2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第1页
MCP1650/51/52/53
特征
•输出功率高于 5W
•输出电压从 3.3V 至100V 以上
•750kHz门控振荡器开关频率
•对电池供电或宽输入电压范围设备，占空比可调
•输入电压范围：2.0V 至5.5V
•应用单端初级电感转换器 （SEPIC）和反激式拓
扑结构
•低功耗关断模式：IQ < 0.1 µA （典型值）
•低工作静态电流：IQ = 120 µA
•反馈电压误差 （典型值为 0.6%）
•8引脚 MSOP 封装
•峰值电流限制特性
•两个欠压锁定电压 （UVLO）可选：2.0V 或2.55V
•工作温度范围：-40°C 至+125°C
应用领域
•大功率升压应用
•高电压偏置电源
•白色 LED 驱动器和手电筒
•本地 3.3V 至5.0V 电源
•本地 3.3V 至12V 电源
•本地 5.0V 至12V 电源
•LCD偏压电压源
概述
MCP1650/51/52/53 是一种 8或10 引脚 MSOP 封装的
750 kHz 门控振荡升压控制器。它主要用于大功率便携
式设备，能够为负载提供 5W 的功率，而空载时的静态
电流只有 120µA。MCP1650/51/52/53 可以在宽输入电
压范围 （2.0V 至5.5V）内工作，适用于多种由电池或
单节锂离子电池供电的设备，以及 2.8V、3.3V 和5.0V
的稳压输入。
内置的 750 kHz 门控振荡器使得 MCP1650/51/52/53 对
有空间限制的设计显得极为理想。高速开关频率最大限
度地减小了外部电感和电容的尺寸，从而节约了板面空
间和成本。内置振荡器的两种不同占空比由输入电压的
高低决定。通过这一方式改变占空比，输入电流峰值在
高输入电压时得以降低，并减少了电源元件上的输出纹
波电压和电应力。当输入电压较低时，占空比转换成一
个较大值，从而能够为通常由电池供电的便携式设备在
较宽的输入电压范围内输出全功率。
MCP1650/51/52/53直接利用内置的低阻抗MOSFET来
驱动外部开关。
MCP1650/51/52/53 系列集成的一些附加特征包括输入
电流峰值限制、可调输出电压 / 电流、电池低电压检测
和电源正常状态指示。
封装形式
10 引脚 MSOP 封装
EXT
GND
CS
FB
VIN
NC
NC
SHDN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1650
8引脚 MSOP 封装
GND
CS
FB
NC
PG
LBO
LBI
SHDN
2
3
4
5
9
8
7
6
MCP1653
EXT VIN
110
EXT
GND
CS
FB
VIN
PG
NC
SHDN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1652
8引脚MSOP 封装
EXT
GND
CS
FB
VIN
LBO
LBI
SHDN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1651
8引脚 MSOP 封装
750 kHz 升压控制器
MCP1650/51/52/53
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MCP1650 结构框图
ISNS
+
-
1.22V
1R
9R
+
-
+
-
内置振荡器
（2种固定的占空比）
VHIGH
VLOW
VHIGH
+
-
VREF
VIN
VHIGH
VLOW
VDUTY
DC = 80% VIN < 3.8V
DC = 56% VIN > 3.8V
VIN
+
-
电压反馈
电流限制
CS
VIN
EXT
Osc.
SHDN
FB
VREF
1.22V
S
RQ
脉冲
DR
软
启动
ON/
振荡器输出
GND
通 /断
控制
MCP1650
锁存
参考信号
0.122V
OFF
器
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MCP1650/51/52/53
MCP1651/2/3 结构框图
V
IN
CS
EXT
MCP1650/51/52/53
GND
+
-
⬉∴Ԣ⬉
↨䕗఼
1.22 V
REF
LBI
LBO
+
-
⬉⑤ℷᐌ
↨䕗఼
PG
V
IN
9
5()
ⱘ
+
-
95()
ⱘ

VIN
0&3²⬉∴Ԣ⬉Ẕ⌟
0&3²⬉⑤ℷᐌ⢊ᗕᣛ⼎
A
MCP1650
FB
V
REF
(1.22V)
0&3²/%,3*⡍ᗻ
SHDN
0&3᮴⡍ᗻ
0&3⬉∴Ԣ⬉Ẕ⌟
0&3⬉⑤ℷᐌ⢊ᗕẔ⌟˄3*˅
0&3⬉∴Ԣ⬉Ẕ⌟3*
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第4页 2004 Microchip Technology Inc.
时序图
典型应用电路
锁存器真值表
SRQ
00Qn
011
100
111
Osc.
S
R
Q
DR
EXT
MCP1650/1/2/3 时序图
R
S
Q
Q
FB
CS
SHDN
VIN 8
2
5
6
4
7
MCP1650
GND
输入电压
3.3V ±10%
CIN 10 µF
断通
EXT
升压
电感
3.3 µH
10 µF
陶瓷电容
90.9 kΩ
VOUT = 12V
IOUT = 0 至100 mA
10 kΩ
MOSFET/ 肖特基
RSENSE
0.05Ω
3.3V 至12V 100 mA 升压转换器
1
3
NC NC
COUT
二极管组合器件
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MCP1650/51/52/53
1.0 电气特性
最大额定值 †
VIN 对GND ........................................................... 6.0V
CS,FB,LB,LBO,SHDN,PG,EXT............ GND – 0.3V 至
VIN + 0.3V
EXT 引脚电流......................................................... ±1A
存储温度.............................................-65°C 至+150°C
工作时结温 .........................................-40°C 至+125°C
所有引脚 ESD 保护参数≥ 4kV HBM
†
注：
如果器件运行参数超过上述各项最大值，即可能对器件
造成永久性损坏。上述参数为运行条件最大值，我们不建议器
件在该规范范围外运行。如果器件长时间在绝对最大额定条件
下工作，其稳定性会受到影响。
DC 特性
电气参数：除另有说明外，所有参数均适用于 VIN =+2.7V至+5.5V，SHDN =High，TJ=-40°C 至+125°C。
典型值适用于 VIN =3.3V，TA+25°C 的情况。
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
输入特性
输入电压 VIN 2.7 —5.5 V
欠压锁定电压值
（S选项）
UVLO 2.4 2.55 2.7 V VIN 上升沿
欠压锁定电压值
（R选项）
UVLO 1.85 2.0 2.15 V VIN 上升沿
欠压额定迟滞 UVLOHYST —117 —mV
关断时输入电流 ISHD —0.001 1 µA SHDN 接地
静态输入电流 IQ—120 220 µA EXT 开路
软启动时间 TSS —500 —µs
反馈特性
反馈电压 VFB 1.18 1.22 1.26 V 所有条件
反馈比较器迟滞电压 VHYS —12 23 mV
反馈输入偏置电流 IFBlk -50 —50 nA VFB < 1.3V
电流检测输入
电流检测阈值 ISNS-TH 75 114 155 mV
电流检测至输出的延迟时间 Tdly_ISNS —80 —ns
Ext 驱动
EXT 驱动阻值 （高端） RHIGH —818 Ω
EXT 驱动阻值 （低端） RLOW —412 Ω
振荡器特性
开关频率 FOSC 650 750 850 kHz
低占空比切换电压 VLowDuty —3.8 —VVIN 上升沿
占空比切换迟滞电压 DCHyst —92 —mV
低占空比 DCLOW 50 56 62 %
高占空比 DCHIGH 72 80 88 %
MCP1650/51/52/53
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温度参数
关断时输入
逻辑高电平输入 VIN-HIGH 50 ——
% of VIN
逻辑低电平输入 VIN-Low ——15 % of VIN
输入泄漏电流 ISHDN —5 100 nA SHDN=VIN
电池低电压检测 （仅 MCP1652/MCP1653）
电池低电压阈值 LBITH 1.18 1.22 1.26 V LBI 输入下降 （所有条件）
电池低电压阈值迟滞电压 LBITHHYS 95 123 145 mV
电池低电压时输入泄漏电流 ILBI —10 —nA VLBI = 2.5V
电池低电压时输出电压 VLBO —53 200 mV ILB SINK = 3.2 mA，VLBI = 0V
电池低电压时输出泄漏电流 ILBO —0.01 1 µA VLBI = 5.5V，VLBO = 5.5V
从LBI 至LBO 的延迟时间 TD_LBO —70 —µs LBI 变化从 LBITH +0.1V至LBITH -
