2012-05-21 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Features: * * * * * Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Emission angle 13 Very high radiant intensity Short switching times UL version available * * * * * Applications * * * * Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Abstrahlwinkel 13 Sehr hohe Strahlstarke Kurze Schaltzeiten UL Version erhaltlich Anwendungen Infrared Illumination for cameras Data transmission Sensor technology Smoke detectors * * * * Infrarotbeleuchtung fur Kameras Datenubertragung Sensorik Rauchmelder Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. ATTENTION -Observe Precautions For Handling -Electrostatic Sensitive Device ATTENTION -Observe Precautions For Handling -Electrostatic Sensitive Device 2012-05-21 1 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstarke Bestellnummer IF= 100 mA, tp= 20 ms Ie [mW/sr] SFH 4350 200 ( 63) Note: Measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm:: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Q65110A2091 Maximum Ratings (TA = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Symbol Werte Einheit Top; Tstg -40 ... 100 C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Forward current Durchlassstrom IF 100 Surge current Stostrom (tp 100 s, D = 0) IFSM 1 Total power dissipation Verlustleistung Ptot 180 mW Thermal resistance junction - ambient 1) page 11 Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 450 K/W 1) Seite 11 2012-05-21 2 mA A Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Characteristics (TA = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlange (IF = 100 mA, tp = 20 ms) peak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlange der Strahlung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) centroid 850 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA, tp = 20 ms) 30 nm Half angle Halbwinkel 13 Active chip area Aktive Chipflache A 0.09 mm2 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache LxW 0.3 x 0.3 mm x mm Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 ) tr, tf 12 ns Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) VF 1.5 ( 1.8) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 s) VF 2.4 ( 3) V Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) IR Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF= 100 mA, tp= 20 ms) e 2012-05-21 3 not designed for A reverse operation 70 mW Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or e Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TCI -0.5 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TCV -0.7 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlange (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TC 0.3 nm / K Grouping (TA = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstarke Max Strahlstarke Typ Strahlstarke IF= 100 mA, tp= 20 ms IF= 100 mA, tp= 20 ms IF = 1 A, tp = 25 s Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] SFH 4350-V 63 125 750 SFH 4350-AW 100 200 1200 SFH 4350-BW 160 320 1900 SFH 4350-CW 250 500 3000 Note: measured at a solid angle of = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). Anm.: gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2012-05-21 4 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission Radiant Intensity Strahlstarke Ie / Ie(100 mA) = f(I F), single pulse, tp = 25 s, TA= 25C Irel = f(), TA = 25C OHF04132 100 I rel SFH 4350 OHL01715 101 % Ie I e (100 mA) 80 100 5 60 10-1 40 5 20 10-2 5 0 700 750 800 850 10-3 0 10 nm 950 2012-05-21 5 10 1 5 10 2 mA 10 3 IF 5 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Forward Current Durchlassstrom IF = f(VF), single pulse, tp = 100 s, TA= 25C Max. Permissible Forward Current Max. zulassiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 450 K / W OHR00880 125 F mA IF 100 OHL01713 100 A 10-1 5 75 10-2 5 50 10-3 25 0 5 0 20 40 60 10-4 80 C 100 T IF t 0.9 A IF 0.8 IF T 0.6 0.4 2 2.5 V 3 OHF05587 t D = TP tP IF T 0.7 D= 0.8 1.5 IF = f(tp), TA = 85 C, duty cycle D = parameter tP 1.0 1 Permissible Pulse Handling Capability Zulassige Pulsbelastbarkeit OHF05438 D = TP 0.5 VF Permissible Pulse Handling Capability Zulassige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 C, duty cycle D = parameter 1.2 A 0 0.005 0.01 0.02 0.033 0.05 0.1 0.2 0.5 1 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.2 D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 0.1 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 tp 2012-05-21 tp 6 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik Irel = f() 40 30 20 10 0 OHF02499 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 0.4 (0.016) 2 0.8 (0.031) 1.8 (0.071) Surface not flat 5.2 (0.205) 4.5 (0.177) 4.1 (0.161) 3.9 (0.154) 1 1.2 (0.047) Chip position 3.3 (0.130) 6.3 (0.248) 5.9 (0.232) Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2012-05-21 7 3.1 (0.122) 2.9 (0.114) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.7 (0.028) 0.4 (0.016) 2.54 (0.100) spacing Package Outline Mazeichnung 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 4.0 (0.157) 3.6 (0.142) GEMY6689 120 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Anode / Anode 2 Cathode / Kathode Package 3mm Radial (T 1), (1/10"), Epoxy, clear Gehause 3mm Radial (T 1), (1/10"), Harz, klar Recommended Solder Pad Empfohlenes Lotpaddesign 4.8 (0.189) TTW Soldering / Wellenloten (TTW) 4 (0.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2012-05-21 8 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 TTW Soldering Wellenloten (TTW) (acc. to IEC 61760-1) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskuhlung forced cooling 0 0 50 100 150 200 t 2012-05-21 9 s 250 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4350 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Anderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen konnen die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Fur weitere Informationen zu gewunschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nachstgelegene Vertriebsburo. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zuruck, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Fur Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zuruckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mussen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, mussen fur diese Zwecke ausdrucklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* durfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverstandnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems fuhren wird oder die Sicherheit oder Effektivitat dieses Apparates oder Systems beeintrachtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind fur (a) die Implantierung in den menschlichen Korper oder (b) fur die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2012-05-21 10 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 Glossary 1) Glossar Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each 2012-05-21 SFH 4350 1) 11 Warmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 16 mm2 Version 1.0 / gema: OS-PCN-2009-021-A2 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrae 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com (c) All Rights Reserved. 2012-05-21 12 SFH 4350