Semiconductor Group 1 11.96
VPL06724
Besondere Merkmale
●Gehäusebauform: P-LCC-2
●Gehäusefarbe: weiß
●als optischer Indikator einsetzbar
●zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
●für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
●gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
●P-LCC-2 package
●color of package: white
●for use as optical indicator
●for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
●suitable for all SMT assembly and soldering methods
●available taped on reel (8 mm tape)
Hyper TOPLED®
Hyper-Bright LED LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 2
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤2.0.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS T676-NR
LS T676-P
LS T676-Q
LS T676-R
LS T676-PS
super-red colorless clear 25 ... 200
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 320
-
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3135
Q62703-Q3136
Q62703-Q3137
Q62703-Q3138
Q62703-Q3139
LA T676-PS
LA T676-Q
LA T676-R
LA T676-S
LA T676-QT
amber colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Q62703-Q3423
Q62703-Q3424
Q62703-Q3425
Q62703-Q3426
Q62703-Q3427
LO T676-PS
LO T676-Q
LO T676-R
LO T676-S
LO T676-QT
orange colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
-
300 (typ.)
450 (typ.)
600 (typ.)
-
Q62703-Q3066
Q62703-Q3064
Q62703-Q3065
Q62703-Q3091
Q62703-Q3125
LY T676-PS
LY T676-Q
LY T676-R
LY T676-S
LY T676-QT
yellow colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Q62703-Q3855
Q62703-Q3159
Q62703-Q3160
Q62703-Q3404
Q62703-Q3161
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS, LA, LO LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj + 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF30 20 mA
Stoßstrom
Surge current
t≤10 µs, D = 0.005
IFM 1 0.2 A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1) VR3V
Verlustleistung
Power dissipation
TA≤ 25 ˚C
Ptot 80 55 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Rth JA 500 K/W
1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1) Reverse biasing should be avoided.
*)PC-board: FR4
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LA LO LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF= 20 mA
λpeak 645 622 610 591 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF= 20 mA
λdom 632 615 605 587 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50% Irel max (typ.)
IF= 20 mA
∆λ16 16 16 15 nm
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF= 20 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR= 3 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
TCλ0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) TCV– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 5
Relative spektrale Emission Irel = f (λ),TA=25 ˚C, IF= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 6
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Semiconductor Group 7
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LO, LA, LS
D = Parameter; TA = 25 °C
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06724
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LY
D = Parameter; TA = 25 °C