0.1V
电源正常输出 （仅 MCP1652/MCP1653）
电源正常阈值低电压 VPGTH-L -20 -15 -10 % 参考反馈电压
电源正常阈值高电压 VPGTH-H +10 +15 +20 % 参考反馈电压
电源正常阈值迟滞电压 VPGTH-HYS —5—%参考反馈电压 （低阈值和高阈值
时均需考虑）
电源正常输出电压 VPGOUT —53 200 mV IPG SINK = 3.2 mA，VFB = 0V
时间延迟 （从 VFB 调节结束至
电源正常信号产生时）
TD_PG —85 —µs VFB 变化从 VFBTH +0.1V
至VFBTH -0.1V
电气参数：除另有说明外，所有的参数适用于 VIN = +2.7V 至+5.5V，SHDN = High，TA = -40°C 至+125°C。
典型值适用于 VIN = 3.3V，TA = +25°C 的情况。
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
温度范围
存储温度范围 TA-40 —+125 °C
工作时结温范围 TJ-40 —+125 °C 持续工作
封装热敏电阻
热敏电阻 （MSOP-8）θJA —208 —°C/W 单层 SEMI G42-88 板，自然对流
热敏电阻 （MSOP-10）θJA —113 —°C/W 4层JC51-7 标准板，自然对流
DC 特性 （续）
电气参数：除另有说明外，所有参数均适用于 VIN =+2.7V至+5.5V，SHDN =High，TJ=-40°C 至+125°C。
典型值适用于 VIN =3.3V，TA+25°C 的情况。
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
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MCP1650/51/52/53
2.0 典型性能曲线
注：除另有说明外， VIN = 3.3V，VOUT = 12V，CIN = 10 µF （X5R 或X7R 陶瓷电容），COUT = 10 µF （X5R 或X7R 电容），
IOUT =10mA，L=3.3µH，SHDN > VIH，TA = +25°C。
图
2-1
：输入静态电流—输入电压曲线
图
2-2
：输入静态电流—环境温度曲线
图
2-3
：振荡频率—输入电压曲线
图
2-4
：振荡频率—环境温度曲线
图
2-5
：占空比切换电压—环境温度曲线
图
2-6
：占空比切换迟滞电压—环境温度曲线
注：
以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，我们不做保证。一些图表
中列出的数据可能超出确定的工作范围 （如：超出了正常的工作电压范围），因此不在担保范围。
50
75
100
125
150
175
200
22.533.544.555.56
Input Voltage (V)
Input Quiescent Current (µA)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
ILOAD = 0 mA
50
75
100
125
150
175
200
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Ambient Temperature (°C)
Input Quiescent Current (µA)
VIN = 2.0V
ILOAD = 0 mA
VIN = 5.5V
VIN = 4.1V
VIN = 2.7V
700
720
740
760
780
800
2.7 3 3.33.63.94.24.54.85.15.45.7 6
Input Voltage (V)
Oscillator Frequency (kHz)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
720
740
760
780
800
820
840
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 140
Ambient Temperature (°C)
Oscillator Frequency (kHz)
VIN = 2.0V
VIN = 5.5V
VIN = 4.1V
VIN = 2.7V
3.75
3.76
3.77
3.78
3.79
3.80
3.81
3.82
3.83
3.84
3.85
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Ambient Temperature (°C)
Duty Cycle Switch Over
Voltage (V)
VIN = Rising
90.0
90.5
91.0
91.5
92.0
92.5
93.0
93.5
94.0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Ambient Temperature (°C)
Duty Cycle Switch Voltage
Hysteresis (mV)
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第8页 2004 Microchip Technology Inc.
注：除另有说明外， VIN = 3.3V，VOUT = 12V，CIN = 10 µF （X5R 或X7R 陶瓷电容），COUT = 10 µF （X5R 或X7R 电容），
IOUT =10mA，L=3.3µH，SHDN > VIH，TA = +25°C。
图
2-7
：
EXT
灌电流和拉电流—输入电压曲线
图
2-8
：
EXT
灌电流和拉电流—环境温度曲线
图
2-9
：
EXT
上升时间和下降时间—外部电
容曲线
图
2-10
：反馈电压—输入电压曲线
图
2-11
：反馈电压额定迟滞—输入电压曲线
图
2-12
：动态负载响应
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6.0
Input Voltage (V)
EXT Sink/Source Current (A)
ISINK
ISOURCE
TA = +25°C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Ambient Temperature (°C)
EXT Sink/Source Current (A)
ISINK
ISOURCE
VIN = 3.3V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
100 150 200 250 300 350 400 450 500
External Capacitance (pF)
EXT Rise / Fall Time (nS)
5VFALL
2.7VRISE
5VRISE
2.7VFALL
1.205
1.210
1.215
1.220
1.225
1.230
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Input Voltage (V)
VFB Voltage (V)
TJ = - 40°C
T
J
= +25
TJ = +125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6
Input Voltage (V)
VFB Hysteresis (mV)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第9页
MCP1650/51/52/53
注：除另有说明外， VIN = 3.3V，VOUT = 12V，CIN = 10 µF （X5R 或X7R 陶瓷电容），COUT = 10 µF （X5R 或X7R 电容），
IOUT =10mA，L=3.3µH，SHDN > VIH，TA = +25°C。
图
2-13
：动态线路响应
图
2-14
：上电时序图 （输入电压）
图
2-15
：上电时序图 （关断）
图
2-16
：效率—输入电压曲线
图
2-17
：效率—负载电流曲线
图
2-18
：输出电压—输入电压曲线
（线路稳定）
75
77
79
81
83
85
87
89
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6.0
Input Votlage (V)
Efficiency (%)
TA = 25°C
IOUT = 100 mA
60
65
70
75
80
85
90
10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 60.0 70.0 80.0 90.0 100.0
Load Current (mA)
Efficiency (%)
TA = 25°C
VIN = 3.3V
12.10
12.11
12.12
12.13
12.14
12.15
12.16
2.73.03.33.63.94.24.54.85.15.45.76.0
Input Voltage (V)
Output Voltage (V)
TA = 25°C
IOUT = 100 mA
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第10 页 2004 Microchip Technology Inc.
