF/dt=-100A/ms TJ=25°C 30 1 35 ns
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge Qrr TJ=125°C 400 TBD mC
Sperrverzögerungsladung dif/dt=200 A/msec
NTC-Thermistor
NTC-Widerstand
Rated resistance R25 Tol. ±5% Tc=25°C 9,5 10 10,5 k
Ω
Nennwiderstand
Deviation of R100 DR/R R100=1503W Tc=100°C 2,6 %/K
Abweichung von R100
Power dissipation given Epcos-Typ P Tc=25°C 210 mW
Verlustleistung Epcos-Typ angeben
B-value B(25/100) Tol. ±3% 3730 K
B-Wert
Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 München power.switches@tycoelectronics.com
Targetdatasheet
fast PACK 0H, 30A/600V V23990-P503-F
Version 05/02
Characteristic values / Charakteristische Werte
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Condition T RG VGE VCE IF IC Value Unit
(°C) (
Ω
)(V) (V) (A) (A) min. typ. max.
Transistor Inverter, inductive load
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage VGE(th) Vge=Vce Tj=25°C 600 250µ 4,5 5,2 7 V
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Tj=25°C 15 30,0 1,8 2,6 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tj=125°C 1,6 2
Collector-emitter cut-off current incl. FRED ICES TC=25°C 0 600 250 µA
Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED 4
Gate-emitter leakage current IGES Tj=25°C 20 0 250 nA
Gate-Emitter Reststrom
Turn-on delay time td(on) Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 3 15 390 30,0 25 ns
Einschaltverzögerungszeit Tj=125°C 24
Rise time tr Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 3 15 390 30,0 12 ns
Anstiegszeit Tj=125°C 11
Turn-off delay time td(off) Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 3 15 390 30,0 150 ns
Abschaltverzögerungszeit Tj=125°C 180
Fall time tf Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 3 15 390 30,0 38 ns
Fallzeit Tj=125°C 58
Turn-on energy loss per pulse Eon Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 30,0 0,28 mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,28
Turn-off energy loss per pulse Eoff Rg(on)=Rg(off) Tj=25°C 3 15 390 30,0 0,24 0,35 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,45 0,75
SC withstand time tSC @ 10*Ic(max) TJ=125°C TBD µs
Kurzschlußverhalten
Input capacitance Cies f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Eingangskapazität
Output capacitance Coss f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Ausgangskapazität
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage VF TJ=25°C 30 1,26 V
Durchlaßspannung 1,61
Peak reverse recovery current IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=100°C 100 50 6
Α
Rückstromspitze
Reverse recovery time trr dIF/dt=-200A/ms TJ=25°C 30 1 35 ns
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge Qrr TJ=125°C 400 TBD mC
Sperrverzögerungsladung dif/dt=200 A/msec
NTC-Thermistor
NTC-Widerstand
Rated resistance R25 Tol. ±5% Tc=25°C 9,5 10 10,5 k
Ω
Nennwiderstand
Deviation of R100 DR/R R100=1503W Tc=100°C 2,6 %/K
Abweichung von R100
Power dissipation given Epcos-Typ P Tc=25°C 210 mW
Verlustleistung Epcos-Typ angeben
B-value B(25/100) Tol. ±3% 3730 K
B-Wert
Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 München power.switches@tycoelectronics.com
Targetdatasheet
fast PACK 0H, 35A/600V V23990-P500-F
Version 05/02
Characteristic values / Charakteristische Werte
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Condition T RG VGE VCE IF IC Value Unit
(°C) (
Ω
)(V) (V) (A) (A) min. typ. max.
Transistor Inverter, inductive load
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage VGE(th) Vge=Vce Tj=25°C 600 250µ 4,5 5,5 7 V
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Tj=25°C 15 40,0 1,7 2,7 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tj=125°C 1,5 2
Collector-emitter cut-off current incl. FRED ICES TC=25°C 0 600 250 µA
Kollektor-Emitter Reststrom inkl. FRED 3
Gate-emitter leakage current IGES Tj=25°C 20 0 250 nA
Gate-Emitter Reststrom
Turn-on delay time td(on) Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 2,2 15 390 40,0 25 ns
Einschaltverzögerungszeit Tj=125°C 27
Rise time tr Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 2,2 15 390 40,0 18 ns
Anstiegszeit Tj=125°C 20
Turn-off delay time td(off) Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 2,2 15 390 40,0 145 ns
Abschaltverzögerungszeit Tj=125°C 185 225
Fall time tf Rg(on)=Rg(off) TJ=25°C 2,2 15 390 40,0 35 ns
Fallzeit Tj=125°C 55 95
Turn-on energy loss per pulse Eon Rg(on)=Rg(off) TJ=125°C 15 390 40,0 0,4 mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,4
Turn-off energy loss per pulse Eoff Rg(on)=Rg(off) TJ=125°C 15 390 40,0 0,37 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C 0,7 0,8
SC withstand time tSC @ 10*Ic(max) TJ=125°C TBD µs
Kurzschlußverhalten
Input capacitance Cies f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Eingangskapazität
Output capacitance Coss f=1MHz TJ=25°C TBD nF
Ausgangskapazität
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage VF TJ=25°C 30 1,26 V
Durchlaßspannung 1,61
Peak reverse recovery current IRM dIF/dt=-100A/ms TJ=100°C 100 50 6
Α
Rückstromspitze
Reverse recovery time trr dIF/dt=-200A/ms TJ=25°C 30 1 35 ns
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge Qrr TJ=125°C 400 TBD mC
Sperrverzögerungsladung dif/dt=200 A/msec
NTC-Thermistor
NTC-Widerstand
Rated resistance R25 Tol. ±5% Tc=25°C 9,5 10 10,5 k
Ω
Nennwiderstand
Deviation of R100 DR/R R100=1503W Tc=100°C 2,6 %/K
Abweichung von R100
Power dissipation given Epcos-Typ P Tc=25°C 210 mW
Verlustleistung Epcos-Typ angeben
B-value B(25/100) Tol. ±3% 3730 K
B-Wert
Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D-81359 München power.switches@tycoelectronics.com
