NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorlaufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0...0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13 0.2 M A 0.1 M B GEO06982 1 2 3 4 5 6 - - Emitter Collector - - Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet fur Anwendungen im Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1080 nm Hohe Linearitat SMT-Bauform ohne Basisanschlu, geeignet fur Vapor Phase-Loten, IR-Reflow-Loten (JEDEC level 4) und Wellenloten (JEDEC level 4) Nur gegurtet lieferbar 460 nm to 1080 nm High linearity SMT package without base connection, suitable for vapor phase, IR reflow soldering (JEDEC level 4) and wave soldering (JEDEC level 4) Available only on tape and reel Anwendungen Applications Umgebungslicht-Detektor Lichtschranken fur Gleich- und Wechsel- lichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln" Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 3201 on request P-DSO-6 Semiconductor Group 1 Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits 1998-04-27 SFH 3201 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 85 o Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 20 V Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 120 mW Warmewiderstand fur Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 500 K/W Semiconductor Group 2 C 1998-04-27 SFH 3201 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 460 ... 1080 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 0.55 mm2 Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area LxB LxW 1x1 mm x mm Halbwinkel Half angle 60 Grad deg. Kapazitat, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 15 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 20 V, E = 0 ICEO 3 ( 200) nA Semiconductor Group 3 1998-04-27 SFH 3201 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -1 -2 IPCE 63 ... 125 100 ... 200 160 ... 320 A IPCE 1.65 2.6 4.2 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k tr , tf 16 24 34 s Kollektor-EmitterSattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 VCEsat Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) -3 170 ( 250) mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f () 40 30 20 10 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-04-27 SFH 3201 TA = 25 C, = 950 nm Rel.spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF02332 100 OHF00326 10 1 mA pce S rel % 10 0 80 1 2 3 70 Total power dissipation Ptot = f (TA) 100 10 -1 60 OHF00309 140 mW Ptot 120 80 50 60 10 -2 40 30 40 10 -3 20 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 OHF01524 1.6 10 -2 mW/cm 2 Ee PCE 25 1.2 0 20 40 60 80 C 100 TA Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 OHF02341 10 2 nA OHF02342 10 2 nA CEO CEO 1.4 0 10 0 Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 C PCE 10 -4 -3 10 10 1 10 1 10 0 10 0 10 -1 10 -1 10 -2 10 -2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25 0 25 50 75 C 100 TA 10 20 30 40 50 V 70 V CE 0 20 40 60 80 C 100 TA Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz Photocurrent IPCE = f (VCE) pce 0 OHF00327 3.0 mA C CE pF 1.0 mW/cm 2 2.5 OHF02344 50 40 2.0 30 1.5 0.5 mW/cm 2 20 1.0 0.25 mW/cm 2 10 0.5 0.1 mW/cm 2 0 0 10 20 30 40 50 Semiconductor Group 60 V 70 Vce 0 -2 10 10 -1 10 0 5 10 1 V 10 2 VCE 1998-04-27