注：除另有说明外， VIN = 3.3V，VOUT = 12V，CIN = 10 µF （X5R 或X7R 陶瓷电容），COUT = 10 µF （X5R 或X7R 电容），
IOUT =10mA，L=3.3µH，SHDN > VIH，TA = +25°C。
图
2-19
：输出电压—输出电流曲线 （负
载稳定）
图
2-20
：输出纹波电压—输入电压曲线
图
2-21
：
LBI
阈值电压—输入电压曲线
图
2-22
：
LBI
迟滞电压—输入电压曲线
图
2-23
：
LBO
输出电压—
LBO
灌电流曲线
图
2-24
：
LBO
输出时序图
12.10
12.11
12.12
12.13
12.14
12.15
12.16
12.17
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Output Current (mA)
Output Voltage (V)
V
IN
= 3.3V
T
A
= +25°
V
IN
= 4.3V
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0.22
0.24
0.26
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6.0
Input Voltage (V)
VOUT Ripple PK-PK (V)
IOUT = 100mA
TA = +25°C
1.205
1.210
1.215
1.220
1.225
1.230
22.533.544.555.56
Input Voltage (V)
LBI Threshold Voltage (V)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
22.533.544.555.56
Input Votlage (V)
LBI Hysteresis Voltage (mV)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
0
50
100
150
200
250
0246810
LBO Sink Current (mA)
LBO Output Voltage (mV)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第11 页
MCP1650/51/52/53
注：除另有说明外， VIN = 3.3V，VOUT = 12V，CIN = 10 µF （X5R 或X7R 陶瓷电容），COUT = 10 µF （X5R 或X7R 电容），
IOUT =10mA，L=3.3µH，SHDN > VIH，TA = +25°C。
图
2-25
：
PG
阈值电压与迟滞电压百分比
—输入电压曲线
图
2-26
：
PG
输出电压—灌电流曲线
图
2-27
：
PG
时序图
图
2-28
：电流检测阈值电压—输入电压曲线
图
2-29
：
VEXT
输出高电压—输入电压曲线
图
2-30
：
VEXT
输出低电压—输入电压曲线
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6
Input Voltage (V)
PG Threshold and Hysteresis
(% of V OUT )
PG
TH(HIGH)
T
A
= 25°
PG
TH(LOW)
PG
T H(H ysteresi
0
50
100
150
200
250
0246810
PG Output Sink Current (mA)
PG Ouput Voltage (mV)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
104
106
108
110
112
114
116
22.533.544.555.56
Input Voltage (V)
Current Sense Threshold (mV)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
22.533.544.555.56
Input Voltage (V)
VEXT R ON HIGH (Ohms)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
22.533.544.555.56
Input Voltage (V)
VEXT RON Low (Ohms)
TJ = - 40°C
TJ = +25°C
TJ = +125°C
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第12 页 2004 Microchip Technology Inc.
3.0 引脚说明
表3-1 为引脚功能描述。
表 3-1： 引脚功能表
3.1 外部门驱动 （EXT）
EXT 为输出引脚，在升压操作期间控制外部 N沟道
MOSFET 的导通和关断，在 SHDN 或UVLO 条件下，
EXT 引脚接地。
3.2 电路地 （GND）
将GND 引脚连接至电路的地。请查看布线指导手册中
推荐的地线布线指导。
3.3 电流检测 （CS）
通过外接电流检测电阻，可以在 CS 引脚上检测到输入
峰值电流。当检测到的电流转换为电压时，电流检测阈
值为 VIN-122 mV （典型值）。如果超出该阈值，脉冲
会被异步终止。
3.4 反馈输入 （FB）
通过外接分压电阻连接升压转换器的输出电压至 FB 引
脚来调节电压。为了终止脉冲，与此输入电压比较的额
定电压为 1.22V。
3.5 关断输入 （SHDN）
SHDN 输入用来接通和关断升压转换器。正常运行时，
该引脚连接至高电平或者 VIN ；要关断器件时，将该引
脚接低电平或地。
3.6 电池低电压输入 （LBI）
LBI 为电池低电压比较器的输入引脚。当该引脚上的电
压低于额定 1.22V 阈值电压时， LBO （电池低电压输
出）漏极开路，处于低电平。
3.7 电池低电压输出 （LBO）
LBO 为低电平有效的漏极开路输出。当 LBI 引脚低于阈
值电压时，灌电流为 10 mA。在 SHDN 或UVLO 条件
下， LBO 处于高阻态。
3.8 电源正常输出 （PG）
PG 引脚为高电平有效的漏极开路输出。当 FB 引脚输入
低于或高于其典型值的 15% 时，灌电流为 10 mA，PG
引脚指示输出电压超出规定。在 SHDN 或UVLO 条件
下， PG 处于高阻态。
3.9 输入电压 （VIN）
VIN 是输入电源引脚。连接至 2.7V 至5.5V 的输入电源。
引脚号
MCP1650
引脚号
MCP1651
引脚号
MCP1652
引脚号
MCP1653 符号 功能
1111EXT
外部门驱动
2222GND
地
3333CS
电流检测
4444FB
反馈输入
5556SHDN
关断
—6—7LBI
电池低电压输入
—7—8LBO
电池低电压输出
——79PG
电源正常输出
88810V
IN 输入电压
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第13 页
MCP1650/51/52/53
4.0 详细说明
4.1 器件概述
MCP1650/51/52/53 是一种门控振荡升压控制器。通过
外接一个 N沟道 MOSFET 管、一个肖特基二极管和一
个升压电感，可以实现高输出功率的应用。 750 kHz 迟
滞门控振荡器架构使它可采用小型的低成本外部元件。
