NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASES TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASES *2N 3771 *2N 3772 * BDY 76 K Preferred device Dispositif recommand - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance Vceo {eo v aN a BDY 76 - High current switching ! 20A 2N 3772 - BDY 76 Commutation fort courant c 30 A 2N 3771 - Thermal fatigue inspection Prot 150 W Contr6l en fatigue thermique Reh (j-c) 1,17 C/W max. 15-60 2N 3771 (15A) hoiE 2N 3772 (10A) 40-120 BDY 76 fy 0,8 MHz min. Dissipation derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100% Bottom view E Vue de dessous 78 XX o X oO 28 I | B ! Weight : 14,4g Collector is connected to case 0 50 100 150 tease) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25 (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires) 2N 3771 2N 3772 BDY 76 Collector-base volta Tension collectour-bess Vso 50 100 100 Collector-emitter volta: Tension collecteur-mettocr Vceo 40 60 60 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-6metteur Reg = 100 2 VoeR 45 70 70 v Collector-emitter voltage . Tension collecteur-metteur Veg=-15 V VcEx 50 80 80 Vv Emitter-base volta Tension mettour-basr Veso 5 7 7 v Collector current Courant collecteur 'c 30 20 20 A Peak collector current = 5 Courant de crte de collecteur tp=05s om 30 30 A Base current Courent base ! B 75 5 5 A Power dissipation Dissipation ae puissance tease = 25 C Prot 150 150 150 w Junction temperature . Temprature de jonction max. qj 200 200 200 c Storage temperature min, t 65 65 ~65 C Temprature de stockage max. stg +200 +200 +200 | C 73-10 1/10 THOMSON - CSF 341 ONIBION_SEMECONDUCTEURS*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Canditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 30V Eo 2N 3771 fo mA B = . Vac =50V Collector-emitter cut-off current cE . Courant rsiduel collecteur-metteur Ig =0 ceo 2N 3772 10 mA Vee =50V Ce BOY 76 10 mA B =O Vv =50V CE 2N 3771 2 =e mA Vee = ~15V Voce =30V Veg = 71S V 2N 3771 10 mA tease = 150C Collector-emitter cut-off current 1 Courant rsiduel collecteur-metteur Voge = 100 V CEX 2N 3772 5 A Vag = 715 V BDY 76 V =30V CE = . 2N 3772 Vee =-1,5V 10 mA tease = 150C BDY 76 Vv =50V BE 2N 3771 2 mA E = Vos =30V lp =O | 2N 3771 10 mA tease = 160C Collector-base cut-off current leBo Courant rsiduel collecteur-base Vv cB 100 V 2N 3772 5 mA ! E = Oo BDY 76 Vop = 30V 2N 3772 - BDY 76 10 mA tease = 150C Ven =5V ne no 2N 3771 5 mA GC 7 Ven =Z7V Emitter-base cut-off current EB I N Courant rsiduet metteur-base le = EBO 2N 3772 5 mA Vep =7V le -0 BDY 76 5 mA 2N 3771, 40 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig = 200 mA Vv * 2N 3772] 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur ly =0 (BR)CEO { BDY 76 | 60 Vv % Pulsed = t, = 300us | 6 < 2% Impulsions 2/10 342*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 STATIC CHARACTERISTICS {Unless otherwise stated) = 95 CARACTERISTIQUES STATIQUES tease 25C (Saut indications contraires} Test conditions ' Conditions de mesure Min. Typ. Max. 2N 3771| 45 v * Collector-emitter breakdown voltage I = 200mA ViBRICER 2N 3772| 70 Vv Tension de claquage collecteur-6metteur R BE = 100 2 BDY 76 | 70 v 2N 3771| 50 Vv Collector-emitter breakdown voltage lo = 200 mA Vv * 2N 3772| 80 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Vee =-~-1,5V (BR)CEX BDY 76 | 80 Vv Vee =4V CE : lo =15A 2N 3771| 15 60 Vee=4V oe a0 | 2N3771| 5 Static forward current transfer ratio Cc = h Valeur statique du rapport de transfert Vv =4V 21E direct du courant CE > 2N 3772| 15 60 le =10A Vee =4V cE BDY 76 | 40 120 I c = 10A lo =I5A ip =1,5A 2N 3771 2 Vv Collector-emitter saturation voltage Ic =30A Vv * . 