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NPN SILICON POWER Transistor
NPN SILICON POWER Transistor ൈྯ FHD882
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DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-89
。Low saturation voltage
V
CE(sat0 <0.5V(@IC = 2A,IB = 0.2A)
。Excellent HFE linearity and high HFE
HFE:60 to 400(VCE=2V, IC=1A)
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-89 FUNCTION
功能
B 1 BASE
C 2 COLLECTOR
E 3 EMITTER
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 30 Vdc
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 Vdc
Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc
Collector Current(DC)集電極電流-直流 IC(DC) 3.0 Adc
Collector Current(Pulse)集電極電流-脈衝 IC(pulse) 7.0 Adc
Total Power Dissipation 耗散功率(Ta=25℃) Ptot 1.0 W
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度 TJ
Tstg 150，
-55 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
FHD882R=DR(60~120),FHD882Q=DQ(100~200),FHD882P=DP(160~320),FHD882E=DE(200~400)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=10mA, 30 — — V
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=100µA 40
— — V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100µA 5.0
— — V
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICBO VCB=30V，IE=0 — — 1.0 uA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流 IEBO VEB=3.0V, IC=0 — — 1.0 uA
VCE=2V, IC=20mA 30 150 — —
DC Current Gain 直流電流增益 hFE VCE=2.0V, IC=1.0A 60 160 400
—
Collector-Emitter Saturation
Voltage
集電極-發射極飽和壓降 VCE（sat）IC=2.0A,IB=0.2A — 0.3 0.5 V
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降 VBE（sat）IC=2.0A,IB=0.2A — 1.0 2.0 V
Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5.0V,IE=0.1A, — 90 — MHZ
Collect Output Capacitance
輸出電容 COb VCB=10V,IE=0,f=1.0MHZ — 45 — pF