通过使用一种迟滞方法，不需要补偿元件就可以获得稳
定的调节输出。
通过比较输出电压 （利用外接的分压电阻检测）与
MCP1650/51/52/53 内置的参考电压来调整输出电压。
当检测到的输出电压低于参考电压时， EXT 引脚以
750 kHz 门控振荡频率输出脉冲来控制外部 N沟道
MOSFET的接通与关断。外部N沟道MOSFET接通时，
能量存储在升压电感中；当 MOSFET 被关断时，能量
通过外部肖特基二极管传给负载。需要数个脉冲来提供
足够的能量，以加大输出电压，使其超过迟滞上限。一
旦高于迟滞上限，内部振荡器不再输出至 EXT 引脚，而
输入与输出之间也不存在能量转移。
检测 MOSFET 中的峰值电流可限制它的最大值。同所
有的升压拓扑转换器一样，即使 MOSFET 被关断，通
过升压电感和二极管仍然存在一条通向负载的直流回
路。建议使用附加的保护电路 （如：保险丝）来进行短
路保护。
4.2 输入电压
MCP1650/51/52/53 系列器件的输入电压范围为2.7V至
5.5V。对 于 S选项器件，欠压锁定（UVLO）功能可以在
输入电压降至典型值 2.55V 以下时关断升压控制器；对
于R选项器件， UVLO 设置为 2.0V。当需要把输出电
压“自举”回输入端时建议使用 R选项器件。升压操作
期间 MCP1650/51/52/53 器件的输入电压由输出电压提
供。这可以用来从输入电压提供输出电压，从而以 2V
左右 （两节碱电池）的电压便能启动器件。
4.3 固定占空比
MCP1650/51/52/53 系列采用一种独特的双步最大占空
比架构来最大限度地减小输入峰值电流，并可为宽输入
电压范围改进输出纹波。当输入电压低于 3.8V，占空比
的典型值为 80% ；当输入电压高于 3.8V，占空比一般
为56%。处于高输入电压时通过减小占空比，可以减小
输入峰值电流。对于低输入电压，在升压 MOSFET 的
工作期间，占空比越长，可存储的能量越多。对于跨越
3.8V 输入范围的应用，所选的电感值不仅应该适合占空
比为80%时的最小输入电压，也应该适合占空比为56%
时的 3.8V。参考 5.0
节 “应用电路／问题”
以获取
选择电感值的更多信息。
4.4 关断输入操作
SHDN 引脚用来接通和关断 MCP1650/51/52/53。当
SHDN 引脚接至低电平时， MCP1650/51/52/53 被关
断 ；当连至高电平时，只要输入电压不低于 UVLO 阈
值， MCP1650/51/52/53 即被使能，并开始升压操作。
4.5 软启动操作
当电源首次用于 MCP1650/51/52/53 时，通过控制内部
参考电压的初始化过程来放缓进行升压的启动输出电
压。这样可以降低来自电源的高浪涌电流。较高的浪涌
电流会导致电源电压突然下降，UVLO 阈值跳变，并在
转换器达到稳定工作状态之前关断转换器。
4.6 门控振荡器架构
MCP1650/51/52/53 利用一个 750 kHz 的内置振荡器作
为时基。当输入电压低于或高于额定电压 3.8V 时，振
荡器占空比的典型值分别为 80% 和56%。两种占空比
用来减小输入电压大范围变化时设备中的峰值感应电
流。高峰值感应电流会导致不希望出现的高输出纹波电
压。对于输入电压跨越 3.8V 界线的设备，两种占空比
条件都需要检测以确定哪一种能量储存最少。参考
5.0
节“应用电路／问题”
以获得相关设计考虑事项
的更多信息。
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第14 页 2004 Microchip Technology Inc.
4.7 FB 引脚
输出电压通过一个分压电阻反馈回 FB 引脚，然后与内
部1.22V 的参考电压进行比较。当分压输出低于内部参
考电压时，内部振荡器工作， EXT 引脚以 750 kHz 输
出脉冲控制 N沟道 MOSFET 的接通与关断来把能量从
电源传送至负载。这会导致输出电压上升直至高出
1.22V 的阈值电压，从而关断内部振荡器。迟滞电压由
比较器提供，典型值为 12 mV。振荡器接通与关断的速
率由输入电压、负载电流、迟滞电压和电感值决定。输
出的纹波电压将随输入电压、负载电流、迟滞电压和电
感值而变化。
4.8 PWM 锁存
门控振荡器能够自锁以避免双重和零星脉冲。锁存器的
复位异步进行，它能够在占空比期间终止脉冲。复位由
反馈电压比较器或电流限制比较器完成。
4.9 峰值电感电流
在CS 引脚上通过一个可选的外部电流检测电阻来检测
外部开关峰值电流。如果 CS 引脚电压比 VIN -122mV
（典型值）低，电流限制比较器就会被设置，脉冲随即
被终止。这可以防止因电流过高而损坏 N沟道
MOSFET。在短路的情况下，开关电流会因电流限制而
为低电压。然而通过电感和外部二极管，仍然存在一条
直流回路。所有的升压拓扑架构确实都存在这种情况，
有必要附加保护电路以避免出现灾难性的毁坏。
4.10 EXT 输出驱动器
EXT输出引脚设计为直接驱动外部N沟道MOSFET的快
速接通与关断，其拉电流为 400 mA（典型值），灌电流
为800 mA （典型值） 。 EXT 驱动器的顶端直接连至
VIN，而低端接 GND，因而具备轨对轨驱动能力。将外
部电阻串接至 N沟道 MOSFET 可控制接通和关断的速
率，但这会增加设计的复杂度。通过降低开关速率，高
频噪声将会变少。加快开关速率能够使效率更高。
4.11 电池低电压检测
电池低电压检测 （仅 MCP1651 和MCP1653）功能可
以用来确定 LBI 输入电压何时低于一个事先确定的阈值
电压。电池低电压检测比较器持续监视 LBI 引脚上的电
压。当 LBI 引脚上的电压高于 1.22V+123 mV 的迟滞电
压时，LBO 引脚将处于高阻态（漏极开路）。当处于高
阻态时，到 LBO 引脚的泄漏电流常常低于 0.1 µA。当
LBI引脚上的电压低于1.22V的典型阈值电压，LBO引脚
将转变至低电平状态，而其灌电流增至 10 mA。须提供
123 mV 的迟滞电压以避免 LBO 引脚由于电池输入阻抗
和升压输入电流而产生的抖动现象。
4.12 电源正常输出
电源正常输出功能 （仅 MCP1652 和MCP1653）监视
反馈至 FB 引脚的分压。当输出电压低于调节设定点
15% （典型值）时，电源正常 （PG）输出引脚将从高
阻态 （漏极开路）转变为低电平状态，而其灌电流为
10 mA。如果输出电压高于调节设定点 15% （典型值）
时， PG 输出引脚将从高电平转变为低电平。
4.13 器件保护
4.13.1 过流限制
电流检测 （CS）输入引脚用于检测升压转换器的峰值
输入电流。这可用来限制峰值感应电流能达到的极限。
电流检测功能可选，并可通过将 VIN 输入引脚连接至 CS
输入引脚设置成旁路。由于输入通过升压电感和升压二
极管到输出，没有附加电路的话升压拓扑结构不能短
路。这是所有升压调节器都存在的普遍情况。
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第15 页
MCP1650/51/52/53
5.0 应用电路／问题
5.1 典型应用
MCP1650/51/52/53 升压控制器能够用于一些不同的配
置和许多不同的设备。对于小空间、低成本和高效率的
应用， MCP1650/51/52/53 产品系列是一个很好的选
择。它可用于升压、升 - 降压转换、单端初级电感转换
器（Single-Ended Primary Inductive Converter，
SEPIC）和反激拓扑结构。
