日本インター株式会社
QS043-401M0056 (2/4)
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ
－Ｓｉｎｇｌｅ
８００ Ａ，１２００Ｖ
ＰＨＭＢ８００Ｂ１２
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ ８００
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １，６００ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ３，４００ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０.６）
Ｍ４ １.４（１４.３）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ
Ｍ８ １０.５（１０７）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １６ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４ － ８ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 66,000 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 0.75Ω
ＲG= 0.5Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
８００ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １，６００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 800A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.２５ ０.３５ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.０３６ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.０６５ ℃／Ｗ
(C)
12
(E)
4
(E)
3
(G)
2 -M4
4 - Ø6.5
80
2 -M8
110
93 ±0.25
62 ±0.25
20 20
13 21 29
4
2
1
3
+1.0
- 0.5
36
25.5+1 .0
- 0.5
23
7
LABEL
http://store.iiic.cc/
日本インター株式会社
QS043-401-M0056 (3/4)
ＰＨＭＢ８００Ｂ１２
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
TC=25℃
800A
IC=400A 1600A
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
IC=400A
800A
1600A
TC=125℃
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg
(nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
VCE=600V
400V
200V
RL=0.75Ω
TC=25℃
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20000
50000
100000
200000
500000
1000000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Capacitance C
(pF)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE =0V
f=1MHZ
TC=25℃
0 200 400 600 800
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t
(μs)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
tOFF
tf
tr
tON
VCC=600V
RG=0.5Ω
VGE=±15V
TC=25℃
0246810
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
TC=25℃
10V
9V
12V
15V
VGE=20V
8V
7V
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日本インター株式会社
QS043-401-M0056 (4/4)
ＰＨＭＢ８００Ｂ１２
0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Switching Time t
(μs)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
VCC=600V
IC=800A
VGE=±15V
TC=25℃
tf
tr
ton
toff
01234
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Forward Voltage V
F
(V)
Forward Current I
F
(A)
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25℃ TC=125℃
0 800 1600 2400 3200 4000 4800
50
100
200
500
1000
-di/dt
(A/μs)
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
IF=800A
TC=25℃
IRrM
trr
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-
1
110
-4
2x10
-4
5x10
-4
-3
2x10
-3
5x10
-3
-2
2x10
-2
5x10
-2
1x10
-1
2x10
-1
Time t
（s）
Tansient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(ﾟC/W)
fig11-Tansient Thermal Impedance
Tc=25℃
1 Shot
IGBT
FRD
1x10
1x10
1x10
1
0 400 800 1200 1600
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=0.5Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
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