汕头华汕电子器件有限公司
N
PN
D I G I T
A
L
T R
A
N S I S T
O R
HC144E
对应国外型号
DTC144E,2SC3399
,KSR1204
█
主要用途
█
外形图及引脚排列
开关、接口电路等。
█
极限值
(
T
a
=25
℃)
1
―发射极,
E
2
―集电极,
C
3
―基
极,
B
TO-92S
T
stg
——贮存温度……………………
……………
-
55~150
℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极耗散功率…………
……………………
300mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………
…………
50V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………
………………
50V
V
EBO
——发射极—基极
电压……………………………
…
10V
I
C
——集电极电流……
…………………………………
100
mA
█
电参数
(
T
a
=25
℃)
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单
位
测
试
条
件
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
CEO
I
EB0
H
FE
V
CE(sat)
V
I(off)
V
I(on)
R1
R2/R1
F
t
Cob
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
集电极—基极截止电流
集电极
—
发射极截止电流
发射极
—
基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
关闭输入电压
导通输入电压
输入电阻
电阻比值
特征频率
共基极输出电容
50
50
30
70
0.8
1.0
32
0.9
53
0.1
1.1
2.5
47
1.0
250
5.5
0.1
0.5
80
0.3
1.5
5.0
62
1.1
V
V
µ
A
µ
A
µA
V
v
v
kohm
MHz
pf
I
C
=10
μ
A
,
I
E
=0
I
C
=0.1mA
,
I
B
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CE
=40V, I
B
=0
V
EB
=-5V
,
I
C
=0
V
CE
=5V,
I
C
=5m
A
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
V
CE
=5V,I
C
=0.1mA
V
CE
=0.2V,I
C
=5mA
V
CE
=10V,I
C
=5mA
V
CB
=10V,f
T
=1MHz
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