5.1.1 非自举升压应用
非自举升压应用普遍用于输出电压比 MCP1650/51/52/
53 额定电压还高的场合。对于非自举升压应用，输入电
压与 MCP1650/51/52/53 的VIN 引脚连接，并通过可选
的电流检测电阻与升压电感连接。对于此类应用，应该
选用 S选项的器件 （UVLO 的典型值为 2.55V）。门控
振荡器占空比取决于 VIN 引脚上的电压值。如果
VIN >3.8V，占空比为 56% ；如果VIN < 3.8V，占空比为
80%。
在非自举升压应用中，能够产生高于100V的输出电压。
即使 MCP1650/51/52/53 器件没有连接至高升压输出电
压，外部 MOSFET 的漏极也与外部肖特基二极管的反
相电压相连接。输出电压电容也必须是对应输出电压的
一个额定值。
图
5-1
：典型非自举应用电路 （
MCP1650/51/52/53
）
FB
CS
SHDN
VIN 8
2
5
6
4
7
MCP1650
GND
输入电压
3.3V ±10%
CIN 10 µF
断通
EXT
升压
电感
3.3 µH
COUT
10 µF
陶瓷电容
90.9 kΩ
VOUT = 12V
IOUT = 0 至100 mA
10 KΩ
MOSFET/ 肖特基
二极管组合器件
RSENSE
0.05 Ω
3.3V 至12V 100 mA 升压转换器
1
3
NC NC
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第16 页 2004 Microchip Technology Inc.
5.1.2 自举升压电路
对于自举架构，高稳定的升压输出电压用来给
MCP1650/51/52/53 供电。这提供了一个恒定的高电压
来驱动外部的 MOSFET。R选项器件（UVLO < 2.0V）
可用于需要以低于 2.7V 的输入电压启动的设备。对于
此类应用， MCP1650/51/52/53 初始输入电压为更低的
2.0V，然后输出电压升至指定值。随着输出电压的上
升， MCP1650/51/52/53 输入电压一起上升。这为输入
电压为 2节碱电池而输出电压低于 6V 的应用提供了一
种解决方案。
图
5-2
：自举应用电路
MCP1650/51/52/53
5.1.3 SEPIC 转换器应用
许多应用中，输入电压会在设定的输出电压上下变化。
一个标准的升压转换器不能用在输出电压低于输入电压
的场合。在这种场合中， MCP1650/51/52/53 可用作一
个SEPIC 控制器。一个 SEPIC 需要 2个电感或者 1个
单耦合电感加上 1个交流耦合电容。与前面的升压转换
应用一样， SEPIC 转换器可用于自举或非自举架构。
SEPIC转换器可以成为高功率LED驱动电路中的流行拓
扑结构。大多数的 LED 的正向压降大约为 3.6V，即介
于单节单锂离子电池的最大电压与最小电压之间，同样
也介于 3节碱电池或者镍金属电池的最大电压与最小电
压之间。
图
5-3
：
SEPIC
转换器应用电路
MCP1650/51/52/53
FB
CS
SHDN
VIN 8
2
5
6
4
7
MCP1652
GND
输入电压
2.8V 至4.2V
Cin
47 µF
off on
EXT
3.3 µH
3.09 kΩ
Vout = 5V
Iout = 1A
1kΩ
利用 MCP1652 PG 输出，锂离子电池输入，（自举）输出达 5.0V 1A
1
3
NC PG
0.1 µF
10 Ω
电源正常输出
Cout
47 µF
陶瓷电容
0.1Ω
关断
N沟道
MOSFET
肖特基二极管
FB
CS
SHDN
VIN 8
2
5
6
4
7
MCP1651
GND
输入电压
2.8V 至4.2V
CIN
47 µF
断通
EXT
3.3 µH
2.49 kΩ
IOUT = 1A
1kΩ
锂离子电池输入，输出为 3.6V 3W 的LED 驱动器（SEPIC 转换器）
1
3
NC PG
0.1 µF
10 Ω
电源正常输出
4.7 µF
3.3 µH
0.2 Ω
COUT
47 µF
陶瓷电容
0.1Ω
3W
LED
调节能力
肖特基二极管
N沟道
MOSFET
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第17 页
MCP1650/51/52/53
5.2 设计考虑事项
在设计开关电源转换器电路时，有很多的事情需要考
虑， MCP1650/51/52/53 系列也不例外。门控振荡器架
构提供了一个简单的控制方法，使得稳定调节器的输出
电压比在固定频率调节器中要达到同样的目的显得更为
容易。
MCP1650/51/52/53 控制器使用了一个外部开关和二极
管，从而允许在较宽范围内进行转换 （高电压增益和 /
或高电流增益）。
同功率转换一样，存在实际的拓扑限制。MCP1650/51/
52/53 门控振荡迟滞模式转换器有着类似的限制，频率
固定的升压转换器同样如此。
5.2.1 设计实例
输出电压设定：
通过调节外部分压电阻，升压转换器的输出电压可以被
设置为任意期望值。由于分压电阻和器件输入电容会产
生RC 延迟，建议电阻值不大于 100 kΩ。反馈电压典
型值为 1.22V。
对于本例：
5.2.1.1 计算
门控振荡迟滞设计中，开关频率不是常量，它将发出一
些门极脉冲来提高输出电压。一旦达到迟滞阈值电压的
上限，门极脉冲停止，输出将以一个由输出电容和负载
决定的速度下降。利用门控振荡器开关频率和占空比，
就可以确定在持续感应电流模式工作时的最大升压比。
这一关系假定：为输出负载电流极大，升压转换器在连
续电感电流模式下工作。如果负载较轻或者使用小升压
电感，则不能获得较高的升压比。
VIN 处于最小值时的计算：
理想的最大输出电压为 14V。由于存在升压二极管的正
向压降和其它电路损失，实际测量的结果会更小些。
对那些输入电压高于或低于 3.8V 的应用，必须检测另
外一点以确定最大升压比。在 3.8V 时，占空比从 80%
转变为 56% 以最大限度地减小电感中的峰值电流。
这种情况下， VOUTMAX = 8.63V 小于所需要的 12V 指
定输出。必须减小电感的大小以便升压调节器工作在非
连续电感电流模式。
输入电压 =2.8V至4.2V
输出电压 = 12V
输出电流 = 100 mA
振荡器频率 = 750 kHz
占空比 = 80% （VIN < 3.8V）
占空比 = 56% （VIN > 3.8V）
RBOT =10kΩ
VOUT = 12V
VFB =1.22V
RTOP = 88.4 kΩ
选择 90.9 kΩ作为最接近标准值的阻值。
RTOP RBOT
VOUT
VFB
-------------


1–


×=
其中 :
RTOP = 上部电阻值
RBOT = 下部电阻值
POUT VOUT IOUT
×=
其中：
POUT = 12V X 100 mA
POUT = 1.2 W
PIN POUT Efficiency()⁄=
其中：
PIN = 1.2W/80%
PIN = 1.5 W
（80% 是个很好的效率估计值）
VOUT
1
1D–
-------------


VIN
×=
VOUTMAX
1
10.8–
----------------


2.8×=
VOUTMAX
1
10.56–
-------------------


3.8×=
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第18 页 2004 Microchip Technology Inc.
