NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASES 2N 5294 TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASES 2 N 5296 2N 5298 Compl. of ESM 132, 133, 134 - Complementary power amplification stages Amplification de puis & symtric ple. i e P 70V 2N5294 . teas Vv 40V 2N 5296 - Medium power switching CEO 60 V 2N 5298 Commutation moyenne puissance I c 4A - Regulation Prot 36.W Rgulation Rth(j-c) 3,5C/W max fy 0,8 MHz min Dissipation Plastic case TO-220 AB See outline drawingCB-1170n last pages Variation de dissipation Boftier plastique Voir dessin cot C8-117 dernires pages 100 % 15 \ 50 \ B/ 25 c E - Weight :2 g. Collector is connected to case 50 100 150 teagelC) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case {Sauf indications contraires} 2N 5294 2N5296 2N 5298 Collector-base voltage Vv Tansion collecteur-base CBO 80 60 80 Vv Callector-emitter voltage v Tension collecteur-metteur ceo 70 40 60 v Collector-emitter voltage _ Vv, Tension collecteur-metteur Ree = 100 2 CER 75 50 70 v Collector-emitter voltage = Tension collecteur-metteur VBE =-15V Voex 80 60 80 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 7 5 5 v Collector current | Courant collecteur c 4 4 4 A Base current l Courant base B 2 2 2 A Power dissipation = P, Dissipation de puissance tease = 25C tot 36 36 36 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max j 150 150 150 C Storage temperature min tye: 65 65 65 C Temprature de stockage max +150 +150 +150 c THOMSON - CSF DrVION_BEWICONDUCTEURS, | 74-11 vii 3872N 5294, 2N 5296, 2N 5298 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vere =65V cE 0,5 mA Vee =-15V 2N 5294 Vog = 65V 2N 5298 Veg =-15V 3 mA t, = 150C Collector-emitter cut-off current case loex Courant rsiduel collecteur-metteur Vv =35V Vor = 15 V 2 mA BE" _ 2N 5296 Veg = 35 V Vee =-15V 5 mA tease = 150C ace = ton 2N 5206 os | oma pee 25C 2N 5298 Collector-emitter cut-off current case I Courant rsidue! collecteur-metteur cER Voce = 80 2N 5294 Reg = 1002 2 mA = 150C 2N 5298 tease = Vern =7 ep 7V 2N 5294 1 mA . lo =0 Emitter-base cut-off current lego Courant rsiduel metteur-base Veg =5V 2N 5296 1 mA Io = 2N 5298 1 mA 2N 5294 | 70 v ! = 100 mA * Collector-emitter breakdown voltage Cc Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ig = CEOsus on oes oo \ Vv Collector-emitter breakdown voltage Io =100mA Vv * | 2N 5204) 75 Tension de claquage collecteur-6metteur Ree = 1002 CERsus 2N 5296 | 50 Vv 2N 5298 | 70 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig = 100mA VeEx * =| 2N 5294) 80 Vv Tension de claquage collecteur-metteur VBE =-1,5V Sus 2N 5296 | 60 Vv 2N 5298} 80 v Vee =4V 2N 5294 1 Io =0,5A 30 20 Static forward current transfer ratio Vac =4V * Valeur statique du rapport oe transfert cE hoy E 2N 5296 | 30 120 direct du courant le =1A VcE =4V _ 2N 5298 | 20 80 Ie =1,5A * Pulsed Impulsions ty =300ps 6 <2% 2/1 3882N 5294, 2N 5296, 2N 5298 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C {Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. | =05A Cc Ip = 005A 2N 5294 1 Vv Collector-emitter saturation voltage le =A Voge ON 5296 1 Tension de saturation collecteur-6metteur Ig =0,1A CEsat Vv { =1,5A c , 1 ip =0,15A 2N 5298 Vv Vag =4V cE 4 lo = O.5A 2N 5294 1,1 Vv . = * Base-emitter voltage Vce =4V Vv, Tension basa-metteur l c = 1A BE 2N 5296 1.3 Vv Vee =4V 2N 5298 15 v lo =15A DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Transition f Vcr =4 v ransition frequency m Frquence de transition lo =0,2A fr 08 MHz f = 1MHz =0,5A Cc ' 5 lp =0,05 A 2N 5294 5 B Turn-on time lg =1A tyt+t, | 2N5296 5 HS Temps total otablissement lp =O,1A Ic = 1SA 2N 5298 5 bs 'g =90,15A I =0,5A Cc * Ip =0,05A 2N 5294 15 us Turn-off time le =1A Temps total de coupure ip =401A t+ te 2N 5296 15 us t = 115A c ' us Ip =+0,15A 2N 5298 15 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rana Rsistance thermique (jonction-bottier) thij-c) 35 cw Junction-ambient thermal resistance Rinse! Rsistance thermique {jonction-ambiante) thii-ai 70 cw Pulsed t,=300us 6 < 2% imputsions 3/11 3892N 5294, 2N 5296, 2N 5298 SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION 10 us \ Non inductive resistances B1 Rsistances non inductives lp R R B c 6 <1% 2N 5294 }100 2] 56 2 t and t, < 50 ns 2N 5296] 47 2] 33.2 2N 5298} 332] 222 N SAFE OPERATING AREA AIRE DE. FONCTIONNEMENT DE SECURITE Tease #25 OC Continuous Continu Pulsed impulsions 2N 5298 2N 1 2 5 10 20 50 102 VogtV) 4/it2N 5294 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COL.LECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension ' collecteur-metteur {mA} 16 1,2 0,8 04 STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du Ho, courant en fonction du courant collecteur Voce =A4V lease = 25C 150 Loam 00 N m | ALIN 50 0 2 468 2 468 2 68 102 10! 70 Ici) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant coliecteur en fonction de ia tension | collecteur-metteur {mA) soe a oh 400 ooh 30h 300 200 100 0 10 20 30 40 50 Voplv! COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension Voge bese-dmetteur (v} v E =4V c 1,6 0,8 0,4 2 468 ,2 468 10 IglA) 5/11 3912N 5294 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 0,8 0,6 0,4 0,2 COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vee sat fonetion du courant collecteur Vv B=10 468 2 #468 BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- metteur Vee =AV. 1,2 Veetv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en Veesat fonction du courant collecteur ) B=10 0,8 0,6 0,4 0,2 2 #4 68 2 468 Ifa} TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du f courant colfecteur (MHz) Voce =4V tease = 25C 2.5 Z > so NY Yo \ 1,5 0,5 1 492 10 10 Iglmal 6/112N 5294, 2N 5296, 2N 5298 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE Tension collecteur-metteur en fonction de la Voce rsistance base-metteur (Vv) I, = 100 mA 80 60 40 20 0 5 42 2 5 2 6 ,2 5 25 25 10 ~=10' =102 103 107 105 = Rin SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du t courant collecteur (us) Vog = 304 t =10 us l B =10 0 t 2 3 4 igi) OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la Coon tension collecteur-base (pF) tease = 25C 8 6 4 Po 2 10 1 2 a 6 8 10 Veg} TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions 2.5 32 (sec) 2 5 102 10 2 5 10% 103 19/11 397