2N 3771 4 f Tension de saturation collecteur-metteur Ip =6A CE sat V I =10A 2N 37 aa 3772 1,4 Vv BOT : BDY 76 Von =4V CE ic = 1BA 2N 3771 2,7 Vv Base-emitter voltage Vog =4V * 772 22 Vv Tension base-6metteur lo =10A Vee 2N3 o Ver =4V CE le =10A BDY 76 2,2 Vv Veg =40V . Second breakdown collector current t cE =1s 2N 3771| 3,75 A Courant callecteur de second claquag tease = 100C Ver =60V case pats Is/B 2N 3772| 1,4 A * Pulsed impulsions t,, = 300 us p 652% 3/10 343*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) + CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) case = 20C (Unless otherwise stated} (Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Transition frequency Vce=4V f. 08 MHz Frquence de transition Io =IA T THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rehij-c) 117 ciw Rsistance thermique (jonction-boitier) THERMAL FATIGUE INSPECTION insurance against thermal fatigue. Pulsed test : Mounting silicon chip on a molybdenum header bounds mechanical constraints and provides maximum 10 000 cycles CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le montage de fa pastille sur un support en molybdne limite les contraintes mcaniques et confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Contrle cyclique : "on : 2 minutes (0 > 70 W) off . minute (70> 0 W) tease = 125C max Atcase= 110C max 40*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 (A) g0 40 20 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit tease = 25C 2N 3771 2N 3772 Continuous - - Continu Pulsed imputsions 2 4 6 8 10 20 40 60 Voglv) 5/10 345*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension Courant collecteur en fonction de fa tension le coffecteur-metteur 1 collecteur-metteur Cc . tA) qT ta) | 2N 3772 wet = ee 200 UP | enemas 8 8 | a 150 mA a 6 6 | on 100 A tp = 50 mA B 4 4 2 2 2N 0 Q 0 1 2 3 4 Vogtvl 0 i 2 3 4 Vogl COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension 1 _collecteur-metteur ws 2N 0,4 0,3 9,2 0,1 0 20 40 60 Vogl) 6/10 346*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension Ig collecteur-metteur 76 0 1 2 3 4 Voelv) COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER (MINIMUM VALUE} Tension collecteur-6metteur en fonction ce la Vv cE rsistance base-metteur (valeur minimum). v) = 25C 70 60 50 2 468 2 +46 2 8 10! 102 103 Rpg!) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de ia tension collecteur-metteur I C fan3772 (al leo 76 4 | | 0,4 42 amh 0,3 Va rg sone 0,2 y~ Wa a mA 01 | j Ig = 500 pA 0 Q 200 4002GO 80 giv STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du ho, E couranten fonction du courant collecteur 160 120 80 40 102 Fag 2 *\407 * \40! ligt) 7110 347*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du h 21E courant en fonction du courant collecteur Vee =4V 400 300 200 100 468 ,2 468 9 2 10 le {A} BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- i metteur s 05 1 15225 Vap(Vl STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de tansfert direct du h. 21 courant en fonction du courant collecteur Vee =4V 400 200 2 468 ,2 4 68 BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- ) metteur B tmA) 3772- BOY Voge =4V 10 os 1 15 2 2,5 Vpe(vl 8/10 348*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant coilecteur en fonction de ia tension ' c base-metteur (A) 6 2N 377 =4 0 0,5 1 1,5 2 Vee(V) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vv fonction du courant collecteur CEsat iv) 2N 3771 = 10 2 468,22 468 1 10 10! cl) 10 COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant coffecteur en fonction de fa tension base-metteur {A} 10! be aw 0 10 2 6 2 10! 0 0,5 1 1,5 2 Vee (V) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en y fonction du courant collecteur BEsat {v) 3771 10 9/10 349*2N 3771, *2N 3772, *BDY 76 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en fonction du courant coliecteur VBecat 2N 3772 (v BOY 76 te_ 40 4 a 2 4 $490 2 #4 Sey 2 #4 IgA} OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction ae la tension collecteur-base C22p (pF) 10? 2 4 68 2 ) 10 107 VosY COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-dmetteur en fonction du courant collecteur Voce cat ) BDY 76 I xE=10 A B 3 2 1 0 rot 7 * 8 F907 * 84qt 7 * Beta -TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en wgime dimpulsions 3771 2N 3772 8 . 6 9202, o= 25 25 2 2 25 108 104 103 = 1921077 10 ty, (oer 10/10 350