为了确定非连续工作模式的最大电感值，将每次开关周
期中流入电感的能量乘以每秒的周期数 （开关频率）。
该值必须比最大输入功率还大。
下面为流入电感的能量方程。系统输入功率等于能量乘
以时间。
电感峰值电流通过下面的方程计算：
采用一个 3.3 µH 的典型电感，此电感中的峰值电流计算
如下：
在3.8V 和3.8V 以下时，工作在连续模式的转换器电压
能够升至 14V。
对于本例， 3.3 µH 的电感显得太大，选择一个 2.2 µH
的电感。
由于电感的减小，所有负载输入中吸收的峰值电流上
升。高升压比中的电感值最好选为维持非持续工作时所
需要的最大电感值。
对于低升压比的应用（3.3V 至5.0V），建议使用 3.3 µH
或更大些的电感。处在这些情况时，电感工作在持续电
流模式。
5.2.2 MOSFET 选择
升压设计中选择合适的MOSFET需要考虑几个关键点。
建议使用低 RDSON 逻辑电平 N沟道 MOSFET。
5.2.2.1 MOSFET 选择过程
1. 额定电压值——MOSFET 漏源电压的最小额定
值为 VOUT + 外部升压二极管的 VFD。例如 12V
输出的转换器中， MOSFET 漏源极之间的额定
电压值为 12V + 0.5V。一般认为一个 20V 的元件
可用来输出 12V 的电压。
2. 逻辑电平 RDSON——MOSFET 在升压周期期间
负担很大的电流。此时 MOSFET 中的峰值电流
也变得十分高。在这个例子中，一个 SOT-23 封
装的 MOSFET 具有以下额定值：
选择低 RDSON 的MOSFET 并不总是更好或者更有效。
低RDSON 常常导致很高的门极电荷和输入电容，从而
延缓 MOSFET 的转变时间和增加开关损失。
5.2.3 二极管选择
外部升压二极管同样以开关频率切换导通和关断，并且
需要很快的导通和关断时间。大多数应用中建议采用肖
特基二极管。肖特基二极管的额定电压值必须为最大升
压输出电压。例如 12V 输出升压转换器中，二极管的额
定电压应为 12V 加上偏差。对于 12V 输出应用，建议
采用 20V 或30V 的肖特基二极管。肖特基二极管同样
有低正向压降的特性，这又是一个开关电源应用中所希
望的特性。
FSW =750kHz
TON =(1/FSW * 占空比 )
IPK (2.8V) = 905 mA
Energy (2.8V) = 1.35 µJ
Power (2.8V) = 1.01 W
IPK (3.8V) = 860 mA
Energy at 3.8V = 1.22 µJ
Power = 0.914 W　
FSW = 750 kHz
TON =(1/FSW * 占空比 )
IPK (2.8V) = 1.36A
Energy (2.8V) = 2.02 µJ
Power (2.8V) = 1.52 W
IPK(3.8V) = 1.29A
Energy at 3.8V = 1.83 µJ
Power = 1.4 W
Energy 1
2
---LI
PK
2
××=
IPK
VIN
L
-------- TON
×=
IRLM2502 N 沟道 MOSFET
VBDS =20V（漏源击穿电压）
RDSON =50mΩ（VGS = 2.5V）
RDSON =35mΩ（VGS = 5.0V）
QG=所有门极电量 = 8 nC
VGS =0.6V至1.2V （门源阈值电压）
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第19 页
MCP1650/51/52/53
5.2.4 输入 /输出电容选择
对输入或输出电容没有特殊的要求。大多数应用中陶瓷
电容或低等效串联电阻 （effective series resistance，
ESR）钽电容能够提供比铝电解电容更低的输出纹波电
压。请务必注意不要超出厂商给出的额定电压或纹波电
流规格。出于成本和大小的考虑，一般都采用容值小的
电容，但这常常会导致很高的输出纹波电压。
输入电容的大小取决于应用中信号源的阻抗。
MCP1650/51/52/53 升压转换器的迟滞架构在确定的线
性负载条件下能够吸收相对较高的输入电流峰值。小输
入电容在转换器的输入引脚上会产生很大的纹波电压，
这使器件性能不尽如人意。
输出电容大小在迟滞门控振荡器转换器的性能中起着非
常重要的作用。某些情况下使用陶瓷电容会导致较高的
输出纹波电压，因为陶瓷电容的等效串联电阻比较低。
正如应用图表所示，对某些应用来说为 0.1Ω的等效串
联电阻串接陶瓷电容实际上会减小输出纹波电压和峰值
输入电流。电容和等效串联电阻的选择将很大程度上决
定输出纹波电压。
5.2.5 电池低电压检测
电池低电压检测应该使用 MCP1651 或MCP1653。电
池低电压检测功能把电池低电压输入 （LBI）引脚电压
与内部 1.22V的参考电压作比较。如果 LBI 输入低于 LBI
的阈值电压，电池低电压输出 （LBO）引脚将通过内部
漏极开路的 MOSFET 灌入电流 （高达 10 mA）。如果
LBI 输入电压高于阈值电压，LBO 输出引脚将开路或处
于高阻态。
5.2.6 电源正常输出
对于电源正常状态检测， MCP1652 或MCP1653 器件
比较理想。电源正常输出功能把 FB 引脚上的电压与内
部参考电压 （±15%）作比较。如果 FB 引脚电压高于
或低于电源正常电压阈值的 15% 时， PG 输出引脚将
通过内部漏极开路的 MOSFET 灌入电流；如果调节器
的输出处于输出电压的 ±15% 范围内， PG 引脚将开路
或处于高阻态。
5.2.7 外部元件制造厂商
电感：
Sumida®
Corporation
http://www.sumida.com/
Coilcraft® http://www.coilcraft.com
BH Electronics® http://www.bhelectronics.com
Pulse
Engineering®
http://www.pulseeng.com/
Coiltronics® http://www.cooperet.com/
电容：
MuRata® http://www.murata.com/
Kemet® http://www.kemet.com/
Taiyo-Yuden http://www.taiyo-yuden.com/
AVX® http://www.avx.com/
MOSFET 和二极管：
International
Rectifier
http://www.irf.com/
Vishay® /Siliconix http://www.vishay.com/
company/brands/siliconix/
ON
Semiconductor®
http://www.onsemi.com/
Fairchild
Semiconductor®
http://www.fairchildsemi.com/
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第20 页 2004 Microchip Technology Inc.
