NPN -Silizium-Fototransisto r im SMT-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in SMT Package
Vorläufige Daten / Preliminary Data
SFH 3201
Semiconductor Group 1 1998-04-27
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
3.4
3.0
5.8
6.2
0.15
0.13
0...0.1
2.1
1.7
4
6
1
3
GEO06982
4.2
3.8
25
- Emitter Collector
12 3 4 6
5
---
0.3
0.5
2.45 spacing
1.27 spacing
0.4
0.7
B
A
0.2 M
A
Active area 0.55
0.1 M
B
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
●Hohe Linearität
●SMT-Bauform ohne Basisanschluß,
geeignet für Vapor Phase-Löten,
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) und
Wellenlöten (JEDEC level 4)
●Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Umgebungslicht-Detektor
●Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
●Industrieelektronik
●„Messen/Steuern/Regeln“
Features
●Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
●High linearity
●SMT package without base connection,
suitable for vapor phase, IR reflow soldering
(JEDEC level 4) and wave soldering
(JEDEC level 4)
●Available only on tape and reel
Applications
●Ambient light detector
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 3201 on request P-DSO-6
SFH 3201
Semiconductor Group 2 1998-04-27
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 oC
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 20 V
Kollektor-Emitterspannung,
t
< 120 s
Collector-emitter voltage VCE 70 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 100 mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage VEC 7V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 120 mW
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 500 K/W
SFH 3201
Semiconductor Group 3 1998-04-27
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ460 ... 1080 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A 0.55 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L x B
L x W1 x 1 mm x mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance CCE 15 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 20 V, E = 0
ICEO 3 (≤ 200) nA
SFH 3201
Semiconductor Group 4 1998-04-27
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-1 -2 -3
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard
light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
63 ... 125
1.65
100 ... 200
2.6
160 ... 320
4.2
µA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr, tf16 24 34 µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) x 0.3,
Ee = 0.1 mW/cm2
VCEsat 170
(≤ 250) mV
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Semiconductor Group 5 1998-04-27
SFH 3201
TA = 25 °C, λ = 950 nm
Rel.spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Photocurrent IPCE = f (TA),
VCE = 5 V, normalized to 25 °C
Photocurrent
IPCE = f (VCE)
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz
λ
OHF02332
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500 600 700 800 900 nm 1100
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
025 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
V
OHF00327
ce
001020 30 40 50 60 70V
mA
pce
Ι
1.0 mW/cm
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
2
0.5 mW/cm
0.25 mW/cm
2
0.1 mW/cm
2
E
OHF00326
e
-3
10
pce
Ι
-4
10
10
1
mA
2
mW/cm10
-2
10
0
10
-3
10
-2
10
-1
0
10 1
2
3
V
OHF02341
CE
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
10 20 30 40 50 70V
V
OHF02344
CE
CE
C
0
10
-2 -1
10
0
10
1
10 10
2
V
10
20
30
40
pF
50
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
T
OHF00309
A
0
tot
P
020 40 60 80 C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
T
OHF02342
A
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
20 40 60 80 100˚C
