e metal power transistors sn . . @ , . transistors de puissance mtalliques THOMSON-CSF Type Vceo] Ic | Ptot haze 06/ Ic | VceE(sat)] I / ip f tat+t] ts | t fr Case cont typ* | typ* NPN PNP min | max max max | max [max] min (Vv) (A) | (W) (A) (v) (A) (A) (us) | Gs) | Gs) ] (MHz) switching transistors transistors de commutation 2N 3053 4 | 50 | 250 0,15 0,015 100 2N 2890 80. 25 2 0,2 0,3 1,5 30 2N 2891 80 40 2 02 0,3 } 1,5 30 2N 5415 200. 30 | 150 0,05 0,005 2 * }O5*) 15 2N 5416 | 300: 30 | 120 0,05 0,005 2 * 705") 15 2N 3440 (250. 40 | 160 0,05 0,004 : 15 2N 3439 350 | 40 160 0,05 0,004 15 BUX 49 90: 20 60 3,5 0,35 08 |] 1,5 10,3 8 BUX 50 125 20 60 3 0,3 0s }2 {03 8 TO-39 BUX 51 200. 20 60 2 02 os | 25 [05 8 CB-7 BUX 54 400 20 60 1,2. 0,15 1 3,5 [1,2 8 general purpose transistors transistors usage general 2N 3054 | BDX 14 4 25 | 100] 05 | 1 0,5 0,05 0,8 BDY 71 4 80 | 200] 05 Jet 0,5 0,05 0,8 BDY 72 3 60 | 180] 05 1 0,5 0,05 0,8 2N 3441 | BDX16 | 3 20 so} 05 | 4 0,5 0,05 0,8 2N 3740 | 4 20 0,5 t 1 0,125 4 2N 3741 4 20 05 10,125 4 _ switching transistors transistors de commutation WE : 2 a TO-66 BDY 78 55 4 | 25] 25 100 | 0,5 0,5 0,05 8 CB-72 BDY 79 120 | 4 | 25] 25 100 | 0,5 0,5 0,05 8 2N 3583 AmB 1b 1 . 1 0,125 10 2N 3738 226 | 3 0,25, 92,5 4 0,25 0,025 10 2N 3584 250 | 2 100 | 1 075 11 0,125] 3 4 3 10 2N 3585 800] 2 100 | 1 O75 | 1 0,125] 3 4 3 10 general purpose transistors tra 2N 3771 60 | 15 1,5 2N 3055 | BDX 18 70] 4 0,4 A 2N 3055 S 70 | 4 3,3 2N 3772 a : 60 | 10 1 2N 3442 | BDX20 | ..140 | 10 70 | 3 0,3 2N 3773 P1407 16 60 | 8 0,8 A: Devices under CCOQ/CCT * Dispositifs sournis au CCO/CCT og Unless otherwise specified Te = 26C sauf spcification contraire 34