6.0 典型布局
图
6-1
：
MCP1650/51/52/53
应用原理图
当进行 MCP1650/51/52/53 物理布局设计时，首先要决
定升压电源系列元件的位置以减小高电流回路的大小。
在大信号电源地、小信号反馈路径和功能地之间提供独
立的地回路也很重要。某些情况下对 VIN 引脚进行额外
的滤波有助于减少 MCP1650/51/52/53 的输入噪声。
在这个布局例子中，关键的电源回路是从输入至输出，
+VIN_1至F1至C2至L1至Q1至GND。当开关（Q1）接通
时，电流会通过这条回路；当 Q1断开时，电流回路将
迅速地变为从 +VIN_1至F1至L1至D1至C1至R4至
GND。在着手此应用的布局时，这两条电源回路都应该
尽可能的短。 C2、Q1和R4的GND 端都应该连至单
层 “电源地”层以减小走线间的电感。
用粗线来表示大电流连接，而且其宽度应该设计成实际
大小。
R1和C3为可选的滤波器，它可以用来减小 MCP1650/
51/52/53 VIN 引脚上的开关噪声。这在大功率应用
（>1W）和自举应用中应该予以考虑，这两种应用中
MCP1650/51/52/53 的VIN 引脚由升压调节器的输出电
压供电。
考虑到设置输出电压的反馈分压电阻比较灵敏，布线时
应该远离前面讨论的电源开关元件。
如图中所示， R6、R8和MCP1650/51/52/53 的GND
引脚应该接回至模拟地层。
模拟地层和电源地层应该在输入电容（C2）附近通过单
点连接起来。
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2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第21 页
MCP1650/51/52/53
图6-2 为前面 MCP1650/51/52/53 应用原理图的顶层走
线。
如图 6-2 所示，大电流走线短而宽。这个例子中，顶层
和底层都使用了 1 oz. 敷铜层。连至 C2 和R4 的地层
通过连接顶层和底层的过孔连接起来。反馈信号（来自
TP2）走线从大电流开关部分周围的调节器输出至反馈
电压分压器和 MCP1650/51/52/53 的FB 引脚。
图
6-2
：顶层走线
图6-3 为前面 MCP1650/51/52/53 应用原理图的底层走
线。
顶层的丝印参照器件标签均为透明。模拟地层和电源地
层在输入电容（C2）的地连接附近连接起来。这避免了
大功率地环流通过模拟模拟地层。
图
6-3
：底层走线
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第22 页 2004 Microchip Technology Inc.
7.0 封装信息
7.1 封装标识信息
图注： XX...X 用户特定信息 *
YY 年份代码 （年历的最后两位数）
WW 星期代码 （一月一日的星期代码为 01）
NNN 以字母数字排序的追踪代码
注：如果Microchip 器件编号没有在一行完全标出，它将在下一行继续标出，因此限
制了用户特定信息的可用字符数。
*标准的标识包括 Microchip 器件编号、年代代码、星期代码和追踪代码。
8引脚 MSOP（MCP1650, MCP1651, MCP1652）示例：
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1650SE
0448256
10 引脚 MSOP（MCP1653）示例：
XXXXX
YYWWNNN
1653SE
0448256
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第23 页
MCP1650/51/52/53
8引脚塑料微型封装 （UA）（ MSOP）
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MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第24 页 2004 Microchip Technology Inc.
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10 引脚塑料微型封装 （UN）（MSOP）
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第25 页
MCP1650/51/52/53
产品标识体系
欲订货，或获取价格、交货等信息，请与我公司生产厂或各销售办事处联系。
销售与技术支持
器件 MCP1650：750 kHz 升压控制器
MCP1651：750 kHz 升压控制器
MCP1652：750 kHz 升压控制器
MCP1653：750 kHz 升压控制器
UVLO 选项 R=2.0V
S=2.55V
温度范围 E= -40°C至+125°C
封装 MS = 8 引脚塑料微型封装 （(MSOP）
UN = 10 引脚塑料微型封装 （(MSOP）
器件编号 XXX
封装 温度范围
器件
X
UVLO
选项
示例：
a) MCP1650R-E/MS：UVLO 为2.0V
b) MCP1650RT-E/MS：UVLO 为2.0V，
卷带式
c) MCP1650S-E/MS：UVLO 为2.55V
d) MCP1650ST-E/MS：UVLO 为2.55V，
卷带式
a) MCP1651R-E/MS：UVLO 为2.0V
b) MCP1651RT-E/MS：UVLO 为2.0V，
卷带式
c) MCP1651S-E/MS：UVLO 为2.55V
d) MCP1651ST-E/MS：UVLO 为2.55V，
卷带式
a) MCP1652R-E/MS：UVLO 为2.0V
b) MCP1652RT-E/MS：UVLO 为2.0V，
卷带式
c) MCP1652S-E/MS：UVLO 为2.55V
a) MCP1652ST-E/MS：UVLO 为2.55V，
卷带式
a) MCP1653R-E/UN：UVLO 为2.0V
b) MCP1653RT-E/UN：UVLO 为2.0V，
卷带式
c) MCP1653S-E/UN：UVLO 为2.55V
d) MCP1653ST-E/UN：UVLO 为2.55V，
卷带式
数据手册
初始数据手册中所述的产品可能会有一份勘误表，其中描述了较小的运行差异和推荐的工作环境。要了解是否存在某一器件的勘误
表，可通过以下方式联系我们：
1. Microchip 在当地的销售办事处
2. Microchip 美国总部的文献中心，传真：1-480-792-7277
3. Microchip 网站 （www.microchip.com）
请指明您使用的器件名称、芯片型号和数据手册的版本 （包括文献编号）。
客户通知系统
只要在我公司网站 （www.microchip.com/cn）上注册，就能获得产品的最新信息。
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN 第26 页 2004 Microchip Technology Inc.
注：
2004 Microchip Technology Inc. DS21876A_CN 第27 页
提供本文档的中文版本仅为了便于理解。Microchip
Technology Inc. 及其分公司和相关公司、各级主管与员工及
事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任。
建议参考 Microchip Technology Inc. 的原版文档。
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利，它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范，
是您自身应负的责任。Microchip 对这些信息不作任何明示或
暗示、书面或口头的声明或担保，包括但不限于针对其使用情
况、质量、性能、适销性或特定用途的适用性的声明或担保。
Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担
任何责任。未经 Microchip 书面批准，不得将 Microchip 的产
品用作生命维持系统中的关键组件。在 Microchip 知识产权保
护下，不得暗中或以其它方式转让任何许可证。
商标
Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 Accuron、
dsPIC、KEELOQ、microID、MPLAB、PIC、PICmicro、
PICSTART、PRO MATE、PowerSmart、rfPIC 和
SmartShunt均为Microchip Technology Inc.在美国和其它国家
或地区的注册商标。
AmpLab、FilterLab、Migratable Memory、MXDEV、
MXLAB、PICMASTER、rfPIC、SEEVAL、SmartSensor
和The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip
Technology Inc. 在美国的注册商标。
Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、
dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、ECAN、
ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、fuzzyLAB、
In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、
Migratable Memory、MPASM、MPLIB、MPLINK、
MPSIM、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、
PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、
PowerTool、rfLAB、rfPICDEM、Select Mode、Smart
Serial、SmartTel 和Total Endurance 均为 Microchip
Technology Inc. 在美国和其它国家或地区的商标。
SQTP 是Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。
在此提及的所有其它商标均为各持有公司所有。
© 2004, Microchip Technology Inc。版权所有。
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：
• Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。
• Microchip 确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。
•目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操
作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。
• Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。
• Microchip 或任何其它半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “牢不可破”的。
代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视
为违反了《数字器件千年版权法案（Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软
件或其它受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
Microchip
位于美国亚利桑那州
Chandler
和
Tem pe
及位于加利福尼亚州
Mountain View
的全球总部、设计中心和晶圆生产厂均于
2003
年
10
月通
过了
ISO/TS-16949:2002
质量体系认证。公司在
PICmicro® 8
位单片
机、
KEELOQ®
跳码器件、串行
EEPROM
、单片机外设、非易失性存储
器和模拟产品方面的质量体系流程均符合
ISO/TS-16949:2002
。此外，
Microchip
在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了
ISO
9001:2000
认证。
DS21876A_CN 第28 页 2004 Microchip Technology Inc.
美洲
公司总部 Corporate Office
2355 West Chandler Blvd.
Chandler, AZ 85224-6199
Tel : 1-480-792-7200
Fax: 1-480-792-7277
技术支持：
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网址：www.microchip.com
亚特兰大 Atlanta
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Fax: 1-978-692-3821
芝加哥 Chicago
Itasca, IL
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达拉斯 Dallas
Addison, TX
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Fax: 1-972-818-2924
底特律 Detroit
Farmington Hills, MI
Tel : 1-248-538-2250
Fax: 1-248-538-2260
科科莫 Kokomo
Kokomo, IN
Tel : 1-765-864-8360
Fax: 1-765-864-8387
洛杉矶 Los Angeles
Mission Viejo, CA
Tel : 1-949-462-9523
Fax: 1-949-462-9608
圣何塞 San Jose
Mountain View, CA
Tel : 1-650-215-1444
Fax: 1-650-961-0286
加拿大多伦多 Toronto
Mississauga, Ontario,
Canada
Tel : 1-905-673-0699
Fax: 1-905-673-6509
亚太地区
中国-北京
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Fax: 86-10-8528-2104
中国-成都
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Fax: 86-28-8676-6599
中国-福州
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Fax: 86-591-8750-3521
中国 - 香港特别行政区
Tel: 852-2401-1200
Fax: 852-2401-3431
中国-上海
Tel: 86-21-5407-5533
Fax: 86-21-5407-5066
中国-沈阳
Tel: 86-24-2334-2829
Fax: 86-24-2334-2393
中国-深圳
Tel: 86-755-8203-2660
Fax: 86-755-8203-1760
中国-顺德
Tel: 86-757-2839-5507
Fax: 86-757-2839-5571
中国-青岛
Tel: 86-532-502-7355
Fax: 86-532-502-7205
台湾地区 - 高雄
Tel: 886-7-536-4818
Fax: 886-7-536-4803
台湾地区 - 台北
Tel: 886-2-2500-6610
Fax: 886-2-2508-0102
台湾地区 - 新竹
Tel: 886-3-572-9526
Fax: 886-3-572-6459
亚太地区
澳大利亚 Australia - Sydney
Tel: 61-2-9868-6733
Fax: 61-2-9868-6755
印度 India - Bangalore
Tel: 91-80-2229-0061
Fax: 91-80-2229-0062
印度 India - New Delhi
Tel: 91-11-5160-8631
Fax: 91-11-5160-8632
日本 Japan - Kanagawa
Tel: 81-45-471- 6166
Fax: 81-45-471-6122
韩国 Korea - Seoul
Tel: 82-2-554-7200
Fax: 82-2-558-5932 或
82-2-558-5934
新加坡 Singapore
Tel: 65-6334-8870
Fax: 65-6334-8850
欧洲
奥地利 Austria - Weis
Tel: 43-7242-2244-399
Fax: 43-7242-2244-393
丹麦 Denmark - Ballerup
Tel: 45-4450-2828
Fax: 45-4485-2829
法国 France - Massy
Tel: 33-1-69-53-63-20
Fax: 33-1-69-30-90-79
德国 Germany - Ismaning
Tel: 49-89-627-144-0
Fax: 49-89-627-144-44
意大利 Italy - Milan
Tel: 39-0331-742611
Fax: 39-0331-466781
荷兰 Netherlands - Drunen
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英国 England - Berkshire
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Fax: 44-118-921-5820
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10/20/04